Some of the properties of the oxidi

Some of the properties of the oxidised layers, such
as composition or geometrical arrangement, seem to be strongly potential
dependent, due to e.g., certain order of crystallographic planes oxidation,
potential dependent adsorption of ions, and potential
distribution across the interfaces. Even if at Ep ≥ 200 mV stoichiometry

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บางส่วนของคุณสมบัติของการ oxidised ชั้น เช่นเป็นองค์ประกอบหรือการจัดเรียง geometrical ดูเหมือนจะเป็นไปได้อย่างยิ่งขึ้นอยู่กับ เนื่องจากบางอย่างสั่งเครื่องบิน crystallographic ออกซิเดชัน เช่นดูดซับขึ้นอยู่กับศักยภาพของประจุ และศักยภาพกระจายทั่วอินเตอร์เฟส ถึงแม้ว่าที่ Ep ≥ 200 mV stoichiometry

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บางส่วนของคุณสมบัติของชั้นเหลี่ยมที่ดังกล่าวเป็นองค์ประกอบหรือการจัดเรียงเรขาคณิตดูเหมือนจะมีศักยภาพอย่างมากขึ้นเนื่องจากการเช่นลำดับที่แน่นอนของการเกิดออกซิเดชันเครื่องบินcrystallographic, การดูดซับขึ้นอยู่กับศักยภาพของไอออนและศักยภาพในการจัดจำหน่ายทั่วอินเตอร์เฟซ แม้ว่าที่ Ep ≥ 200 mV ปริมาณสารสัมพันธ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณสมบัติบางอย่างของหมดชั้น เช่น
เป็นองค์ประกอบหรือการจัดเรียงเรขาคณิต , ดูเหมือนจะรุนแรงขึ้น เนื่องจากศักยภาพ
, เช่น คำสั่งบางอย่างของการออกซิเดชันทางเครื่องบิน , การดูดซับขึ้นอยู่กับศักยภาพของ

ไอออนและศักยภาพการในการเชื่อมต่อ . แม้ในตอนที่≥ 200 เพลง มวลสารสัมพันธ์