The unattached C-dots are removed b

The unattached C-dots are removed by filtering with 100 mm meshes and repeated washing with DI water. The
prepared SiO2 supported C-dots (CD@SiO2 for short) is dried at 85 8C before use.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไม่ได้แนบ C จุดจะถูกเอาออก โดยการกรองด้วยตาข่าย 100 mm และซ้ำซักผ้ากับน้ำ DI การSiO2 เตรียมสนับสนุนจุด C (CD@SiO2 สั้น ๆ) ตากแห้งที่ 8C 85 ก่อนใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โสด C-จุดจะถูกลบออกโดยการกรองด้วยตาข่าย 100 มิลลิเมตรและซ้ำซักผ้าด้วยน้ำ DI
เตรียม SiO2 สนับสนุน C-จุด (CD @ SiO2 สั้น) จะแห้งที่ 85 8C ก่อนการใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ c-dots แนบจะถูกเอาออกโดยการกรองด้วย 100 มม. และล้างด้วยน้ำ DI เมนต์ซ้ำ . ที่เตรียมสนับสนุน c-dots SiO2 ( ซีดี @ SiO2 สำหรับสั้น ) เป็น 85 8C แห้งก่อนใช้งาน