The EQE losses in the top cell from

The EQE losses in the top cell from 350 nm to 550 nm were attributed to an increased reflection due to a smoother ZnO/a-Si:H interface as confirmed by reflection measurements on the entire cell shown in Fig. 11.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขาดทุน EQE ในเซลล์ด้านบนจาก 350 nm ไป 550 nm ถูกบันทึกเป็น reflection เพิ่มขึ้นจาก ZnO เรียบ/เป็น-ติดต่อ Si:H เป็น confirmed โดยวัด reflection เซลล์ทั้งหมดที่แสดงใน Fig. 11

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความเสียหายที่เกิด EQE ในมือถือชั้นนำจาก 350 นาโนเมตรถึง 550 นาโนเมตรได้รับมาประกอบกับการเพิ่มขึ้นอีกชั้น ection เนื่องจากเรียบ ZnO / a-Si: H อินเตอร์เฟซที่เป็นนักโทษสาย rmed โดยการวัด ection ชั้นในเซลล์ทั้งหมดที่แสดงในรูป 11

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ eqe ขาดทุนในเซลล์ด้านบนจาก 350 nm 550 nm ) เกิดจากการเพิ่มอีกfl ection เนื่องจากเรียบ ZnO / อะมอร์ฟัสซิลิคอน H อินเตอร์เฟซเป็นคอน จึง rmed โดย Re fl ection การวัดในเซลล์ทั้งหมด แสดงในรูปที่ 11