improving the mixing with PC and mi

improving the mixing with PC and minimizing its domain sizes within the composites. It is of interest to point out that only a glass transition was identified for these composites with 2, 4, and 6 wt.% DOPO-POSS compositions; moreover, a monotonic decrease in Tg was observed with the level of filler added (Fig. 1, Table 1). One reason of the phenomenon of Tg of DOPO-POSS/PC composites being lower than that of PC may be attributed to the increased free volume of the PC-rich phase, in which some DOPO-POSS molecules gain access to the void space of the PC structure [20,21]. Another reason may be that the DOPO-POSS was molten-state which could be expected to dissolve in PC matrix upon heating, thereby reduce Tg of the PC composites.
The DOPO-POSS/PC composites were also evaluated by dynamic mechanical analysis. The plots of storage modulus E’ and loss factor tan d (Figs. 2 and 3) display only one a relaxation process corre- sponding to the glass transitions of the composites with different DOPO-POSS loadings, which is further evidence that the DOPO-POSS additive may dispersed with nano-scale in PC matrix. The DMA glass transition temperatures (Tg) are listed in Table 1, which show the same trend as the DSC results. The storage modulus values (Table 1 and Fig. 2) before the glass transition increase with increasing amount of DOPO-POSS, suggesting that the DOPO-POSS addition has a certain reinforcing effect on the dynamic modulus. It has been reported that some POSS (trisilanolphenyl-POSS and trisilanoli- sooctyl-POSS) have similar enhancing effects on the dynamic modulus of PC or PET [19,22]. However, the storage modulus values (E0) of DOPO-POSS/PC composites above the glass transition diminish with increasing amount of DOPO-POSS. These phenomena may be attributed to that DOPO-POSS has a lower Tg (106.6 C) than PC and its partially dissolving in PC matrix upon heating.
In addition, the heat distortion temperature (HDT) of PC compos- ites show a decreasing trend from the 136.3 C of the PC to 133.0 C, 131.1  C, and 128.5  C of 2, 4, and 6 wt.% DOPO-POSS content. It should

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปรับปรุงการผสมกับพีซีและลดขนาดของโดเมนภายในการคอมโพสิต จึงน่าสนใจที่จะชี้ว่า เฉพาะเปลี่ยนแก้วระบุสำหรับคอมโพสิตเหล่านี้ ด้วย 2, 4 และ 6 wt.% DOPO POSS องค์ นอกจากนี้ ลดลง monotonic Tg ถูกตรวจสอบกับระดับของฟิลเลอร์เพิ่ม (Fig. 1 ตารางที่ 1) เหตุผลหนึ่งของปรากฏการณ์ของคอมโพสิต Tg ของ DOPO POSS/PC ต่ำกว่าของ PC อาจเกิดจากปริมาณฟรีเพิ่มระยะ PC-ริช ซึ่งบางโมเลกุล DOPO POSS เข้าพื้นที่ยกเลิกโครงสร้าง PC [20,21] เหตุผลอื่นอาจจะว่า DOPO POSS ถูกหลอมละลายสถานะซึ่งสามารถคาดว่าจะละลายในเมตริกซ์ PC เมื่อร้อน จึงช่วยลด Tg ของคอมโพสิต PCคอมโพสิต DOPO-POSS/PC ได้ยังประเมิน โดยการวิเคราะห์เครื่องจักรกลแบบไดนามิก ผืนเก็บโมดูลัส E' และ d ขาดทุนปัจจัย tan (Figs. 2 และ 3) แสดงเพียงหนึ่งการพักผ่อนการคอร์-sponding เปลี่ยนกระจกของคอมโพสิตกับอื่น DOPO POSS loadings ซึ่งเป็นหลักฐานเพิ่มเติมที่อาจกระจายการบวก DOPO POSS กับนาโนสเกลในเมตริกซ์ PC อุณหภูมิการเปลี่ยนแก้ว DMA (Tg) จะแสดงรายการในตารางที่ 1 ที่แสดงแนวโน้มเดียวกันกับ DSC เก็บโมดูลัสค่า (ตารางที่ 1 และ Fig. 2) ก่อนเปลี่ยนกระจกเพิ่มกับเพิ่มจำนวน DOPO-POSS แนะนำที่ นี้ DOPO POSS มีบางเสริมผลบนโมดูลัสแบบไดนามิก มีรายงานว่า บาง POSS (trisilanolphenyl POSS และ trisilanoli-sooctyl-POSS) มีลักษณะคล้ายสร้างในโมดูลัสแบบไดนามิกของพีซีหรือ PET [19,22] อย่างไรก็ตาม ค่าโมดูลัสเก็บ (E0) ของคอมโพสิต DOPO-POSS/PC เหนือเปลี่ยนแก้วเทากับเพิ่มจำนวน DOPO-POSS. ปรากฏการณ์เหล่านี้อาจเกิดจากว่า DOPO POSS มี Tg ที่ต่ำกว่า (106.6 C) กว่า PC และของบางส่วนยุบในเมตริกซ์ PC เมื่อความร้อนนอกจากนี้ อุณหภูมิความผิดเพี้ยนของความร้อน (HDT) ของ PC compos ites แสดงแนวโน้มลดลงจาก C 136.3 เครื่องพีซี 133.0 C, 131.1 C และ C 128.5 2, 4 และ 6 wt.% DOPO POSS เนื้อหานั้น ควร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การปรับปรุงการผสมกับเครื่องคอมพิวเตอร์และลดขนาดโดเมนภายในคอมโพสิต มันเป็นที่น่าสนใจจะชี้ให้เห็นว่ามีเพียงการเปลี่ยนแก้วถูกระบุสำหรับคอมโพสิตเหล่านี้กับ 2, 4, และ 6% โดยน้ำหนักองค์ประกอบ Dopo-POSS. นอกจากนี้ยังลดลงต่อเนื่องใน Tg เป็นข้อสังเกตที่มีระดับของสารตัวเติมเพิ่ม (รูป. 1 ตารางที่ 1) เหตุผลหนึ่งของปรากฏการณ์ของ Tg ของ Dopo-POSS / คอมโพสิตพีซีเป็นต่ำกว่าของเครื่องคอมพิวเตอร์อาจจะประกอบกับปริมาณฟรีที่เพิ่มขึ้นของเครื่องคอมพิวเตอร์ขั้นตอนที่อุดมไปด้วยซึ่งในบาง Dopo-POSS โมเลกุลเข้าถึงไปยังพื้นที่เป็นโมฆะของ โครงสร้างเครื่องคอมพิวเตอร์ [20,21] อีกเหตุผลหนึ่งอาจเป็นได้ว่า Dopo-POSS เป็นหลอมเหลวรัฐซึ่งอาจจะคาดว่าจะละลายในเครื่องคอมพิวเตอร์ของเมทริกซ์โดยความร้อนแล้วจึงลด Tg ของคอมโพสิตพีซี.
Dopo-POSS / คอมโพสิต PC นอกจากนี้ยังได้รับการประเมินโดยการวิเคราะห์ทางกลแบบไดนามิก แปลงโมดูลัสจัดเก็บ E 'และปัจจัยการสูญเสียน้ำตาลง (มะเดื่อ. 2 และ 3) การแสดงผลเพียงหนึ่งกำหนดการกระบวนการผ่อนคลายเพื่อเปลี่ยนแก้วคอมโพสิตที่มีแรง Dopo-POSS แตกต่างกันซึ่งเป็นหลักฐานเพิ่มเติมที่ DOPO- สารเติมแต่ง POSS อาจแยกย้ายกันกับระดับนาโนในเมทริกซ์พีซี แก้ว DMA อุณหภูมิการเปลี่ยนแปลง (TG) มีการระบุไว้ในตารางที่ 1 ซึ่งแสดงให้เห็นแนวโน้มเดียวกับผล DSC ค่ามอดูลัส (ตารางที่ 1 และรูปที่. 2) ก่อนที่จะเพิ่มขึ้นเปลี่ยนกระจกที่มีจำนวนที่เพิ่มขึ้นของ Dopo-POSS บอกว่านอกจาก Dopo-POSS มีผลเสริมบางอย่างในโมดูลัสแบบไดนามิก มันได้รับรายงานว่าบาง POSS (trisilanolphenyl-POSS และ trisilanoli- sooctyl-POSS) มีผลเสริมสร้างคล้ายกันในโมดูลัสแบบไดนามิกของเครื่องคอมพิวเตอร์หรือ PET [19,22] อย่างไรก็ตามค่าโมดูลัสจัดเก็บ (E0) ของ Dopo-POSS / คอมโพสิตด้านบนเครื่องคอมพิวเตอร์เปลี่ยนกระจกลดลงตามจำนวนเงินที่เพิ่มขึ้นของ Dopo-POSS ปรากฏการณ์เหล่านี้อาจนำมาประกอบกับที่ Dopo-POSS มี Tg ต่ำ (106.6 องศาเซลเซียส) กว่าเครื่องคอมพิวเตอร์และบางส่วนของมันละลายในเครื่องคอมพิวเตอร์ของเมทริกซ์ความร้อน.
นอกจากนี้อุณหภูมิความร้อนบิดเบือน (HDT) ของเครื่องคอมพิวเตอร์ compos- Ites แสดงแนวโน้มลดลง จาก 136.3 องศาเซลเซียสจากเครื่องคอมพิวเตอร์ไปยัง 133.0 องศาเซลเซียส, 131.1? C และ 128.5? ซี 2, 4, 6 และน้ำหนัก.% เนื้อหา Dopo-POSS มันควรจะเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การปรับปรุงการผสมกับ PC และลดขนาดของโดเมนในคอมโพสิต มันน่าสนใจที่ชี้ให้เห็นว่าเพียงคล้ายแก้วถูกระบุสำหรับคอมโพสิตเหล่านี้กับ 2 , 4 และ 6 โดยน้ำหนัก dopo-poss องค์ประกอบ นอกจากนี้ลดลงเนื่องใน TG ) กับระดับของฟิลเลอร์เพิ่ม ( รูปที่ 1 ตารางที่ 1 )หนึ่งในเหตุผลของปรากฏการณ์ของ TG ของ dopo-poss / PC คอมโพสิตถูกต่ำกว่าที่ของเครื่องคอมพิวเตอร์ อาจจะเกิดจากการเพิ่มขึ้นของปริมาณ PC ฟรีรวย เฟส ซึ่งในบางโมเลกุล dopo-poss เข้าช่องว่างของโครงสร้าง 20,21 [ PC ] อีกเหตุผลหนึ่งอาจเป็นได้ว่า dopo-poss คือสถานะหลอมเหลวซึ่งอาจจะคาดเพื่อละลายในเมทริกซ์บนพีซีเครื่องจึงลด TG ของพีซี คอมโพสิต dopo-poss
/ PC คอมยังประเมินโดยการวิเคราะห์เชิงกลแบบไดนามิก แปลงของ storage modulus E ' และการสูญเสียองค์ประกอบแทน D ( Figs 2 และ 3 ) แสดงเพียงหนึ่งกระบวนการการผ่อนคลาย Corre - sponding กับกระจกเปลี่ยนของคอมกับภาระ dopo-poss แตกต่างกันซึ่งมีหลักฐานเพิ่มเติมว่า dopo-poss เสริมอาจจะกระจายกับนาโนสเกลใน PC เมทริกซ์ DMA อุณหภูมิคล้ายแก้ว ( Tg ) มีการระบุไว้ในตารางที่ 1 ซึ่งแสดงแนวโน้มเดียวกัน เช่น DSC ผลลัพธ์ การจัดเก็บค่าโมดูลัส ( ตารางที่ 1 และรูปที่ 2 ) ก่อนที่กระจกจะเปลี่ยนปริมาณของ dopo-poss เพิ่มขึ้น ,แนะนำว่า dopo-poss นอกจากนี้มีบางอย่างที่มีผลกระทบต่อค่าโมดูลัสแบบไดนามิก มันได้รับรายงานว่าบางรูปแบบ ( รูปแบบและ trisilanolphenyl trisilanoli - sooctyl poss ) การเพิ่มผลกระทบต่อค่าโมดูลัสแบบไดนามิกของเครื่องคอมพิวเตอร์หรือสัตว์เลี้ยง [ 19,22 ] อย่างไรก็ตามการจัดเก็บค่าโมดูลัส ( E0 ) ของ dopo-poss / PC คอมข้างบนคล้ายแก้วลดกับเพิ่มปริมาณ dopo-poss . ปรากฏการณ์เหล่านี้ อาจจะเกิดจากที่ dopo-poss มี TG ลดลง ( 106.6  C ) มากกว่าเครื่องคอมพิวเตอร์และบางส่วนละลายในเมทริกซ์บนเครื่อง PC .
นอกจากนี้ อุณหภูมิความร้อนบิดเบือน ( hdt ) ของเครื่องคอมพิวเตอร์ compos - มันแสดงแนวโน้มลดลงจาก 136 .3  C ของ คอมพิวเตอร์ เมื่อ  C 131.1  C และ 128.5  C 2 , 4 และ 6 โดยน้ำหนัก dopo-poss เนื้อหา มันควรจะ