Plasma chemical vapor deposition (C

Plasma chemical vapor deposition (CVD) at 13.56 MHz has been used to produce diamond
particles in two different inductively coupled systems with a mixture of methane and hydrogen.
The effect of a diamondlike carbon (DLC) overcoating on silicon, niobium, and stainless-steel
substrates has been investigated and in the case of silicon has been found to enhance particle
formation as compared to uncoated polished silicon. In addition the use of carbon monoxide in
hydrogen has been found to produce well-defined individual faceted particles as well as
polycrystalline films on quartz and DLC coated silicon substrates. Plasma CVD is a competitive
approach to production of diamond films. It has the advantage over microwave systems of being
easily scaled to large volume and high power.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พลาสม่าไอเคมีสะสม (เกี่ยวกับที่ 13.56 MHz มีการใช้ในการผลิตเพชร
อนุภาคสองอื่นควบคู่ระบบท่าน ด้วยส่วนผสมของมีเทนและไฮโดรเจน
ผลของ overcoating diamondlike คาร์บอน (DLC) ซิลิคอน ไนโอเบียม และ เหล็กสแตนเลส
พื้นผิวการตรวจสอบ และในกรณีของซิลิคอนพบการเพิ่มอนุภาค
ก่อตัวเมื่อเทียบกับซิลิคอนเคลือบเงา นอกจากนี้การใช้คาร์บอนมอนอกไซด์ใน
ตรวจพบไฮโดรเจนผลิตโดยอนุภาคประกอบแต่ละเป็น
คฟิล์มควอตซ์และ DLC เคลือบพื้นผิวซิลิกอ พลาสม่าผิว CVD เป็นการแข่งขัน
วิธีการผลิตของฟิล์มเพชร มีข้อดีกว่าระบบไมโครเวฟการ
ได้ปรับให้พลังงานสูงและจำนวนมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลาสม่าไอสารเคมีสะสม (CVD) ที่ 13.56 MHz ได้รับการใช้ในการผลิตเพชร
อนุภาคในสองระบบ inductively คู่ที่แตกต่างกันที่มีส่วนผสมของก๊าซมีเทนและไฮโดรเจน
ผลกระทบของคาร์บอน diamondlike (DLC) ทับบนซิลิกอน, ไนโอเบียมและสแตนเลส
พื้นผิวที่ได้รับการตรวจสอบและในกรณีของซิลิกอนที่ได้รับการพบเพื่อเพิ่มอนุภาค
ก่อตัวเมื่อเทียบกับซิลิกอนขัดเคลือบผิว นอกจากนี้การใช้ก๊าซคาร์บอนมอนอกไซด์ใน
ไฮโดรเจนมีการค้นพบในการผลิตดีที่กำหนดไว้อนุภาคเหลี่ยมเพชรพลอยแต่ละบุคคลเช่นเดียวกับ
ภาพยนตร์ polycrystalline ในควอทซ์และเคลือบ DLC พื้นผิวซิลิกอน พลาสม่าซีวีดีมีการแข่งขัน
วิธีการที่จะผลิตภาพยนตร์เพชร มันมีข้อได้เปรียบที่เหนือกว่าระบบไมโครเวฟในการ
ปรับขนาดได้อย่างง่ายดายเพื่อปริมาณมากและพลังงานที่สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

chemical vapor deposition ( CVD ) พลาสมาที่ 13.56 MHz ได้ถูกใช้เพื่อผลิตอนุภาคเพชร
ในเดือนมีนาคมที่แตกต่างกันสองคู่ระบบที่มีส่วนผสมของก๊าซมีเทนและไฮโดรเจน
ผลของคาร์บอน diamondlike ( DLC ) overcoating ในซิลิคอน ไนโอเบียม และพื้นผิวเหล็กสแตนเลสถูกสอบสวน
และในกรณีของซิลิคอนที่ได้รับพบว่าอนุภาค
เพิ่มสร้างเมื่อเทียบกับขัดเคลือบซิลิคอน นอกจากนี้การใช้ก๊าซคาร์บอนมอนอกไซด์ใน
ไฮโดรเจนมีพบผลิตต่อบุคคลเหลี่ยมเพชรอนุภาคเช่นเดียวกับ
ภาพยนตร์ใน DLC เคลือบซิลิคอนผลึกควอตซ์พื้นผิว . พลาสมาซีวีดีเป็นวิธีการแข่งขัน
การผลิตของฟิล์มเพชร มีข้อดีกว่าระบบไมโครเวฟถูก
ได้อย่างง่ายดายปรับขนาดให้มีปริมาณมากและพลังงานสูง