We have demonstrated a low-temperat

We have demonstrated a low-temperature wafer-scale etching and thin film deposition method for fabricating silicon n−p core−shell nanowire solar cells. Our devices showed efficiencies up to nearly 0.5%, limited primarily by interfacial recombination and high series resistance. Surface passivation and contact optimization will be critical to improve device performance in the future.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราได้แสดงให้เห็นอุณหภูมิต่ำเวเฟอร์ขนาดแกะสลักและวิธีสะสมฟิล์มบางเพื่อ fabricating ซิลิคอน n−p core−shell nanowire เซลล์แสงอาทิตย์ อุปกรณ์ของเราแสดงให้เห็นประสิทธิภาพสูงสุดเกือบ 0.5% จำกัดเป็นหลัก โดย interfacial recombination และความต้านทานสูงชุด ทู่ผิวและเพิ่มประสิทธิภาพการติดต่อจะสำคัญในการปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ในอนาคต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราได้แสดงให้เห็นถึงการแกะสลักอุณหภูมิต่ำเวเฟอร์ขนาดและวิธีการสะสมฟิล์มบางซิลิคอนสำหรับการผลิต n-P หลักเปลือกเส้นลวดนาโนเซลล์แสงอาทิตย์ อุปกรณ์ของเราแสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพเกือบ 0.5% โดยส่วนใหญ่รวมตัวกันอีก interfacial และความต้านทานสูงชุด ฟิล์มพื้นผิวและการเพิ่มประสิทธิภาพการติดต่อจะมีความสำคัญในการปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ในอนาคต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราได้แสดงให้เห็นอุณหภูมิและเวเฟอร์ขนาดภาพแบบฟิล์มบางซิลิคอนการ fabricating n −− nanowire P แกนเปลือกเซลล์แสงอาทิตย์ อุปกรณ์ของเราแสดงประสิทธิภาพได้ถึงเกือบ 0.5% , จำกัด เป็นหลัก โดยการรวมตัวระหว่างชุดสูงและความต้านทาน ผิวรุ้ง และติดต่อเพิ่มประสิทธิภาพจะต้องปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ในอนาคต