The method was based on simultaneou

The method was based on simultaneous film formation and Ga(III) cupferron complex preconcentration at -0.65V and its cathodic stripping during the potential scan the effect of Bi and cupferron concentration ,the influence of deposition potential and time and the scan rate on the determination of Ga(III) were studied a linear response in the concentration range of

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีตามก่อตัวพร้อมฟิล์ม และซับซ้อน preconcentration ที่ - 0.65V และ cathodic ของ ลอกระหว่างศักยภาพแกนผลของความเข้มข้นของ Bi และ cupferron อิทธิพลของสะสมศักยภาพและเวลา และมีอัตราการสแกนบนกำหนด Ga(III) Ga(III) cupferron ศึกษาการตอบสนองเชิงเส้นในช่วงความเข้มข้นของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วิธีการที่อยู่บนพื้นฐานของการก่อตัวพร้อมกันภาพยนตร์และจอร์เจีย (III) cupferron เข้มข้นซับซ้อน -0.65V และปอก cathodic ในช่วงที่มีศักยภาพสแกนผลของ Bi และความเข้มข้น cupferron อิทธิพลของศักยภาพการสะสมและเวลาและอัตราการสแกนในความมุ่งมั่นที่ ของจอร์เจีย (III) การศึกษาการตอบสนองเชิงเส้นในช่วงความเข้มข้นของ