Yet another kind of Breakdown occur

Yet another kind of Breakdown occurs when the gate-to-source voltage exceeds about 50 V. This is the Breakdown of the gate oxide and results in permanent damage to the device. Although 50 V is high, it must be remembered that the MOSFET has a very high input impedance. And thus small amounts of static charge accumulating on the gate capacitor can cause this breakdown voltage to be exceeded.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ยัง แบ่งชนิดอื่นเกิดขึ้นเมื่อแรงดันไฟฟ้าประตูแหล่งเกินประมาณ 50 V นี้เป็นของออกไซด์ประตู และผลความเสียหายถาวรอุปกรณ์ แม้ว่า 50 V สูง มันต้องจำว่า มอสเฟตที่มีความต้านทานอินพุตที่สูงมาก และดังนั้น เงินค่าใช้จ่ายคงที่สะสมในตัวเก็บประจุประตูอาจทำให้เกิดแรงดันนี้แบ่งให้เกิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แต่ชนิดของรายละเอียดอื่นเกิดขึ้นเมื่อแรงดันประตูไปแหล่งที่มาเกินกว่าประมาณ 50 โวลต์นี้เป็นรายละเอียดของประตูออกไซด์และผลในความเสียหายถาวรไปยังอุปกรณ์ แม้ว่า 50 V สูงก็ต้องจำได้ว่า MOSFET มีข้อมูลสมรรถภาพสูงมาก และจำนวนเงินที่มีขนาดเล็กทำให้ค่าใช้จ่ายคงที่สะสมในตัวเก็บประจุประตูสามารถทำให้เกิดแรงดันไฟฟ้าเสียนี้จะได้รับเกิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อีกชนิดของความล้มเหลวเกิดขึ้นเมื่อประตูสู่แหล่งจ่ายแรงดันเกินประมาณ 50 V . นี้คือรายละเอียดของเกต ออกไซด์ และผลในความเสียหายถาวรไปยังอุปกรณ์ ถึงแม้ว่า 50 V สูง มันต้องจำว่ามอสเฟตมีอิมพีแดนซ์ข้อมูลสูงมาก และขนาดเล็กปริมาณไฟฟ้าสถิตที่สะสมในตัวเก็บประจุที่สามารถทำให้เสียประตูนี้แรงดันเกิน