For the achievement of atomically f

For the achievement of atomically flat LPE-grown surfaces the misorientation angle should be less than 0.05° (Chemov and Scheel, 1995), which requires a corresponding precision in the crystal-machining steps

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับความสำเร็จของพื้นผิวที่แบน atomically LPE โต มุม misorientation ควรจะน้อยกว่า 0.05° (Chemov และ Scheel, 1995), ซึ่งต้องมีความสอดคล้องกันในขั้นตอนการตัดเฉือนคริสตัล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับความสำเร็จของ LPE ปลูกแบนอะตอมพื้นผิวมุม misorientation ควรจะน้อยกว่า 0.05 ° (Chemov และ Scheel, 1995) ซึ่งจะต้องมีความแม่นยำที่สอดคล้องกันในขั้นตอนการตัดเฉือนคม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับผลสัมฤทธิ์ทางการเรียนของ atomically แบน lpe ปลูกพื้นผิว misorientation มุมควรจะน้อยกว่า 0.05 องศา ( chemov และ scheel , 1995 ) ซึ่งต้องใช้ความแม่นยำเครื่องจักร ขั้นตอนที่สอดคล้องกันในคริสตัล