5.3.1 Composition and effect of add

5.3.1 Composition and effect of additives
The semiconducting properties of ZnO were very well known [33] well before Matsuoka
et al. [34] investigated the non-linear voltage–current characteristic of ZnO
doped with alkali earth metal oxides. It was found that with appropriate amounts
(0.5 mol%) of additives having an ionic radius larger than that of Zn+2 (which would
not dissolve in the ZnO lattice and would thus form a segregation layer at the ZnO
grain boundary), the ceramic exhibits a high coefficient of non-linearity α on its V –I
characteristic. Furthermore, it was shown that the new material was exceptionally
superior compared with conventionally used SiC varistors [35]. The non-linearity
coefficient, α, of early ZnO varistors was in the range 25–50. In contrast, that of SiC
varistors was between 2 and 7 [36].
In 1971, Matsuoka [37] disclosed a large number of compositions which produce
useful ZnO varistors.Acoefficient α = 50 was obtained when 99.9 per cent pure ZnO
is doped with 1 mol% Sb2O3 and 0.5 mol% of Bi2O3, CoO, MnO and Cr2O3 [38–42].
Adding more dopants has allowed the fabrication of ZnO varistors with large grain
size and the reduction of the breakdown voltage of a single grain boundary [43–47].
Paraseodymium oxide rich composition, which does not contain any bismuth, was
used to manufacture ZnO varistors with a two-phase microstructure and improve its
electrical properties such as energy absorption capability, residual voltage and life
performance [48, 49].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

5.3.1 องค์ประกอบและผลกระทบของสารเติมแต่ง
คุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำของซิงค์ออกไซด์เป็นที่รู้จักกันเป็นอย่างดี [33] ก่อนที่จะมี Matsuoka
เอตอัล [34] การตรวจสอบลักษณะของแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันไม่เป็นเชิงเส้นของ ZnO
เจือด้วยดินด่างโลหะออกไซด์ พบว่ามีจำนวนที่เหมาะสม
(0.5% โมเลกุล) ของสารเติมแต่งที่มีรัศมีไอออนขนาดใหญ่กว่าของสังกะสี 2 (ซึ่งจะ
ไม่ละลายในตาข่าย ZnO และจึงจะเป็นชั้นที่แยก ZnO
ขอบเขตเม็ด), การจัดแสดงนิทรรศการเซรามิกสูงของค่าสัมประสิทธิ์αที่ไม่เป็นเชิงเส้นใน v-i
ลักษณะ นอกจากนี้มันก็แสดงให้เห็นว่าวัสดุใหม่เป็นพิเศษ
ดีกว่าเมื่อเทียบกับที่ใช้ตามอัตภาพวาริสเตอร์ sic [35] ที่ไม่เป็นเชิงเส้น-
ค่าสัมประสิทธิ์α,วาริสเตอร์ของ ZnO ต้นอยู่ในช่วง 25-50 ในทางตรงกันข้ามที่ sic
วาริสเตอร์ระหว่าง 2 และ 7 [36].
ในปี 1971, Matsuoka [37] เปิดเผยจำนวนมากขององค์ประกอบที่ผลิต
ประโยชน์α ZnO varistors.acoefficient = 50 เมื่อได้รับร้อยละ 99.9 ZnO บริสุทธิ์
ได้ยาที่มีโมเลกุล sb2o3 1% และ 0.5% ของโมเลกุล bi2o3, ขัน MNO และ Cr2O3 [38-42].
เพิ่ม dopants มากขึ้นได้รับอนุญาตให้ผลิตของ ZnO Varistors ด้วยเม็ด
ขนาดใหญ่และขนาดการลดลงของแรงดันไฟฟ้ารายละเอียดของขอบเขตเม็ดเดียว [43-47].
paraseodymium ออกไซด์องค์ประกอบอุดมไปด้วยซึ่งไม่ได้มีบิสมัทใดถูกใช้ในการ
วาริสเตอร์ผลิต ZnO ด้วยจุลภาคสองเฟสและปรับปรุงคุณสมบัติ
ไฟฟ้าเช่นความสามารถในการดูดซึมพลังงานแรงดันไฟฟ้าที่เหลือและชีวิต
ประสิทธิภาพ [48, 49]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

5.3.1 องค์ประกอบและผลของสาร
คุณสมบัติตัวของ ZnO ได้ดีรู้จักกัน [33] ดีก่อน Matsuoka
et al. [34] ตรวจสอบ voltage–current ไม่ใช่เชิงเส้นลักษณะของ ZnO
doped ด้วยออกไซด์โลหะดินด่าง พบว่า มีเหมาะสมที่ยอด
(0.5 mol%) ของสารที่มีรัศมีเป็น ionic มากกว่าที่ Zn 2 (ซึ่งจะ
ไม่ละลายในโครงตาข่ายประกอบ ZnO และจึงจะฟอร์มชั้นแบ่งแยกใน ZnO
ข้าวขอบ), เซรามิกจัดแสดงสัมประสิทธิ์สูงของαไม่แบบดอกไม้ใน –I ของ V
ลักษณะ นอกจากนี้ มันถูกแสดงว่า วัสดุใหม่เป็นพิเศษ
ห้องเทียบกับดีใช้ varistors SiC [35] ที่ไม่ใช่แบบดอกไม้
สัมประสิทธิ์ α ของ ZnO เริ่มต้น varistors ถูกใน 25–50 ช่วง ในทางตรงข้าม ที่ SiC
varistors ที่ระหว่าง 2 และ 7 [36] .
ในปี 1971, Matsuoka [37] เปิดเผยองค์ซึ่งผลิตเป็นจำนวนมาก
varistors ZnO เป็นประโยชน์Acoefficient α = 50 กล่าวเมื่อ ZnO บริสุทธิ์ร้อยละ 99.9
doped 1 โมล% Sb2O3 และ 0.5 โมล% ของ Bi2O3 บิลล์ MnO Cr2O3 [38–42] .
เพิ่มเติม dopants ได้รับอนุญาตผลิตของ ZnO varistors กับเมล็ดขนาดใหญ่
ขนาดและการลดลงของแรงดันไฟฟ้าชำรุดของเส้นขอบเขตเมล็ดเดียว [43–47] .
Paraseodymium ออกไซด์รวยประกอบ ประกอบด้วยบิสมัทใด ๆ ถูก
ใช้ผลิต varistors ZnO มีต่อโครงสร้างจุลภาค two-phase และปรับปรุงของ
คุณสมบัติทางไฟฟ้าเช่นความสามารถในการดูดซึมพลังงาน แรงดันไฟฟ้าส่วนที่เหลือและชีวิต
ประสิทธิภาพ [48, 49]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

5.3.1 คุณสมบัติมีผลของสารเติมแต่ง
semiconducting และส่วนประกอบของ zno เป็นอย่างมากรวมทั้งเป็นที่รู้จัก[ 33 ]เป็นอย่างดีก่อน matsuoka
et al . [ 34 ]การสอบสวนและมีลักษณะเป็นระดับแรงดันไฟฟ้าแบบปัจจุบันแบบ non - linear ของ doped zno
ซึ่งจะช่วยด้วยๆโลหะดินกระปรี้กระเปร่า จะพบว่ามีจำนวนที่เหมาะสม
( 0.5 Website : www . mol %)ของสารเติมแต่งมีรัศมีฟังก์ชั่น Ionic ที่มีขนาดใหญ่กว่า zn 2 (ที่จะตอบแทน
ไม่ละลายในลูกกรง zno และจะมีการแบ่งแยกเป็นชั้นที่เขต
ซึ่งจะช่วยทำให้ข้าว zno )นิทรรศการเซรามิกที่ตัวเลขสูงไม่มีความต่อเนื่องเป็นแนวนอน,กล้องที่มีลักษณะเป็น V - I
ซึ่งจะช่วยได้. ยิ่งไปกว่านั้นยังเป็นที่แสดงให้เห็นว่าวัสดุใหม่ได้อย่างดีเยี่ยม
เมื่อเทียบกับระดับ Superior First Class พร้อมด้วยโดยธรรมเนียมปฏิบัติเช่นนั้นใช้ตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide [ 35 ] ไม่มีความต่อเนื่องเป็นแนวนอน,
ตัวเลขที่กล้องของตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide zno ช่วงต้นอยู่ในช่วงที่ 25-50 ในความเปรียบต่าง,ที่ของเช่นนั้น
ตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide อยู่ระหว่าง 2 และ 7 [ 36 ].
ในปี 1971 , matsuoka [ 37 ]เปิดเผยจำนวนมากของส่วนประกอบที่ผลิต
มีประโยชน์ zno ตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide . acoefficient กล้อง= 50 ได้เมื่อ 99.9% บริสุทธิ์ zno
มี doped พร้อมด้วย 1 Website : www . mol % SB 2 O 3 และ 0.5% ของ Website : www . mol BI 2 o3 ,คลอเคลีย, mno และ CR 2 O 3 [ 38 - 42 ].
การเพิ่มมากขึ้น dopants ได้อนุญาตให้ที่เสกสรรปั้นแต่งของ zno ตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide พร้อมด้วยขนาดใหญ่มีขนาดเมล็ดธัญพืช
ซึ่งจะช่วยและการลดลงของแรงดันไฟที่สลายตัวเดียวของธัญพืชเขต[ 43 - 47 ].
paraseodymium ออกไซด์ที่หลากหลายส่วนประกอบที่ไม่มีที่ Bismuth ,เป็น
ซึ่งจะช่วยนำไปใช้ในการผลิตตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide zno ด้วยสองเฟส microstructure และช่วยให้ระบบไฟฟ้า
คุณสมบัติเช่นพลังงานช่วยดูดซับความสามารถในการทำงานแรงดันไฟฟ้าตกค้างและชีวิต
ซึ่งจะช่วยเพิ่ม ประสิทธิภาพ [ 4849 ]