Operation of Depletion-Type MosFET

Operation of Depletion-Type MosFET
The application of a small positive voltage VDs, as shown in Figure 7-36(a), causes the flow of current ID through the channel from drain to source terminal (conventional flow). The resistance of the channel limits the amount of current ID. Thus, an increase in VDS causes a proportional increase in the drain current according to Ohm's law. However, this direct relationship between VDs and ID ends at the pinch-off voltage Vp, beyond which a further increase in VDs does not cause significant increase in ID. That is, the drain current starts leveling off and stays fairly constant at and beyond the pinch-off voltage. The drain current that flows with V VP (with VGs 0) is called the drain-to source saturation current IDss. Apparently, the operation of the depletion-type MOSFET is very similar to that of a JFET and has similar characteristics, with the only difference being that there is no reverse-biased p-n junction with depletion MOSFET. Hence, with VGs20, there is no formation of a depletion region and the channel width is controlled by the action of the electric field.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การสูญเสียชนิด MosFET การประยุกต์ใช้ตัวเล็กแรงดัน VDs ดังที่แสดงในรูป 7-36(a) ทำให้เกิดการไหลของ ID ปัจจุบันผ่านช่องทางจากท่อระบายน้ำแหล่งเทอร์มินัล (การไหลทั่วไป) ความต้านทานของช่องสัญญาณจำกัดจำนวน id ปัจจุบัน ดังนั้น การเพิ่มขึ้นของ VDS ทำให้การเพิ่มสัดส่วนในท่อระบายน้ำปัจจุบันตามของโอห์ม อย่างไรก็ตาม นี้สัมพันธ์โดยตรงระหว่าง VDs และรหัสสิ้นสุดที่หยิกออกแรงดัน Vp เกินกว่าที่เพิ่มเติมใน VDs ไม่ก่อให้เกิดสำคัญเพิ่มในรหัส นั่นคือ ท่อระบายน้ำปัจจุบันเริ่มปรับระดับออก และค่อนข้างคงที่ และแรงดันหยิกปิดขึ้น ปัจจุบันท่อระบายที่ไหล มี V VP (กับ VGs ที่ 0) เรียกว่าท่อระบายน้ำจากแหล่งความเข้ม IDss ปัจจุบัน เห็นได้ชัด การทำงานของ MOSFET ชนิดสูญเสียจะคล้ายกับที่ของ JFET และมีลักษณะที่คล้ายกัน มีความแตกต่างเท่านั้นที่จะไม่มีลำเอียงกลับ p n กับสูญเสีย MOSFET ดังนั้น มี VGs20 มีก่อไม่ภูมิภาคสูญเสีย และความกว้างช่องสัญญาณจะถูกควบคุม โดยการดำเนินการของสนามไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การดำเนินงานของพร่อง-Type MOSFET
การประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าขนาดเล็ก VDS บวกดังแสดงในรูปที่ 7-36 (ก) ทำให้เกิดการไหลของ ID ปัจจุบันผ่านช่องทางจากท่อระบายน้ำไปยังสถานีแหล่งที่มา (การไหลธรรมดา) ความต้านทานของช่องทางที่ จำกัด จำนวนบัตรประจำตัวประชาชนในปัจจุบัน ดังนั้นการเพิ่มขึ้นของ VDS ทำให้เกิดการเพิ่มขึ้นตามสัดส่วนในปัจจุบันท่อระบายน้ำเป็นไปตามกฎของโอห์ม แต่นี้ความสัมพันธ์โดยตรงระหว่าง VDS และรหัสสิ้นสุดที่ Vp แรงดันหยิกออกเกินกว่าที่เพิ่มขึ้นอีกใน VDS ไม่ก่อให้เกิดการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญใน ID นั่นคือท่อระบายน้ำในปัจจุบันเริ่ม leveling ปิดและอยู่ค่อนข้างคงที่และเกินแรงดันหยิกปิด ปัจจุบันท่อระบายน้ำที่ไหลด้วย V VP (กับ VGS 0) เรียกว่าท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของความอิ่มตัวปัจจุบัน Idss เห็นได้ชัดว่าการดำเนินงานของการสูญเสียชนิด MOSFET จะคล้ายกับที่ของ JFET และมีลักษณะที่คล้ายกันมีความแตกต่างเพียงอย่างเดียวว่าไม่มีทางแยก PN ลำเอียงย้อนกลับที่มีการสูญเสีย MOSFET ดังนั้นด้วย VGs20 มีการก่อตัวของภูมิภาคพร่องไม่มีและความกว้างช่องทางที่จะถูกควบคุมโดยการกระทำของสนามไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การดำเนินงานของชนิด MOSFETการ VDS แรงดันบวกเล็กน้อย ดังแสดงในรูปที่ 7-36 ( ) , สาเหตุการไหลของไอดีปัจจุบันผ่านช่องทางจากท่อระบายน้ำแหล่งเทอร์มินอล ( การไหลแบบปกติ ) ความต้านทานของ แชนแนล จำกัด จำนวนของบัตร ปัจจุบันจึงมีการเพิ่มให้เพิ่มสัดส่วน VDS ในช่องทางเดินกระแสตามกฎของโอห์ม . อย่างไรก็ตาม ความสัมพันธ์โดยตรงระหว่าง VDS และรหัสสิ้นสุดที่หนีบปิดแรงดัน ซึ่งเกินที่เพิ่มขึ้นเพิ่มเติมใน VDS ไม่ก่อให้เกิดการเพิ่มขึ้นอย่างมากในบัตรประชาชน คือ ท่อระบายน้ำปัจจุบันเริ่มปรับระดับปิดและยังคงค่อนข้างคงที่ และนอกเหนือหนีบปิดแรงดัน ท่อระบายน้ำปัจจุบันที่ไหลกับ V VP ( วีจีเ 0 ) เรียกว่า ทุกชนิด แหล่ง idss ปัจจุบันอิ่มตัว เห็นได้ชัดว่า การดำเนินงานของการพร่องชนิด MOSFET จะคล้ายกับที่ของ jfet และมีลักษณะคล้ายคลึงกับความแตกต่างเพียงว่า ไม่มีลําเอียงกลับ p-n แยก depletion MOSFET . ดังนั้น ด้วย vgs20 ไม่มีการก่อตัวของเขตร่อยหรอและช่องกว้างที่ถูกควบคุมโดยการกระทำของสนามไฟฟ้า