3.2.4. Thermal analysisAs shown in

3.2.4. Thermal analysis
As shown in TGA curve (Fig. 8), there is a mass loss of 1.2% in the sample when the temperature increases from room temperature to 450 C; the mass loss at this stage is attributed to desorption of water and other species absorbed on the SiC surface. The percentage of mass is constant from 450 C to 850 C, but the SiC mass starts to increase at 850 C due to oxidation of SiC. There is about a 0.2% mass increase from 850 C to 1000 C,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.2.4 การการวิเคราะห์ระบายความร้อนแสดงในโค้ง TGA (Fig. 8), มีสูญเสียมวล 1.2% จากตัวอย่างเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิห้องถึง 450 C การสูญเสียโดยรวมในขั้นตอนนี้เป็นบันทึกการ desorption น้ำชนิดอื่น ๆ ดูดซึมบนพื้นผิวของ SiC เปอร์เซ็นต์ของมวลไม่คงที่จาก 450 C ถึง 850 C, SiC มวลเริ่มต้นเพิ่มจากออกซิเดชันของ SiC 850 C เรื่อง 0.2% โดยรวมเพิ่มขึ้นจาก 850 C ถึง 1000 C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2.4 การวิเคราะห์ความร้อน
(Fig. 8) ดังแสดงในโค้ง TGA, มีการสูญเสียมวล 1.2% ในกลุ่มตัวอย่างเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิห้องถึง 450 C; การสูญเสียมวลในขั้นตอนนี้มีสาเหตุมาจากการคายน้ำและดูดซึมได้สายพันธุ์อื่น ๆ บนพื้นผิวดังนี้ ร้อยละของมวลเป็นค่าคงที่จาก 450 C ถึง 850 C แต่มวลดังนี้เริ่มที่จะเพิ่มขึ้นใน 850 C เนื่องจากการเกิดออกซิเดชันของ SiC มีเป็นเรื่องเกี่ยวกับการเพิ่มขึ้นของมวล 0.2% จาก 850 C ถึง 1,000 องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2.4 .
การวิเคราะห์ความร้อนดังแสดงในกราฟีน ( รูปที่ 8 ) มีการสูญเสียมวลของ 1.2% ในตัวอย่างเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้นจากอุณหภูมิ 450 องศาเซลเซียส ; การสูญเสียมวลในขั้นตอนนี้จะเกิดจากการดูดซับน้ำและชนิดอื่น ๆบนพื้นผิวดูดซึม SIC . เปอร์เซ็นต์ของมวลคงที่จาก 450 C ถึง 850 องศาเซลเซียส แต่ SIC เริ่มมวลเพิ่มที่ 850 องศาเซลเซียส เนื่องจากปฏิกิริยาออกซิเดชันของ SiCมีประมาณ 0.2% มวลเพิ่มขึ้นจาก 850 C 1000 C