The increase of activation energy w

The increase of activation energy with deceasing film thickness can be understood from the island structure theory based on tunneling of charged carriers between islands separated by short distance .
The temperature co-efficient of resistance (TCR) studies of the above set of five NiO films of thickness 100, 130, 200, 250 and
300 nm, respectively were done in the temperature range of 292–382 K.
The TCR of all five films exhibits a negative value which indicates that the material NiO is a semiconducting one.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเพิ่มขึ้นของพลังงานที่เปิดใช้งานด้วยความหนาของฟิล์ม deceasing สามารถเข้าใจได้จากทฤษฎีโครงสร้างเกาะอยู่บนพื้นฐานของการขุดอุโมงค์ของผู้ให้บริการเรียกเก็บระหว่างเกาะแยกจากกันโดยระยะทางสั้น ๆ .
อุณหภูมิร่วมที่มีประสิทธิภาพของความต้านทาน (TCR) การศึกษาของชุดข้างต้นของห้าภาพยนตร์ nio ความหนา 100, 130, 200, 250 และ 300 นาโนเมตร
ตามลำดับได้กระทำในช่วงที่อุณหภูมิของ 292-382 k
TCR ของทั้งห้าภาพยนตร์ที่แสดงค่าลบซึ่งบ่งชี้ว่า nio วัสดุกึ่งตัวนำหนึ่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเพิ่มขึ้นของพลังงานกระตุ้นมีความหนาของฟิล์ม deceasing สามารถเข้าใจจากทฤษฎีโครงสร้างเกาะตามทันเนลของสายการบินคิดค่าธรรมเนียมระหว่างเกาะยอห่างได้
อุณหภูมิ co ประสิทธิภาพศึกษาความต้านทาน (TCR) ของชุดด้านบนห้า NiO ภาพยนตร์ของความหนา 100, 130, 200, 250 และ
300 nm ตามลำดับทำในช่วงอุณหภูมิของ 292–382 คุณ
TCR ของฟิล์มทั้งหมดห้าจัดแสดงค่าลบซึ่งบ่งชี้ว่า NiO วัสดุหนึ่งตัว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่เพิ่มขึ้นของการเปิดใช้งานพลังงานด้วย deceasing ความหนาของ ภาพยนตร์ สามารถทำให้เข้าใจได้ว่าจากที่เกาะโครงสร้างทฤษฎีที่ใช้แบบ Tunneling ของชาร์จผู้ให้บริการระหว่างหมู่เกาะแยกออกจากกันโดยระยะทางไม่ไกล..
ที่ อุณหภูมิ ความร่วมมือ - มี ประสิทธิภาพ ในการต่อต้าน( tcr )จากการศึกษาของที่อยู่เหนือตั้งค่าของห้า NIO ภาพยนตร์ ของความหนา 100 , 130 , 200 , 250 และ
ซึ่งจะช่วย 300 nm ,ตามลำดับได้ทำในช่วง อุณหภูมิ ของ 292 - 382 K . K .
tcr ห้า ภาพยนตร์ ทั้งหมดมีค่าติดลบซึ่งแสดงว่า NIO วัสดุที่เป็นหนึ่ง semiconducting ที่.