photoluminescence (PL) at 1.55 μm f

photoluminescence (PL) at 1.55 μm from
semiconducting β-FeSi2 has attracted a noticeable interest,
and has attracted much attention over the past ten years as one
of the promising materials for silicon-based optoelectronic
applications [1]. It is able to epitaxially grow on Si substrates
[2]. Light-emitting diodes using β-FeSi2 active-layer showed
the emission efficiency of about 0.1% [3]. It is pointed out that
non-radiative recombination centers at hetero-interfaces affect
the light emission efficiency.
In this study, we report an improvement in the crystallinity of
β-FeSi2 film as well as β-FeSi2/Si hetero-interface and the
enhancement of PL intensities by coating Cu or Au layer on
Si(100) wafers using metal-organic chemical vapor deposition
(MOCVD).

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สเซนต์ (PL) ที่ 1.55 ไมโครเมตรจาก
สารกึ่งตัวนำβ-FeSi2 ได้ดึงดูดความสนใจที่เห็นได้ชัด
และได้ดึงดูดความสนใจมากในช่วงสิบปีที่ผ่านมาเป็นหนึ่ง
ในวัสดุที่มีแนวโน้มสำหรับซิลิคอน optoelectronic
การใช้งาน [1] มันสามารถที่จะ epitaxially เติบโตบนพื้นผิวศรี
[2] ไดโอดเปล่งแสงโดยใช้β-FeSi2 ชั้นที่ใช้งานได้แสดงให้เห็น
ประสิทธิภาพการปล่อยประมาณ 0.1% [3] มันเป็นเรื่องที่ชี้ให้เห็นว่า
ศูนย์รวมตัวกันอีกที่ไม่ใช่รังสีที่อินเตอร์เฟซ-แตกต่างส่งผลกระทบต่อ
ประสิทธิภาพการปล่อยแสง.
ในการศึกษานี้เรารายงานการปรับปรุงในผลึกของ
ฟิล์มβ-FeSi2 เช่นเดียวกับβ-FeSi2 / ศรีแตกต่างมีอินเตอร์เฟซและ
การเพิ่มประสิทธิภาพ ความเข้มของ PL โดยเคลือบทองแดงหรือชั้น Au ใน
ศรี (100) เวเฟอร์ใช้ไอสารเคมีสะสมโลหะอินทรีย์
(MOCVD)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โฟโตลูมิเนสเซนซ์ ( PL ) ที่ 1.55 เมตร จากμ
กึ่งตัวนำบีตา - fesi2 ได้ดึงดูดความสนใจเห็นได้ชัด
และได้ดึงดูดความสนใจมากในช่วงสิบปีเป็นหนึ่งในวัตถุดิบหลัก

ใช้ optoelectronic โปรแกรม [ 1 ] มันสามารถเติบโตบนพื้นผิว epitaxially ศรี
[ 2 ] เปล่งแสงไดโอดใช้บีตา - fesi2 ชั้นทำงานมีประสิทธิภาพเกี่ยวกับการ
01 % [ 3 ] มันชี้ให้เห็นว่าไม่ใช่การกระจายศูนย์

อุปกรณ์อื่นที่มีผลต่อประสิทธิภาพการปล่อยไฟ
ในการศึกษานี้เรารายงานการปรับปรุงในผลึกของ
บีตา - fesi2 ภาพยนตร์เช่นเดียวกับบีตา - fesi2 / ศรีอินเตอร์เฟซอื่น และเพิ่มความเข้ม โดยคุณ
เคลือบทองแดงหรือชั้นหรือบน
ศรี ( 100 ) เวเฟอร์ที่ใช้โลหะอินทรีย์ ( chemical vapor deposition
( mocvd )