2. Radiation damage studies on diff

2. Radiation damage studies on different bulk materials
Currently there are two planar pixel technologies under investigation. N-in-n is the technology currently used in the ATLAS Pixel Detector and based on a n-bulk silicon whereas the n-in-p technology uses p-bulk material. N+ doping is used for the pixel implants on one side of the sensor whereas a p+ doping builds the bias voltage contact on the other side.
Planar pixel samples from both technologies were irradiated with protons and neutrons and tested on the ATLAS FE-I3 and FE-I4 read-out chips. Expected fluences for IBL and HL-LHC are and , respectively. These fluences were reached by irradiation campaigns in Ljubljana , Karlsruhe and CERN .

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. การศึกษาความเสียหายรังสีบนวัสดุที่แตกต่างกันจำนวนมากขณะนี้มีสองระนาบเซลเทคโนโลยีตรวจสอบ N ใน n คือ เทคโนโลยีที่ใช้ในเครื่องตรวจจับ ATLAS พิกเซล และตามซิลิคอน n จำนวนมากขณะที่เทคโนโลยี n ใน p ใช้วัสดุที่เป็นกลุ่ม p N + ยาสลบใช้สำหรับรากพิกเซลบนด้านหนึ่งของเซนเซอร์ในขณะ p + ยาสลบสร้างติดต่อแรงดัน bias ในด้านอื่น ๆตัวอย่างเซลระนาบจากเทคโนโลยีทั้งสองถูก irradiated ด้วยโปรตอนและนิวตรอน และทดสอบบนชิ read-out ATLAS FE-I3 และ FE I4 จะคาดไว้ได้อีกด้วยสำหรับ IBL และลวิ HL และ ตามลำดับ เหล่านี้ได้อีกด้วยได้มาถึง โดยแคมเปญการฉายรังสีในลูบลิยานา คาร์ลส์รูเออ และ CERN

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. การศึกษาความเสียหายรังสีบนวัสดุที่เป็นกลุ่มที่แตกต่างกัน
ในปัจจุบันมีอยู่สองเทคโนโลยีระนาบพิกเซลภายใต้การสอบสวน N-ใน n เป็นเทคโนโลยีที่ใช้ในปัจจุบันพิกเซลตรวจจับ ATLAS และอยู่บนพื้นฐานของซิลิกอน N-จำนวนมากในขณะที่เทคโนโลยี N-ใน-P ใช้วัสดุ P-กลุ่ม N + ยาสลบถูกนำมาใช้สำหรับการปลูกถ่ายพิกเซลบนด้านหนึ่งของเซ็นเซอร์ในขณะที่ P + ยาสลบสร้างการติดต่อแรงดันไฟฟ้าอคติในด้านอื่น ๆ .
ภาพถ่ายตัวอย่างพิกเซลจากเทคโนโลยีทั้งสองได้รับการฉายรังสีโปรตอนและนิวตรอนและทดสอบบน ATLAS FE-I3 และ FE ชิป -I4 อ่านออก fluences ที่คาดว่าจะ IBL และ HL-LHC และตามลำดับ fluences เหล่านี้ถูกเข้าถึงได้โดยแคมเปญการฉายรังสีในลูบลิยานา, คาร์ลส์และเซิร์น