Sample Problem 41.06 Doping silicon

Sample Problem 41.06 Doping silicon with phosphorus
The number density n_0 of conduction electrons in pure silicon at room temperature is about 〖10〗^16 m^(-3). Assume that,by doping the silicon lattice with phosphorus, we want to increase this number by a factor of a million (〖10〗^6). What fraction of silicon atoms must we replace with phosphorus atoms? (Recall that at room temperature, thermal agitation is so effective that essentially every phosphorus atom donates its “extra” electron to the conduction band.) Number of phosphorus atoms: Because each phosphorus
atom contributes one conduction electron and because we want the total number density of conduction electrons to be 106n0, the number density of phosphorus atoms nP must be given by

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างปัญหาซิลิกอนที่มียาสลบ 41.06 ฟอสฟอรัส
n_0 จำนวนความหนาแน่นของการถ่ายทอดอิเล็กตรอนในซิลิคอนบริสุทธิ์ที่อุณหภูมิห้องประมาณ 10 〖〗

16 เมตร (-3) สมมติว่าโดยยาสลบตาข่ายซิลิกอนที่มีฟอสฟอรัสเราต้องการเพิ่มจำนวนนี้โดยปัจจัยล้านบาท (〖 10 〗
6) คิดเป็นเศษส่วนของอะตอมซิลิกอนที่เราจะต้องแทนที่ด้วยอะตอมของฟอสฟอรัส? (จำได้ว่าที่อุณหภูมิห้องกวนความร้อนที่มีประสิทธิภาพเพื่อให้เป็นหลักทุกบริจาคอะตอมฟอสฟอรัสของอิเล็กตรอน "พิเศษ" เพื่อการนำวงดนตรี) จำนวนของอะตอมฟอสฟอรัส:. เพราะฟอสฟอรัสแต่ละ
อะตอมก่อให้อิเล็กตรอนการนำหนึ่งและเพราะเราต้องการความหนาแน่นของจำนวนรวมของการถ่ายทอดอิเล็กตรอนจะ 106n0 ความหนาแน่นของจำนวนอะตอมของฟอสฟอรัส NP จะต้องได้รับโดย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่างปัญหา 41.06 โดปปิงค์ซิลิคอนกับฟอสฟอรัส
n_0 ความหนาแน่นหมายเลขของการนำอิเล็กตรอนในซิลิคอนบริสุทธิ์ที่อุณหภูมิห้องคือ 〖10〗
16 m
(-3) สมมติว่า โดปปิงค์โครงตาข่ายประกอบซิลิคอนกับฟอสฟอรัส เราต้องการเพิ่มหมายเลขนี้ โดยตัวของล้าน (〖10〗
6) เศษสิ่งของอะตอมซิลิกอนที่เราต้องแทน ด้วยอะตอมของฟอสฟอรัส (นึกที่ที่อุณหภูมิห้อง อาการกังวลต่อความร้อนจะมีประสิทธิภาพมากว่า หลักทุกอะตอมฟอสฟอรัสได้อิเล็กตรอนของ "เสริม" ให้วงดนตรีนำ) จำนวนอะตอมฟอสฟอรัส: เนื่องจากฟอสฟอรัสละ
อะตอมรวมหนึ่งนำอิเล็กตรอน และเนื่องจากเราต้องการความหนาแน่นหมายเลขรวมของอิเล็กตรอนจึงจะ 106n0 ต้องกำหนดหมายเลขความหนาแน่นของ nP อะตอมฟอสฟอรัสโดย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างปัญหา อุณหภูมิ 41.06 doping ซิลิโคนมีฟอสฟอรัส
ซึ่งจะช่วยความหนาแน่น n_ หมายเลข 0 ของอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอนำในซิลิโคนบริสุทธิ์ที่ห้องเป็นเรื่องเกี่ยวกับ〖 10 〗

16 ม.( - 3 ) โดยถือว่า doping หลายท่อนซิลิกอนที่พร้อมด้วยฟอสฟอรัสเราต้องการเพิ่มหมายเลขนี้ได้โดยปัจจัยหนึ่งที่ล้าน(〖 10 〗
6 ) อะไรคือส่วนของอะตอมซิลิกอนเราต้องเปลี่ยนด้วยฟอสฟอรัสอะตอม (การเรียกคืนที่ที่ อุณหภูมิ ห้องระบายความร้อนได้อย่างมี ประสิทธิภาพ ดังนั้นจึงมีความรู้สึกว่าจำเป็นทุกฟอสฟอรัส Atom มอบ"พิเศษ"อิเลคตรอนที่จะนำคลื่นความถี่)หมายเลขของฟอสฟอรัสอะตอม:เนื่องจากแต่ละฟอสฟอรัส
Atom ช่วยหนึ่งนำอิเล็กตรอนและเพราะเราต้องการให้จำนวนความหนาแน่นของการทำอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอเป็น 106 n0 ,หมายเลขความหนาแน่นของฟอสฟอรัสอะตอม NP จะต้องได้รับการตอบแทน