After wafer cleaning, 100 nm thick

After wafer cleaning, 100 nm thick SiO layer is grown on the wafers using thermal oxidation method at 1000 C

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจากทำความสะอาดแผ่นเวเฟอร์ 100 nm หนา SiO ชั้นเติบโตบนรับใช้วิธีความร้อนออกซิเดชันที่ 1000 C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากทำความสะอาดแผ่นเวเฟอร์ขนาด 100 นาโนเมตรหนา SiO ปลูกในช็อคโกแลตโดยใช้วิธีการออกซิเดชั่ความร้อนที่ 1000 C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจากทำความสะอาดเวเฟอร์ 100 nm หนาเป็นชั้น ที่ปลูกบนเวเฟอร์ด้วยวิธีออกซิเดชันความร้อน 1 , 000 องศาเซลเซียส