Density of the samples was determin

Density of the samples was determined by the
Archimedes method (ASTM C373). Polished and
plasma etched (70%CF4–30%O2) sintered SiC samples
were observed using scanning electron microscopy
(SEM; LEO 438-VP). X-ray diffraction (XRD) analysis
was used to determine the qualitative composition in
terms of crystalline phases of the sintered samples.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กำหนดความหนาแน่นของตัวอย่างโดยการอาร์คิมิดีวิธี (ASTM C373) ขัด และตัวอย่างของ SiC เผาพลาสลัก (70% O2 CF4 – 30%)ตรวจสอบโดยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนสแกน(SEM ลีโอ 438-VP) วิเคราะห์การเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ (XRD)ใช้ในการกำหนดองค์ประกอบคุณภาพในเงื่อนไขของขั้นตอนที่ผลึกของตัวอย่างที่เผา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความหนาแน่นของกลุ่มตัวอย่างที่ถูกกำหนดโดย
วิธี Archimedes (ASTM C373) ขัดและ
พลาสม่าแกะสลัก (70% CF4-30% O2) ตัวอย่าง SiC เผา
ถูกตั้งข้อสังเกตโดยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน
(SEM; LEO 438-VP) X-ray การเลี้ยวเบน (XRD) การวิเคราะห์
ถูกใช้ในการกำหนดองค์ประกอบคุณภาพใน
แง่ของขั้นตอนผลึกของสารตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความหนาแน่นของตัวอย่างที่ถูกกำหนดโดยอาร์คิมิดีส ( ASTM ) c373 ) ขัดและพลาสมาแกะสลัก ( 70% CF4 – 30 % O2 ) ผง SiC ตัวอย่างถูกตรวจสอบด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเลคตรอนแบบส่องกราด( SEM ; ลีโอ 438-vp ) เครื่อง X-ray diffraction ( XRD ) การวิเคราะห์ศึกษาองค์ประกอบเชิงคุณภาพเรื่องของเฟสของผงผลึกตัวอย่าง