Structural, optical and electronic

Structural, optical and electronic structure of Al doped ZnO thinfilms grown using pulsed laser deposition on glass substrate areinvestigated. X-ray diffraction measurements reveal that all thefilms are textured along the c-axis and have wurtzite structure.Al doping in ZnO films leads to increase in grain size due to relax-ation in compressive stress. Enhancement in band gap of ZnO filmswith the Al doping is also noticed which can be ascribed to theBrustein–Moss shift. The changes in the electronic structure causedby Al in the doped thin film samples are understood through X-rayabsorption measurements.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้างโครงสร้าง แสง และไฟฟ้าของอัลเจือ ZnO thinfilms ปลูกโดยใช้เลเซอร์ตัวสะสมบนกระจกผิว areinvestigated เอ็กซเรย์เลี้ยววัดเปิดเผยว่า thefilms ทั้งหมดพื้นผิวตามแนวแกน c และมีโครงสร้าง wurtzite อัลยาสลบใน ZnO films นำไปสู่เพิ่มขนาดของเมล็ดข้าวเนื่องจากต้องพักผ่อนในความเครียดอัด การเพิ่มประสิทธิภาพในช่องว่างวงของ ZnO filmswith อัลยาสลบก็สังเกตเห็นซึ่งสามารถจากนี้ไปกะ theBrustein – มอส การเปลี่ยนแปลงใน causedby โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์อัลในตัวอย่างภาพยนตร์บางผสมจะเข้าใจผ่านทางการวัด X-rayabsorption

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โครงสร้างแสงและอิเล็กทรอนิกส์โครงสร้างของอัลเจือ ZnO LMS บาง Fi ที่ปลูกโดยใช้เลเซอร์ชีพจรทับถมบนพื้นผิวแก้ว areinvestigated X-ray วัดการเลี้ยวเบนเผยให้เห็นว่าทุก LMS Fi ที่มีพื้นผิวตามแนวแกน C และมี wurtzite structure.Al ยาสลบใน ZnO LMS Fi นำไปสู่​​การเพิ่มขึ้นในขนาดของเมล็ดข้าวเนื่องจากการผ่อนคลาย-ation ความเครียดอัด การเพิ่มประสิทธิภาพในช่องว่างของวง ZnO Fi lmswith อัลยาสลบยังเป็นที่สังเกตเห็นซึ่งสามารถกำหนดกะ theBrustein-มอสส์ การเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ causedby อัลในตัวอย่างเจือ LM บาง Fi ที่มีความเข้าใจผ่านการวัด X-rayabsorption

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้าง โครงสร้าง แสงและอิเล็กทรอนิกส์ของอัลด้วยเช่นกันบางจึง LMS โตโดยใช้แสงเลเซอร์พัลส์สะสมบนแผ่นแก้ว areinvestigated . การวัดการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ พบว่า LMS ทั้งหมดจึงมีพื้นผิวและโครงสร้างตาม c-axis wurtzite อัลว่า ZnO และจึงนำไปสู่การเพิ่มขนาดเม็ดเนื่องจากพักผ่อน ation ในความเครียดอัด การเพิ่มช่องว่างแถบของซิงค์ออกไซด์โด๊ปจึง lmswith อัลยังสังเกตเห็นซึ่งสามารถใช้แทนการ thebrustein กะ–มอส การเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ที่เกิดจากอัลในเจือบางจึง LM ตัวอย่างเข้าใจผ่านวัด x-rayabsorption .