MDD 220High PowerDiode ModulesIFRMS

MDD 220
High Power
Diode Modules
IFRMS = 2x 450 A
IFAVM = 2x 270 A
VRRM = 800-1600 V
3
312
2
VR S M VR R M Type
VV
1
900 800 MDD 220-08N1
1300 1200 MDD 220-12N1
1500 1400 MDD 220-14N1
1700 1600 MDD 220-16N1
Symbol Test Conditions
Maximum Ratings
Features
q Direct copper bonded Al2 O3 -ceramic
450 A
IFR M S TVJ = TVJ M
base plate
270 A
IFA V M TC = 100°C; 180° sine
q Planar passivated chips
IFS M TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine 8500 A
q Isolation voltage 3600 V~
VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 9000 A
TVJ = TVJ M t = 10 ms (50 Hz), sine 7500 A
VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 8000 A
q UL registered, E 72873
Applications
q Supplies for DC power equipment
òi2 dt TVJ = 45°C t = 10 ms (50 Hz), sine 360 000 A2 s
q DC supply for PWM inverter
VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 340 000 A2 s
TVJ = TVJ M t = 10 ms (50 Hz), sine 280 000 A2 s
VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 260 000 A2 s
q Field supply for DC motors
q Battery DC power supplies
Advantages
-40...+150 °C
TV J
q Space and weight savings
150 °C
q Simple mounting
TV J M
-40...+125 °C
q Improved temperature and power
Ts t g
3000 V~
cycling
VIS OL 50/60 Hz, RMS t = 1 min
q Reduced protection circuits
3600 V~
IIS OL £ 1 mA t = 1 s
2.5-5/22-44 Nm/lb.in.
Md Mounting torque (M5)
Terminal connection torque (M8) 12-15/106-132 Nm/lb.in.
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Weight Typical including screws
320 g
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
40 mA
IR R M TVJ = TV JM ; VR = VR RM
1.4 V
VF IF = 600 A; TV J = 25°C
0.75 V
VT0 For power-loss calculations only
0.9 mW
rT TVJ = TVJ M
0.129 K/W
Rt hJ C per diode; DC current
per module other values 0.065 K/W
Rt hJ K per diode; DC current see Fig. 6/7 0.169 K/W
per module
0.0845 K/W
QS TVJ = 125°C, IF = 400 A; -di/dt = 50 A/ms 760 mC
275 A
IR M
20 1 2
12.7 mm
dS Creepage distance on surface
9.6 mm
dA Strike distance through air
a Maximum allowable acceleration
50 m/s2
14
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
Threaded spacer for higher Anode/Cathode
construction: Type ZY 250, material brass
1 - 3
© 2000 IXYS All rights reserved
This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

MDD 220พลังงานสูงไดโอดIFRMS = 2 x 450 AIFAVM = 2 x 270 AVRRM = 800-1600 V 3 3122ประเภท M R VR ของ VR S MVV 1 900 800 MDD 220-08N11300 1200 MDD 220-12N11500 1400 MDD 220-14N11700 1600 MDD 220-16N1เงื่อนไขการทดสอบของสัญลักษณ์ การจัดอันดับสูงสุด สิ่งอำนวยความสะดวกทองแดงโดยตรง q เคลืบ Al2 O3-เซรามิก 450 AIFR M S TVJ = TVJ Mแผ่นฐาน 270 Aปรึกษาทางการเงิน V M TC = 100° C ไซน์ 180°q ระนาบ passivated chipsIFS M TVJ = 45° C t = 10 ms (50 Hz), A sine 8500q การแยกแรงดัน 3600 V ~VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), A sine 9000TVJ = TVJ M t = 10 ms (50 Hz), A sine 7500VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), A sine 8000ลงทะเบียน q UL, E 72873การใช้งานถามอุปกรณ์สำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้า DCòi2 dt TVJ = 45° C t = 10 ms (50 Hz), s sine 360 000 A2q DC อุปทานสำหรับ PWM อินเวอร์เตอร์VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), s sine 340 000 A2TVJ = TVJ M t = 10 ms (50 Hz), s sine 280 000 A2VR = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), s sine 260 000 A2q ฟิลด์จัดหาสำหรับมอเตอร์ DCq แบตเตอรี่ DC เพาเวอร์ซัพพลายข้อดี -40... + 150 ° Cทีวีเจq ประหยัดพื้นที่และน้ำหนัก 150 ° Cคิวติดตั้งง่ายทีวีเจม -40... + 125 ° CคิวปรับอุณหภูมิและพลังงานTs t g 3000 V ~ขี่จักรยานVIS OL 50/60 Hz, RMS t = 1 นาทีวงจรป้องกันลง q 3600 V ~OL IIS £ 1 mA t = 1 s Nm/lb.in 2.5-5/22-44ติดตั้ง Md แรงบิด (M5)การเชื่อมต่อขั้วบิด (M8) Nm/lb.in 12-15/106-132ขนาดในหน่วยมม. (1 มม. = 0.0394")น้ำหนักปกติเช่นสกรู 320 กรัมเงื่อนไขการทดสอบของสัญลักษณ์ ค่าลักษณะเฉพาะ 40 mAIR R M TVJ =เจเอ็มทีวี VR = VR RM 1.4 VVF ถ้า = 600 เป็น ทีวี J = 25° C 0.75 VVT0 สำหรับกระแสไฟฟ้าการคำนวณเท่านั้น 0.9 เมกะวัตต์rT TVJ = TVJ เมตร 0.129 K/WHJ Rt C ต่อไดโอด กระแสไฟฟ้า DCต่อโมดูล อื่น ๆ ค่า 0.065 K/WHJ Rt K ต่อไดโอด DC ปัจจุบันดูรูป 6 7 0.169 K/Wต่อโมดูล 0.0845 K/WQS TVJ = 125° C ถ้า = 400 เป็น -di/dt = 50 A / ms 760 mC 275 Aเมตร IR20 1 2 12.7 มม.dS Creepage ระยะทางบนพื้นผิว 9.6 mmระยะตีดาผ่านอากาศการเร่งที่อนุญาตสูงสุด 50 m/s214ข้อมูลตามมาตรฐาน IEC 60747 และอ้างอิงถึงไดโอดเดียวเว้นแต่ระบุเป็นอย่างอื่นIXYS ขอสงวนสิทธิ์ในการเปลี่ยนแปลงการจำกัด ทดสอบเงื่อนไขและมิติSpacer เกลียวสำหรับสูงขั้วบวก/แคโทดก่อสร้าง: พิมพ์ทานซี 250 วัสดุทองเหลือง 1 - 3© 2000 IXYS สงวนแผ่นข้อมูลนี้ได้รับการดาวน์โหลดจาก http://www.digchip.com ที่หน้านี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

MDD 220
พลังงานสูง
โมดูลไดโอด
IFRMS = 2x 450
IFAVM = 2x 270
VRRM = 800-1600 V
3
312
2
VR VR SM ประเภท RM
VV
1
900 800 MDD 220-08N1
1300 1200 MDD 220-12N1
1500 1400 MDD 220-14N1
1700 1600 MDD 220-16N1
เงื่อนไขสัญลักษณ์ทดสอบ
ความนิยมสูงสุด
คุณสมบัติ
Q ทองแดงโดยตรงผูกมัด Al2 O3 เซรามิค
450
IFR MS TVJ = TVJ M
แผ่นฐาน
270
IFA VM TC = 100 ° C; 180 °ไซน์
Q ภาพถ่ายชิป Passivated
ไอเอฟเอเอ็ม TVJ = 45 ° C; T = 10 มิลลิวินาที (50 Hz), ไซน์ 8500
Q แยกแรงดันไฟฟ้า 3600 V ~
VR = 0 t = 8.3 มิลลิวินาที (60 Hz), ไซน์ 9000
TVJ = TVJ M T = 10 มิลลิวินาที (50 Hz), ไซน์ 7500
VR = 0 t = 8.3 มิลลิวินาที (60 Hz), ไซน์ 8000
Q UL จดทะเบียน E 72873
การประยุกต์ใช้
วัสดุ Q สำหรับ DC อุปกรณ์ไฟฟ้า
òi2 DT TVJ = 45 ° C t = 10 มิลลิวินาที (50 Hz), ซายน์ 360 000 A2 s
Q DC วัสดุสิ้นเปลืองสำหรับ PWM อินเวอร์เตอร์
VR = 0 t = 8.3 มิลลิวินาที (60 Hz), ซายน์ 340 000 A2 s
TVJ = TVJ M T = 10 มิลลิวินาที (50 Hz), ซายน์ 280 000 A2 s
VR = 0 t = 8.3 มิลลิวินาที (60 Hz) ไซน์ 260 000 A2 s
อุปทาน Q สนามมอเตอร์กระแสตรง
Q แบตเตอรี่ DC เพาเวอร์ซัพพลาย
ข้อดี
-40 ... + 150 ° C
ทีวี J
Q อวกาศและการประหยัดน้ำหนัก
150 ° C
ติดตั้งง่าย Q
ทีวี JM
-40 ... + 125 ° C
Q ปรับปรุงอุณหภูมิและอำนาจ
Ts TG
3000 V ~
ขี่จักรยาน
VIS OL 50/60 เฮิร์ตซ์อาร์ t = 1 นาที
Q ลดวงจรป้องกัน
3600 V ~
IIS OL £ 1 mA T = 1 s
2.5-5 / 22-44 นิวตันเมตร / ปอนด์ .in.
Md แรงบิดในการติดตั้ง (M5)
แรงบิดเชื่อมต่อเทอร์มิ (M8) 12-15 / 106-132 นิวตันเมตร / lb.in.
ขนาดเป็นมิลลิเมตร (มม 1 = 0.0394 ")
น้ำหนักโดยทั่วไปรวมทั้งสกรู
320 กรัม
เงื่อนไขสัญลักษณ์ทดสอบ
ค่าคุณลักษณะ
40 mA
IR RM = TVJ ทีวี JM; VR VR = RM
1.4 V
VF if = 600; ทีวี J = 25 ° C
0.75 V
VT0 สำหรับการคำนวณพลังงานสูญเสียเพียง
0.9 mW
RT TVJ = TVJ M
0.129 K / W
Rt HJ ซีต่อไดโอด; กระแสตรง
ต่อค่าอื่น ๆ โมดูล 0.065 K / W
Rt Hj K ต่อไดโอด; กระแสตรงดูรูป 6/7 0.169 K / W
ต่อโมดูล
0.0845 K / W
QS TVJ = 125 ° C, if = 400; -DI / dt = 50 A / MS 760 MC
275
IR M
20 1 2
12.7 มิลลิเมตร
ระยะทาง dS ช่องว่างบนพื้นผิว
9.6 มม
dA Strike ระยะทางผ่านอากาศ
สูงสุดที่อนุญาตการเร่งความเร็ว
50 m / s2
14
ข้อมูลตามมาตรฐาน IEC 60747 และอ้างถึง . ไดโอดเดียวเว้นแต่จะระบุไว้
IXYS ขอสงวนสิทธิ์ในการเปลี่ยนแปลงข้อ จำกัด เงื่อนไขการทดสอบและขนาด
spacer เกลียวสูงขึ้นแอโนด / แคโทด
ก่อสร้าง: ประเภท ZY 250, วัสดุทองเหลือง
1-3
© 2000 IXYS สงวนลิขสิทธิ์
แผ่นข้อมูลนี้ได้รับการดาวน์โหลดได้จาก http: //www.digchip.com ที่หน้านี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เต็ม 220พลังสูงไดโอดโมดูลifrms = 2x 450ifavm = 2x แต่เป็นvrrm = 800-1600 V3 .3122VR S m VR r M ประเภทวีวี่1900 800 MDD 220-08n11300 1200 MDD 220-12n11500 1400 MDD 220-14n11700 1600 เต็ม 220-16n1ทดสอบเงื่อนไขสัญลักษณ์การจัดอันดับสูงสุดคุณสมบัติถามตรงทองแดงผูก al2 O3 - เซรามิค450IFR M S tvj = tvj ม.ฐานจานแต่เป็นไอ V M TC = 100 ° C ; 180 ° ไซน์ถามวิธีประกอบชิปถ้า M tvj = 45 ° C ; t = 10 ms ( 50 Hz ) , sine , เป็นQ , V ~ แยกแรงดันVR = 0 t = 8.3 ms ( 60 Hz ) , sine , เป็นtvj = tvj m t = 10 ms ( 50 Hz ) , sine , 500 เป็นVR = 0 t = 8.3 ms ( 60 Hz ) , 8 , 000 เป็นไซน์Q E 72873 UL จดทะเบียนการใช้งานQ วัสดุอุปกรณ์ไฟฟ้ากระแสตรงò I2 DT tvj = 45 °องศาเซลเซียส T = 10 ms ( 50 Hz ) , sine 360 000 A2 sQ DC อุปทานสำหรับ PWM อินเวอร์เตอร์VR = 0 t = 8.3 ms ( 60 Hz ) , sine 340 000 A2 stvj = tvj m t = 10 ms ( 50 Hz ) , sine 280 000 A2 sVR = 0 t = 8.3 ms ( 60 Hz ) , sine 260 000 A2 sQ ด้านอุปทานสำหรับมอเตอร์กระแสตรงQ แบตเตอรี่ไฟ DCข้อดี- 40 + 150 ° C . . . . . . .วี เจประหยัดพื้นที่และน้ำหนักต150 องศาซีถามง่ายติดตั้งเจเอ็มทีวี- 40 + 125 องศา C . . . . . . .ถามเพิ่มอุณหภูมิและพลังงานTS T กรัม3000 v ~จักรยานวิส ol 50 / 60 Hz ค่า t = 1 นาทีQ ลดวงจรป้องกัน3600 V ~IIS ol ได้รับ 1 Ma t = 1 วินาที2.5-5/22-44 nm / lb.in .การบิด ( M5 ) ประเทศสหรัฐอเมริกาแรงบิดการเชื่อมต่อเทอร์มินัล ( M8 ) 12 / 106-132 nm / lb.in .มิติในมิลลิเมตร ( 1 มิลลิเมตร = 0.0394 " )น้ำหนักปกติรวมทั้งสกรู320 กรัมทดสอบเงื่อนไขสัญลักษณ์ค่าคุณลักษณะมา 40และ R M tvj = ทีวี JM ; VR = VR RM1.4 Vถ้าเป็น VF = 600 = 25 ° C J ; โทรทัศน์0.75 Vvt0 สำหรับการคำนวณการสูญเสียพลังงานเท่านั้น0.9 เมกะวัตต์RT tvj = tvj ม.0.129 K / WRT Hj C ต่อไดโอด ; DC ปัจจุบันต่อโมดูล 0.065 K / W ค่าอื่น ๆRT hj k ต่อไดโอด ; DC ปัจจุบันดูรูปที่ 6 / 7 0.169 K / Wต่อโมดูล0.0845 K / WQS tvj = 125 ° C ถ้า = 400 ; - DI / dt = 50 / นางสาว 760 พิธีกรถ้าเป็นIR ม.20 1 212.7 มิลลิเมตรDS creepage ระยะทางบนพื้นผิว9.6 มม.ดา โจมตีระยะไกลผ่านอากาศอัตราสูงสุดที่อนุญาต50 เมตร / S214 .ข้อมูลอ้างอิงตามมาตรฐาน IEC และ 60747 ไดโอดเดียวเว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่นIXYS ขอสงวนสิทธิ์ในการเปลี่ยนแปลงเงื่อนไขการทดสอบและขนาดจำกัดเกลียว spacer สูงกว่าขั้วบวก / แคโทดก่อสร้าง : ลักษณะ zy 250 , วัสดุทองเหลือง1 - 3สงวนลิขสิทธิ์ 2000 IXYS สงวนสิทธิทั้งหมดแผ่นนี้ได้รับการดาวน์โหลดจาก http://www.digchip.com ที่หน้านี้