The band gap energy (Eg) (Table 1)

The band gap energy (Eg) (Table 1) calculations reveal a
substantial reduction in the band gap of Ce0.95MxPr0.05xO2
when compared to CeO2. Substitution of Mn4+/Si4+ into CeO2
lattice induces formation of intermediate energy levels in the
CeO2 semiconductor on either side of fermi level that cause a
change in the band gap. The formation of mixed oxide alters the
optical characteristics of the resultant material due to the
contribution of Mn3d and Si3p to the conduction band. In the
case of solid solution containing Mn4+/Si4+ and Ce4+ the
conduction band is formed by Ce4f and Mn3d/Si3p resulting in
the band gap widening (2.78/2.90 eV). As far as the effect of
counter ions is concerned, Si co-doped pigments give
practically the same spectra, with a blue shift in the absorption
edge resulting in bright reddish brown hue. A gradual shift of
CT band can be actually appreciated along with the increase in

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แถบช่องว่างพลังงาน (Eg) (ตาราง 1) เปิดเผยการคำนวณเป็นพบการลดลงในช่องว่างวงของ Ce0.95MxPr0.05xO2เมื่อเทียบกับ CeO2 ทดแทนของ Mn4 + /mts Si4 + เป็น CeO2โครงตาข่ายประกอบก่อให้เกิดการก่อตัวของระดับกลางในการสารกึ่งตัวนำ CeO2 ด้านใดด้านหนึ่งของระดับพลังงานแฟร์มีที่ทำการการเปลี่ยนแปลงในช่องว่างวง การก่อตัวของออกไซด์ผสมมีการเปลี่ยนแปลงลักษณะแสงของวัสดุผลแก่เนื่องในสัดส่วนของ Mn3d และ Si3p เพื่อวงการนำ ในกรณีของของแข็งประกอบด้วย Mn4 + /mts Si4 + และ Ce4 +วงดนตรีจึงมีรูปแบบ โดย Ce4f และ Mn3d/Si3p ในขยับขยายช่องว่างในวง (2.78/2.90 eV) เท่าที่ผลของนับกันเป็นห่วง ศรีร่วม doped สีให้จริงเดียวแรมสเป็คตรา กับกะสีน้ำเงินในการดูดซึมขอบในเว้น้ำตาลน้ำตาลสดใส การเปลี่ยนแปลงสมดุลของวง CT สามารถจริงนิยมพร้อมกับการเพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลังงานช่องว่างแถบ (เช่น) (ตารางที่ 1)
การคำนวณเปิดเผยลดลงมากในช่องว่างของวงCe0.95MxPr0.05xO2
เมื่อเทียบกับ CEO2 ทดแทน MN4 + / + Si4 เข้า CEO2
ตาข่ายก่อให้เกิดการก่อตัวของระดับพลังงานระดับกลางในเซมิคอนดักเตอร์ CEO2 ในด้านของระดับ Fermi อย่างใดอย่างหนึ่งที่ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในช่องว่างวง การก่อตัวของออกไซด์ผสมจะเปลี่ยนแปลงลักษณะแสงของวัสดุที่เป็นผลเนื่องมาจากการมีส่วนร่วมของMn3d และ Si3p วงการนำ ในกรณีของการแก้ปัญหาที่เป็นของแข็งที่มี MN4 + / + Si4 และ CE4 + การนำวงดนตรีจะเกิดขึ้นโดย Ce4f และ Mn3d / Si3p ส่งผลให้ช่องว่างวงขยับขยาย (2.78 / 2.90 eV) เท่าที่ผลของไอออนนับเป็นห่วงศรีเม็ดสีร่วมเจือให้จริงสเปกตรัมเดียวกันกับการเปลี่ยนแปลงสีฟ้าในการดูดซึมขอบผลในสีน้ำตาลสีแดงสดใส กะทีละน้อยของวง CT สามารถได้รับการชื่นชมจริงพร้อมกับการเพิ่มขึ้นของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ช่องว่างแถบพลังงาน ( EG ) ( ตารางที่ 1 ) การเปิดเผย
ลดลงอย่างมากในช่องว่างแถบของ ce0.95mxpr0.05xo2
เมื่อเทียบกับ CeO2 . การใช้ mn4 / si4 เข้าไปก่อให้เกิดการก่อตัวของ CeO2
ขัดแตะพลังงานระดับกลางใน
CeO2 สารกึ่งตัวนำทั้งสองข้างแฟร์ระดับที่ก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในช่องว่างแถบ
. การก่อตัวของออกไซด์ผสมที่ alters
ลักษณะทางแสงของวัสดุดังกล่าว เนื่องจากการมีส่วนร่วมของ mn3d si3p
และให้นำวงดนตรี . ใน
กรณีของแข็งที่มี mn4 / si4 และ ce4
นำวงดนตรีและรูปแบบโดย ce4f mn3d / si3p ส่งผล
วงช่องว่างขยับขยาย ( 2.78/2.90 EV ) เท่าที่ผลของ
เคาน์เตอร์ไอออนที่เกี่ยวข้อง , Si Co เจือสีให้
ในทางปฏิบัตินี้เหมือนกันมีสีฟ้ากะในการดูดซึม
ขอบส่งผลให้สดใสสีน้ำตาลแดงเข้ม . การเปลี่ยนแปลงอย่างค่อยเป็นค่อยไปของ
CT วงดนตรีสามารถจริง ๆชื่นชม พร้อมกับเพิ่ม