In all cases XRD patterns reveal th

In all cases XRD patterns reveal the presence of crystalline magnesium silicide for both temperatures, without any MgO traces, regardless of the duration used. The lattice constant gradually varies from 6.345 Å at lower deposition times to 6.350 Å at higher ones, increasing the crystallinity of the grown layers. This is also confirmed by optical measurements; IR reflectivity showed a reflectivity peak at ∼270 cm−1 along with a shoulder at ∼320 cm−1, associated with the phonons on the Mg2Si. Fitting analysis indicated that for both deposition temperatures, the strongest phonon mode is blue shifted increasing deposition times from ∼269 cm−1 reaching the expected value of 272 cm−1 which corresponds to stoichiometric magnesium silicide at 180 min.

Surface roughness is also affected by deposition time. At both deposition temperatures, the surface has elevated roughness with distinguishable low depth craters, at low deposition times, while, layers grown at longer times show absence of craters and surface roughness is found progressively decreasing with deposition time. This is also confirmed by IR reflectivity analysis.

Comparing the layers grown at 500 °C and 650 °C, at high deposition times, EDS scan analysis along a line from the free surface to the substrate shows that the overall Mg (and Si) content in the film is almost constant, resulting on a chemical composition of the silicide Mg:Si = 2:1, with a slight depletion in Mg content for the first 20 μm of the grown layers. This slight depletion is believed to be responsible for the slightly higher free carrier concentration (higher unintentionally doping level) for the layers grown at 500 °C. Electrical conductivity was found to be in very good agreement with the corresponding reported in the literature for undoped Mg2Si.

Grown layers were found stable to oxidation up to 465 °C. The optimum conditions for magnesium silicide coatings included the temperature of 650 °C and the deposition time of 180 min; this selection was supported by the values of Mg-to-Si ratio, the reduced roughness as well as the main phonon mode reaching the expected value of 272 cm−1 for stoichiometric Mg2Si.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในทุกกรณีรูปแบบ XRD เผยให้เห็นการปรากฏตัวของซิลิไซด์แมกนีเซียมผลึกสำหรับอุณหภูมิทั้งสองโดยไม่ต้องมีร่องรอย MgO โดยไม่คำนึงถึงระยะเวลาที่ใช้ คงตาข่ายค่อยๆแตกต่างกันจาก 6.345 ที่ลดลงครั้งเพื่อสะสม 6.350 ที่คนที่สูงกว่าการเพิ่มขึ้นของชั้นผลึกที่ปลูก นี้ได้รับการยืนยันโดยการวัดแสงir ไตร่ตรองแสดงให้เห็นจุดสูงสุดไตร่ตรองที่ ~ 270 ซม. -1 พร้อมกับไหล่ที่ ~ 320 ซม. -1 ที่เกี่ยวข้องกับโฟนันส์เมื่อ mg2si การวิเคราะห์ชี้ให้เห็นว่าเหมาะสมสำหรับทั้งอุณหภูมิสะสม phonon โหมดที่แข็งแกร่งเป็นสีฟ้าขยับตัวครั้งทับถมเพิ่มขึ้นจาก ~ 269 ซม. -1 ถึงมูลค่าที่คาดหวังของ 272 ซม. -1 ซึ่งสอดคล้องกับซิลิไซด์แมกนีเซียม stoichiometric ที่ 180 นาที

พื้นผิวที่ขรุขระจะรับผลกระทบตามเวลาที่สะสม ทั้งอุณหภูมิสะสมบนพื้นผิวมีความขรุขระสูงที่มีความแตกต่างหลุมลึกต่ำตลอดเวลาสะสมต่ำในขณะที่ชั้นเติบโตขึ้นอีกครั้งแสดงตัวตนของหลุมและพื้นผิวที่ขรุขระจะพบว่ามีความก้าวหน้าลดลงตามระยะเวลาการฝากเงิน นี้จะยังยืนยันโดยการวิเคราะห์ไตร่ตรอง ir.

เทียบชั้นเติบโตขึ้นที่ 500 ° C และ 650 ° C เวลาสะสมสูงการวิเคราะห์สหพันธ์การสแกนตามแนวจากพื้นผิวฟรีที่พื้นผิวแสดงให้เห็นว่าโดยรวมมิลลิกรัม (และ si) เนื้อหาในภาพยนตร์เรื่องนี้เป็นค่าคงที่เกือบจะส่งผลให้เมื่อ องค์ประกอบทางเคมีของมิลลิกรัมซิลิไซด์: si = 2:1 กับการสูญเสียเล็กน้อยในเนื้อหามิลลิกรัมสำหรับแรก 20 ไมโครเมตรของชั้นโตนี้ลดลงเล็กน้อยที่เชื่อว่าเป็นผู้รับผิดชอบในการให้บริการที่มีความเข้มข้นสูงขึ้นเล็กน้อยฟรี (ที่สูงขึ้นโดยไม่ได้ตั้งใจยาสลบระดับ) ชั้นสำหรับการเจริญเติบโตที่ 500 ° C การนำไฟฟ้าพบว่ามีอยู่ในข้อตกลงที่ดีมากสอดคล้องกับรายงานในวรรณกรรมสำหรับ undoped mg2si.

ชั้นปลูกพบว่ามีเสถียรภาพต่อการเกิดออกซิเดชันได้ถึง 465 ° Cสภาวะที่เหมาะสมสำหรับการเคลือบซิลิไซด์แมกนีเซียมรวมถึงการเก็บไว้ที่อุณหภูมิ 650 ° C และเวลาปลดออกจาก 180 นาที; เลือกนี้ได้รับการสนับสนุนโดยค่าของอัตราส่วนมิลลิกรัมต่อ-si, ความหยาบกร้านลดลงเช่นเดียวกับโหมด phonon หลักที่คาดว่าจะมาถึง ค่าของ 272 ซม. -1 สำหรับ stoichiometric mg2si

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปแบบ XRD เปิดเผยของ silicide ผลึกแมกนีเซียมสำหรับอุณหภูมิทั้ง โดยไม่มีร่องรอยใด ๆ MgO โดยไม่คำนึงถึงระยะเวลาที่ใช้ในทุกกรณี ค่าคงของโครงตาข่ายประกอบค่อย ๆ ตั้งแต่ 6.345 Åล่างสะสมเวลาถึง 6.350 Åที่สูงกว่าคน เพิ่ม crystallinity ของชั้นปลูก นี้ถูกยืนยัน โดยวัดแสง มีการสะท้อนแสงอินฟราเรดแสดงให้เห็นว่ามีการสะท้อนแสงสูงสุดที่ cm−1 ∼270 กับไหล่ที่ ∼320 cm−1 เกี่ยวข้องกับ phonons บน Mg2Si เหมาะสมวิเคราะห์ระบุสำหรับอุณหภูมิทั้งสองสะสม โหมด phonon แข็งแกร่งว่าบลูเปลี่ยนเพิ่มงานสะสม ∼269 cm−1 ถึงค่าคาดหมายของ cm−1 272 ซึ่งสอดคล้องกับแมกนีเซียม stoichiometric silicide ที่ 180 นาที

ความหยาบผิวยังได้รับผลกระทบจากเวลาสะสม ที่อุณหภูมิทั้งสองสะสม ผิวได้ยกระดับความหยาบกับความลึกต่ำสุดแตกต่างลัง สะสมต่ำเวลา ขณะ ชั้นโตยาวเวลาดูการขาดงานของลังและความหยาบผิวพบลดลงเรื่อย ๆ สะสมเวลา นี้ถูกยืนยัน โดยการวิเคราะห์แสงสะท้อน IR

เปรียบเทียบชั้นโตที่ 500 ° C และ° C 650 สะสมสูงเวลา EDS วิเคราะห์การสแกนตามแนวเส้นจากผิวอิสระพื้นผิวแสดงว่าโดยรวมมิลลิกรัม (และซี) เนื้อหาในภาพยนตร์คงเกือบ เกิดบนองค์ประกอบทางเคมีของ silicide Mg:Si = 2:1 มีการลดลงของเล็กน้อยในเนื้อหา Mg สำหรับ μm แรก 20 ชั้นปลูก เชื่อว่าจะรับผิดชอบสูงขึ้นเล็กน้อยจนหมดนี้เล็กน้อยฟรีขนส่งเข้มข้น (ระดับสูงตั้งใจ doping) สำหรับชั้นของการเติบโตที่ 500 องศาเซลเซียส ค่าการนำไฟฟ้าถูกพบอยู่ในข้อตกลงที่ดีกับให้สอดคล้องกับรายงานในวรรณคดีสำหรับ undoped Mg2Si

ชั้นปลูกพบเสถียรภาพการออกซิเดชันถึง 465 องศาเซลเซียส เงื่อนไขเหมาะสมสำหรับแมกนีเซียมเคลือบ silicide รวมอุณหภูมิ 650 องศาเซลเซียสและเวลาสะสม 180 นาที ตัวเลือกนี้ได้รับการสนับสนุน โดยค่า Mg ในอัตราส่วน ความหยาบลดลง รวมทั้งโหมด phonon หลักถึงค่าคาดหมายของ 272 cm−1 สำหรับ stoichiometric Mg2Si

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในทุกกรณีรูปแบบ xrd เผยถึงการมีอยู่ของ silicide แมกนีเซียมคริสตัลสสำหรับ อุณหภูมิ ไม่มีร่องรอย mgo ใดๆโดยไม่คำนึงถึงระยะเวลาที่ใช้ หลายท่อนที่คงที่อย่างค่อยเป็นค่อยไปจะแตกต่างกันไปจาก 6.345 A ที่มีเวลาน้อยกว่า 6.350 A ที่มีสูงกว่าการเพิ่ม crystallinity ของชั้นขึ้นที่ โรงแรมแห่งนี้ได้รับการยืนยันว่าจากการวัดค่าออปติคอลไดรฟ์ยังส่วนสะท้อนแสงบริเวณอินฟราเรดแสดงให้เห็นยอดเขาส่วนสะท้อนแสงบริเวณที่∼ 270 ซม. 1 พร้อมด้วยสายสะพายไหล่∼ 320 ซม.ที่ 1 ที่เกี่ยวข้องกับ phonons ที่มก. 2 ศรี การวิเคราะห์เหมาะสมระบุว่าสำหรับ อุณหภูมิ คำให้การทั้ง phonon มากที่สุดที่โหมดมีสีฟ้าหันไปสะสมเพิ่มขึ้นจากครั้ง ∼ 269 ซ.ม. 1 ไปถึงความคุ้มค่าที่คาดว่าจะมี 272 ซม. 1 ซึ่งตรงกับ stoichiometric silicide แมกนีเซียมที่ 180 นาที

พื้นผิวขรุขระได้รับผลกระทบโดยช่วงเวลาวางยัง ในที่ที่มี อุณหภูมิ สูงเกินวางบนพื้นผิวที่มีทั้งแบบยกระดับรุนแรงขึ้นสู่ปากปล่อง ภูเขา ไฟพร้อมด้วยความลึกต่ำสามารถแบ่งแยกได้ในเวลามีน้อยในขณะที่ชั้นเติบโตในเวลาอีกต่อไปไม่มีรุนแรงแสดงบนพื้นผิวและขึ้นสู่ปากปล่อง ภูเขา ไฟมีพบว่าลดลงอย่างต่อเนื่องพร้อมด้วยเวลาวาง โรงแรมแห่งนี้ได้รับการยืนยันว่าการวิเคราะห์ส่วนสะท้อนแสงช่วยอินฟราเรดยัง.

การเปรียบเทียบการเติบโตในชั้น 500 ° C และ 650 ° C ,ที่สูงมีเวลา, EDS สแกนการวิเคราะห์ไปตามที่สายจากที่แบบไม่เสียค่าบริการบนพื้นผิวที่ยึดเข้ากับฐานแสดงให้เห็นว่าที่มก.โดยรวม(และศรี)เนื้อหาใน ภาพยนตร์ เกือบจะคงที่ทำให้สารเคมีในการเขียนของ silicide มก.:ศรี= 2 : 1 ,พร้อมด้วยเพียงเล็กน้อยทำให้หมดสิ้นลงในมก.เนื้อหาเป็นครั้งแรก 20 μ m ของที่ขึ้นชั้น.ทำให้หมดสิ้นลงเพียงเล็กน้อยนี้เชื่อว่าจะเป็นผู้รับผิดชอบในการรวมกลุ่มผู้ให้บริการแบบไม่เสียค่าบริการสูงขึ้นเล็กน้อย(ระดับสูงขึ้นโดยไม่ได้ตั้งใจ doping )สำหรับชั้นซับในที่เกิดขึ้นที่ 500 ° C การนำไฟฟ้าพบว่าในข้อตกลงที่ดีเป็นอย่างมากพร้อมด้วยที่เกี่ยวข้องที่ได้รับรายงานในทางวรรณคดีสำหรับมก. undoped 2 ศรี.

ขึ้นชั้นพบว่ามีความมั่นคงและในการออกซิไดส์ได้ถึง 465 ° Cเงื่อนไขที่เหมาะสมสำหรับสีเคลือบเงา silicide แมกนีเซียมรวมถึง อุณหภูมิ ที่ 650 ° C และช่วงเวลาการสะสม 180 นาทีการเลือกนี้ได้รับการสนับสนุนโดยค่าที่มีอัตรามก. - ศรีรุนแรงลดลงได้เป็นอย่างดีเป็นศรีโหมด phonon หลักที่คาดว่าจะไปถึงความคุ้มค่าของ 272 ซม. 1 สำหรับ stoichiometric มก. 2