Alternatively, a metal-semiconducto

Alternatively, a metal-semiconductor junction (Schottky barrier) can be used but is less common. Since an avalanche photodiode is operate under a large reverse bias, it is critical to incorporate a guard ring at the perimeter of the junction to prevent surface breakdown mechanisms. Common material are Si,Ge and III-V compound semiconductors. The majority of commercial avalanche photodiodes are ,]made of Si.As discussed later, for minimum noise, a large difference in ionization coefficients for electron (αn )and hole (αp ) is critical. Silicon has a large αn/αp ratio of 50,while Ge and III-V compounds have ratios less than ~ 2. Despite higher noise, the latter material are used for longer wavelengths that require smaller energy gap.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หรือ เชื่อมต่อกับสารกึ่งตัวนำโลหะ (Schottky อุปสรรค) ใช้ แต่เป็นน้อยทั่วไป เนื่องจากมี photodiode หิมะถล่มจะดำเนินงานภายใต้ความโน้มเอียงกลับใหญ่ เป็นสำคัญรวมแหวนยามที่ขอบเขตของการเชื่อมต่อเพื่อป้องกันไม่ให้ผิวเสียกลไก วัสดุทั่วไปมี Si, Ge และ III V ผสมอิเล็กทรอนิกส์ ส่วนใหญ่ของหิมะถล่มค้า photodiodes ได้,] ของ Si.As ที่กล่าวถึงภายหลัง สำหรับเสียงรบกวนต่ำ ความแตกต่างใหญ่ใน ionization สัมประสิทธิ์สำหรับหลุม (αp) และอิเล็กตรอน (αn) เป็นสิ่งสำคัญ ซิลิคอนมีความอัตราส่วน αn/αp ขนาดใหญ่ 50 ในขณะที่สารประกอบ Ge และ III V มีอัตราส่วนน้อยกว่า ~ 2 แม้ มีเสียงสูง วัสดุหลังจะใช้สำหรับความยาวคลื่นยาวที่ต้องการช่องว่างพลังงานขนาดเล็ก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อีกทางเลือกหนึ่งทางแยกโลหะเซมิคอนดักเตอร์ (อุปสรรค Schottky) สามารถนำมาใช้ แต่เป็นเรื่องธรรมดาน้อย ตั้งแต่โฟโตไดโอดถล่มเป็นดำเนินงานภายใต้อคติขนาดใหญ่กลับเป็นสิ่งสำคัญที่จะรวมแหวนยามที่ขอบด้านนอกของทางแยกเพื่อป้องกันไม่ให้ผิวกลไกการสลาย วัสดุส่วนใหญ่จะเป็นศรีจีอีและ III-V สารประกอบเซมิคอนดักเตอร์ ส่วนใหญ่ของโฟโตไดโอดหิมะถล่มในเชิงพาณิชย์จะ] ทำจาก Si.As กล่าวถึงในภายหลังสำหรับเสียงขั้นต่ำแตกต่างกันมากในสัมประสิทธิ์ไอออนไนซ์สำหรับอิเล็กตรอน (αn) และหลุม (αp) เป็นสิ่งสำคัญ ซิลิกอนมีขนาดใหญ่αn / อัตราส่วนαp 50 ในขณะที่จีอีและสาร III-V มีอัตราส่วนน้อยกว่า ~ 2. แม้จะมีสัญญาณรบกวนที่สูงขึ้นหลังวัสดุที่ใช้สำหรับความยาวคลื่นอีกต่อไปที่ต้องมีช่องว่างพลังงานที่มีขนาดเล็ก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อีกวิธีหนึ่งคือ สารกึ่งตัวนำโลหะ ( กั้นแยกท์ ) สามารถใช้แต่พบน้อย เนื่องจากหิมะถล่มโฟโตไดโอดเป็นการใช้งานภายใต้อคติกลับขนาดใหญ่ มันเป็นสิ่งสำคัญที่จะรวมแหวนยามที่บริเวณทางแยกเพื่อป้องกันกลไกการแบ่งผิว โดยทั่วไปวัสดุที่เป็นศรี , GE และ iii-v Compound semiconductors ส่วนใหญ่ของ photodiodes หิมะถล่มในเชิงพาณิชย์เป็น] ทำให้ชี ที่กล่าวถึงต่อไป สำหรับเสียงรบกวนน้อยที่สุดความแตกต่างขนาดใหญ่ระหว่างสัมประสิทธิ์ไอออไนเซชัน ( α N ) และหลุม ( α P ) เป็นสำคัญ ซิลิคอนมีαขนาดใหญ่ n / p αอัตราส่วน 50 ในขณะที่ GE และสารประกอบ iii-v มีอัตราส่วนน้อยกว่า ~ 2 แม้เสียงสูงกว่าวัสดุหลังใช้นานความยาวคลื่นที่ใช้ช่องว่างพลังงานขนาดเล็ก