Microstructure characterization usi

Microstructure characterization using x-ray diffraction and scanning electron microscopy disclosed that the post-annealing treatment entailed a drastic microstructural evolution by inducing the development of a strong texture of grains with their c-axis oriented normal to the substrate. In addition, we measured the electrical transport and thermoelectric properties of the films to reveal their close link with the microstructure changes. The electron mobility and Seebeck coefficient increase significantly, leading to a remarkable improvement in the power factor from 3.3 w/K cm for the as-deposited sample to 24.1 HwIK2 cm for the 200 ac annealed sample.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จำแนกต่อโครงสร้างจุลภาคโดยใช้การเลี้ยวเบนเอกซเรย์ และสแกน microscopy อิเล็กตรอนเปิดเผยว่า การรักษาหลังหลอม entailed วิวัฒนาการ microstructural ความรุนแรง โดย inducing พัฒนาของพื้นผิวที่แข็งแกร่งของธัญพืชด้วยของแกน c วางกับพื้นผิว นอกจากนี้ เราวัดการขนส่งไฟฟ้าและคุณสมบัติแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ของภาพยนตร์ให้เหมาะกับการเชื่อมโยงปิด ด้วยการเปลี่ยนแปลงต่อโครงสร้างจุลภาค อิเล็กตรอนเคลื่อนและสัมประสิทธิ์ Seebeck เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ นำไปสู่การปรับปรุงที่โดดเด่นในตัวพลังงานจาก 3.3 ซม w/K สำหรับฝากเป็นตัวอย่าง 24.1 HwIK2 ซม.สำหรับตัวอย่าง annealed ac 200

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลักษณะจุลภาคโดยใช้การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์และการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนเปิดเผยว่าการรักษาหลังการอบอ่อนยกวิวัฒนาการจุลภาครุนแรงโดยการกระตุ้นให้เกิดการพัฒนาของพื้นผิวที่แข็งแกร่งของธัญพืชที่มีแกนคของพวกเขาที่มุ่งเน้นปกติกับพื้นผิว นอกจากนี้เราวัดการขนส่งไฟฟ้​​าและเทอร์โมคุณสมบัติของภาพยนตร์ที่จะเปิดเผยการเชื่อมโยงอย่างใกล้ชิดกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างจุลภาค การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนและการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck ที่นำไปสู่​​การพัฒนาที่โดดเด่นในปัจจัยอำนาจจาก 3.3 w / K ซม. สำหรับตัวอย่างตามที่ฝาก 24.1 ซม HwIK2 สำหรับตัวอย่างอบ 200 ac

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างจุลภาคสมบัติโดยใช้การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด พบว่า การอบ การโพสต์ ( จํานวนมาก วิวัฒนาการโครงสร้างจุลภาคโดยกระตุ้นการพัฒนาแข็งแรงพื้นผิวของธัญพืชกับ c-axis พวกเขามุ่งเน้นปกติไปยังพื้นผิว นอกจากนี้เราวัดการขนส่งทางไฟฟ้าและสมบัติเทอร์โมของภาพยนตร์เปิดเผยการเชื่อมโยงใกล้ชิดกับโครงสร้างที่เปลี่ยนแปลงไป อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ วัดค่าและเพิ่มสถิติที่นำไปสู่การปรับปรุงที่โดดเด่นในด้านพลังงานจาก 3.3 W / K ซม. สำหรับเป็นฝากตัวอย่าง hwik2 24.1 เซนติเมตร 200 AC อบตัวอย่าง