IntroductionIndium tin oxide (ITO)

IntroductionIndium tin oxide (ITO) thin films are wide band gap semicon-ductors with good electrical and optical properties such as lowresistivities (∼10−4 cm), high carrier concentrations, high mobil-ity rates, and high transparency in the visible and near-infraredregions (450–1100 nm), as discussed by Qi et al. (2009) and Chenet al. (2013).

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

IntroductionIndium ดีบุกออกไซด์ (ITO) ฟิล์มบางกว้างช่องว่างแถบ Semicon-ductors ที่มีคุณสมบัติไฟฟ้าและแสงที่ดีเช่น lowresistivities (~10-4? เซนติเมตร) ผู้ให้บริการมีความเข้มข้นสูงสูงอัตราโมบิล-ity และความโปร่งใสสูงในที่มองเห็นและ ใกล้ infraredregions (450-1100 นาโนเมตร) ตามที่กล่าวไว้โดยฉี et al, (2009) และอัล Chenet (2013)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

introductionindium ทินออกไซด์ ( ITO ) ฟิล์มบางเป็น ductors SEMICON ช่องว่างแถบกว้างด้วยคุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงที่ดี เช่น lowresistivities ( ∼ 10 − 4  ซม. ) ความเข้มข้นพาหะสูง อัตรา ity โมบิลสูงและความโปร่งใสสูงในการมองเห็น และใกล้ infraredregions ( 450 ) 1 , 100 nm ) ตามที่กล่าวไว้โดยฉี et al , . ( 2009 ) และ chenet อัล ( 2013 )