Figure 8: Schematic representation

Figure 8: Schematic representation of dip and anneal technique for large area MoS2 nanosheet synthesis. Insulator substrate was first dip coated with Mo precursor followed by annealing under optimized conditions. Resultant product is uniform large surface area MoS2 nanosheet. Reprinted from ref [186] with permission of ACS publisher.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 8: การแสดงแผนผังของเทคนิคการจุ่มและการหลอมสำหรับการสังเคราะห์ นาโนชีต MoS2 ในพื้นที่ขนาดใหญ่ สารตั้งต้นของฉนวนถูกเคลือบด้วยสารตั้งต้น Mo เป็นครั้งแรก ตามด้วยการอบอ่อนภายใต้สภาวะที่เหมาะสมที่สุด ผลลัพธ์ที่ได้คือนาโนชีต MoS2 ที่มีพื้นที่ผิวขนาดใหญ่สม่ำเสมอ พิมพ์ซ้ำจากการอ้างอิง [186] โดยได้รับอนุญาตจากสำนักพิมพ์ ACS

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 8: แผนผังเทคโนโลยีการชุบและการหลอมของแผ่นนาโน MoS2 ในพื้นที่ขนาดใหญ่
สังเคราะห์ เริ่มต้นด้วยการเคลือบฐานฉนวนด้วยการชุบสารตั้งต้นของ Mo จากนั้น
เงื่อนไขที่ปรับให้เหมาะสม ผลิตภัณฑ์ที่ได้คือแผ่นนาโน MoS2 ที่มีพื้นที่ผิวขนาดใหญ่สม่ำเสมอ พิมพ์ใหม่
อ้างอิง. [186], ได้รับอนุญาตจากสำนักพิมพ์ ACS.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่8 :แผนผังของเทคโนโลยีการชะล้างและการอบด้วยนาโนเมตรขนาดใหญ่
การสังเคราะห์. วัสดุฉนวนถูกเคลือบด้วยสารตั้งต้นของโมและต่อมาใน
เงื่อนไขที่เหมาะสม ผลลัพธ์ที่ได้คือแผ่นนาโนแมกนีเซียมซัลไฟด์ขนาดใหญ่ที่มีพื้นที่ผิวสม่ําเสมอ พิมพ์ใหม่
ได้รับอนุญาตจากสํานักพิมพ์ACSอ้างอิงจากข้อมูลอ้างอิง[ 186 ]