A visible-light semiconductor laser

A visible-light semiconductor laser with an output of 40 mW at a 0.78-um wavelength, developed at hitachi Ltd.'s Central Research Laboratory, promises to fill the need for a light source for recording optical disks. It is to become available as a laboratory sample in september and in production quantities in March 1984. Contributing to the high output is a multilayer coating of alternate half-wavelength layers of silicon dioxide and amorphous silicon. Reflectivity is increased from 30% to 90%, with 95% of the laser's output directed out of the other end. The Japanese company says the coating will boost the output of existing lasers by 50%. also boosting the output is a strip waveguide under the active region, produced during fabrication of the self-aligned buried-strip heterojunction structure.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซมิคอนดักเตอร์เลเซอร์ที่มองเห็นแสงกับผลผลิตจาก 40 เมกะวัตต์ที่ความยาวคลื่น 0.78-เอ่อพัฒนาที่ HITACHI ltd. เป็นห้องปฏิบัติการวิจัยกลางสัญญาว่าจะเติมเต็มความต้องการสำหรับแหล่งกำเนิดแสงสำหรับการบันทึกดิสก์แสง ก็คือการกลายเป็นใช้ได้เป็นตัวอย่างตรวจทางห้องปฏิบัติการในเดือนกันยายนและในปริมาณการผลิตมีนาคม 1984เอื้อต่อการส่งออกสูงเป็นเคลือบหลายชั้นสลับชั้นครึ่งความยาวคลื่นของซิลิคอนไดออกไซด์และซิลิกอนอสัณฐาน ไตร่ตรองจะเพิ่มขึ้นจาก 30% เป็น 90% กับ 95% ของการส่งออกเลเซอร์กำกับออกมาจากส่วนอื่น ๆ บริษัท ญี่ปุ่นกล่าวว่าการเคลือบจะเพิ่มการส่งออกของเลเซอร์ที่มีอยู่ 50% นอกจากนี้ยังมีการส่งเสริมการส่งออกเป็นท่อนำคลื่นแถบภูมิภาคภายใต้การใช้งานที่ผลิตในระหว่างการผลิตของโครงสร้าง heterojunction ตนเองชิดฝังแถบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เลเซอร์สารกึ่งตัวนำแสงเห็น ด้วยออก 40 mW ที่เป็น 0.78 อุ่มความยาวคลื่น พัฒนาในห้องปฏิบัติการวิจัยกลางฮิตาชิจำกัด สัญญาที่ระบุต้องการแสงสำหรับการบันทึกดิสก์แสง มันจะกลายเป็นเป็นตัวอย่างปฏิบัติ ในเดือนกันยายน และ ในปริมาณการผลิตในเดือน 1984 มีนาคม เอื้อต่อการส่งออกสูงเป็นเคลือบหลายชั้นชั้นครึ่งความยาวคลื่นอื่นไปซิลิคอนและซิลิกอนไดออกไซด์ มีการสะท้อนแสงจะเพิ่มขึ้นจาก 30% เป็น 90%, 95% ของผลผลิตของเลเซอร์โดยตรงจากอีกฝ่าย บริษัทญี่ปุ่นกล่าวว่า เคลือบที่จะเพิ่มผลผลิตของแสงเลเซอร์ที่มีอยู่ 50% นอกจากนี้ยัง เพิ่มผลผลิตเป็น waveguide แถบภายใต้พื้นที่ใช้งาน ผลิตระหว่างการผลิตของตนเองวางแถบฝัง heterojunction โครงสร้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์สามารถมองเห็นได้ - พร้อมด้วยเอาต์พุตของ 40 เมกะวัตต์ที่ 0.78 - ความยาวคลื่นที่ได้รับการพัฒนาและวิจัยในห้องทดลองของบริษัทฮิตาชิจำกัดให้คำมั่นสัญญาเพื่อเติมความต้องการสำหรับแหล่งกำเนิดแสงที่สำหรับการบันทึกดิสก์ออปติคอลไดรฟ์ ในการใช้งานเป็นตัวอย่างที่ห้องปฏิบัติการในเดือนกันยายนและในปริมาณการผลิตในเดือนมีนาคม 1984มีผลกับเอาต์พุตสูงที่มีการเคลือบแบบมัลติเลเยอร์ชนิดเรียงซ้อนของชั้นแบบครึ่งความยาวคลื่นอื่นซิลิกอนของไม่มีรูปร่างเป็นที่แน่นอนและซิลิคอน ส่วนสะท้อนแสงบริเวณมีเพิ่มขึ้นจาก 30% เป็น 90% ,พร้อมด้วย 95% ของแสงเลเซอร์ของเอาต์พุตไปออกจากปลายอีกด้านหนึ่งของบริษัทญี่ปุ่นกล่าวว่าการเคลือบด้วยจะช่วยเพิ่มผลผลิตที่มีอยู่ของเลเซอร์โดย 50% นอกจากนี้ยังเพิ่มผลผลิตเป็นแถบท่อนำคลื่นที่ใช้งานอยู่ในเขตพื้นที่ผลิตขึ้นมาในระหว่างการเสกสรรปั้นแต่งโครงสร้าง heterojunction ฝังไว้ - Strip ด้วยตนเองในแนวเดียวกันได้