AbstractAn alternative route to imp

Abstract
An alternative route to improve the physical properties of ZnO nanostructures has been demonstrated. With In inclusion in the growth process, we show that the morphology of ZnO nanostructures can be changed from nanopins to nanowires. Besides, the major effects of In inclusion involve the reduction of crystallization velocity, improvement of crystalline quality, and suppression of defect density. Notably, the emission intensity can be enhanced by more than one order of magnitude. Our result therefore provides an excellent approach to obtain good crystalline quality of nanometerials for the application of optoelectronic devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อมีการสาธิตกระบวนการผลิตอื่นเพื่อปรับปรุงคุณสมบัติทางกายภาพของ ZnO nanostructures มีในรวมในกระบวนการเจริญเติบโต แสดงว่า สัณฐานวิทยาของ ZnO nanostructures สามารถเปลี่ยนจาก nanopins เป็น nanowires นอกจาก ลักษณะสำคัญของในการรวมเกี่ยวการลดความเร็วตกผลึก ปรับปรุงคุณภาพผลึก และปราบปรามความบกพร่องความหนาแน่น ยวด สามารถเพิ่มความรุนแรงของมลพิษ โดยหนึ่งสั่งของขนาด ผลของเราจึงมีวิธีการเลิศเพื่อให้ได้คุณภาพดีผลึกของ nanometerials สำหรับโปรแกรมประยุกต์ของอุปกรณ์ optoelectronic

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อเลือกเส้นทางในการปรับปรุงคุณสมบัติทางกายภาพของโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ได้รับการพิสูจน์ ด้วยในการรวมอยู่ในขั้นตอนการเจริญเติบโตของเราแสดงให้เห็นว่าลักษณะทางสัณฐานวิทยาของโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ที่สามารถเปลี่ยนจากการ nanopins nanowires นอกจากนี้ผลกระทบที่สำคัญของการมีส่วนร่วมในการรวมการลดลงของความเร็วตกผลึก, การปรับปรุงคุณภาพผลึกและปราบปรามของความหนาแน่นของข้อบกพร่อง โดยเฉพาะอย่างยิ่งความเข้มการปล่อยสามารถเพิ่มโดยมากกว่าหนึ่งลำดับความสำคัญ ผลของเราจึงมีแนวทางที่ดีที่จะได้รับคุณภาพที่ดีของผลึก nanometerials สำหรับการใช้งานของอุปกรณ์ optoelectronic

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม
เส้นทางทางเลือกที่จะช่วยปรับปรุงคุณสมบัติทางกายภาพของซิงค์ออกไซด์นาโน ได้แสดงให้เห็นถึง กับการรวมอยู่ในกระบวนการเจริญเติบโต เราแสดงให้เห็นว่าลักษณะของซิงค์ออกไซด์นาโน สามารถเปลี่ยนจาก nanopins กับนาโน . นอกจากนี้ ผลของการเกี่ยวข้องกับหลักในการลดความเร็วของการตกผลึก การปรับปรุงคุณภาพของผลึกและการปราบปรามของความหนาแน่นของข้อบกพร่อง โดยเฉพาะ เพิ่มความเข้มสามารถเพิ่มโดยมากกว่าหนึ่งใบขนาด ผลของเราจึงมีวิธีการที่ดีที่จะได้รับคุณภาพที่ดีของ nanometerials ผลึกสำหรับการประยุกต์ใช้อุปกรณ์ optoelectronic .