Magnetic oxide thin films can be pr

Magnetic oxide thin films can be prepared by physical or chemical methods. In physical deposition methods, a source of material is separated by a distance d from the substrate, which is often heated in the range 400–1000 ◦C to facilitate growth. Some variants are indicated in Figure 1.5. At low pressure, the atomic species from the source arrive at the substrate without collision, but at higher pressure, they are thermalized by collision with the gas atoms in the chamber. At room temperature, λ=6/P, where λ is the mean free path of the atom in millimeters
and P is the pressure in pascals. Oxide thin films are used as tunnel barriers, and as functional elements in thin film stacks (ferromagnetic, antiferromagnetic, ferroelectric oxides). The methods are now described in more detail. In situ measurement of the thicknesses of the thin films may be achieved using optical reflectometry or a quartz crystal monitor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางเหล็กออกไซด์สามารถเตรียมได้ โดยวิธีทางกายภาพ หรือทางเคมี วิธีการสะสมทางกายภาพ แหล่งที่มาของวัสดุคั่น ด้วย d ระยะห่างจากพื้นผิว ซึ่งมักจะร้อนใน ◦C 400-1000 ในช่วงการเจริญเติบโต ตัวแปรบางอย่างจะแสดงในรูปที่ 1.5 ที่ความดันต่ำ ชนิดอะตอมจากแหล่งมาถึงพื้นผิวโดยไม่ชนกัน แต่ที่ความดันสูง พวกเขากำลัง thermalized โดยชนกับอะตอมของก๊าซในห้อง ที่อุณหภูมิห้อง λ = 6/P λอยู่เส้นทางฟรีเฉลี่ยของอะตอมในหน่วยมิลลิเมตรและ P คือ ความดันใน pascals ออกไซด์ฟิล์มบางจะใช้อุปสรรคอุโมงค์ และ เป็นองค์ประกอบที่ทำงานในกองฟิล์มบาง (แบบ antiferromagnetic, ferroelectric ออกไซด์) วิธีการนี้ไว้ในรายละเอียดเพิ่มเติม การวัดความหนาของฟิล์มบางในรูปทรงอาจทำได้โดยใช้แสง reflectometry หรือจอภาพผลึก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางแม่เหล็กออกไซด์สามารถเตรียมได้โดยวิธีทางกายภาพหรือทางเคมี ในวิธีการของพยานทางกายภาพแหล่งที่มาของวัสดุที่แยกจากกันโดยระยะทาง D จากพื้นผิวซึ่งมักจะมีความร้อนอยู่ในช่วง 400-1000 ◦Cเพื่ออำนวยความสะดวกการเจริญเติบโต บางสายพันธุ์จะมีการแสดงในรูปที่ 1.5 ที่ความดันต่ำชนิดอะตอมจากแหล่งที่มาถึงพื้นผิวโดยไม่ต้องปะทะกัน แต่ที่ความดันสูงกว่าที่พวกเขาจะ thermalized โดยชนกับอะตอมของก๊าซในห้อง ที่อุณหภูมิห้องλ = 6 / P ที่λเป็นอิสระหมายความว่าเส้นทางของอะตอมในมิลลิเมตร
และ P คือความดันใน pascals ฟิล์มบางออกไซด์จะถูกใช้เป็นอุปสรรคอุโมงค์และองค์ประกอบการทำงานในกองฟิล์มบาง (ferromagnetic, antiferromagnetic ออกไซด์ ferroelectric) วิธีการที่จะมีการอธิบายในขณะนี้ในรายละเอียดเพิ่มเติม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางออกไซด์แม่เหล็กสามารถเตรียมได้โดยวิธีทางกายภาพหรือทางเคมี . ในวิธีการทางกายภาพ แหล่งที่มาของวัสดุที่แยกจากกันโดยระยะทางจากพื้นผิว ซึ่งมักเป็นร้อนในช่วง 400 - 1000 ◦ C เพื่ออำนวยความสะดวกในการเจริญเติบโต บางพันธุ์จะแสดงในรูปที่ 1.5 ที่ความดันต่ำ ชนิดของอะตอมจากแหล่งมาถึงพื้นผิว โดยไม่มีการปะทะกัน แต่ที่ความดันที่สูงขึ้น พวกเขาจะ thermalized ด้วยการปะทะกับอะตอมของแก๊สในห้อง ที่อุณหภูมิห้อง λ = 6 / P ที่λคือหมายถึงอิสระจากอะตอมในมิลลิเมตรและ P คือความดันในปาสคาล . ฟิล์มบางออกไซด์จะใช้เป็นอุปสรรค อุโมงค์ และเป็นองค์ประกอบการทำงานในกองฟิล์มบาง ( ferromagnetic antiferromagnetic , เฟอร์โรอิเล็กทริก , ออกไซด์ ) วิธีการจะอธิบายในรายละเอียดเพิ่มเติม การวัดความหนาของฟิล์มของฟิล์มบางได้โดยใช้ reflectometry แสงคริสตัลควอตซ์หรือจอภาพ