Here we demonstrate a method of pre

Here we demonstrate a method of preparing graphene on SiC(0001) that results in a significantly improved film quality.


In Fig.1, we compare samples prepared by vacuum annealing with samples produced by ex situ annealing under an argon atmosphere.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่นี่เราแสดงให้เห็นวิธีการเตรียม graphene บน SiC(0001) ที่มีผลคุณภาพฟิล์มที่ดีขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ ในภาพ เราเปรียบเทียบตัวอย่างที่เตรียม โดยดูดการอบเหนียว ด้วยตัวอย่างที่ผลิตโดยเอ็กซ์ซิการอบเหนียวภายใต้บรรยากาศอาร์กอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่นี่เราแสดงให้เห็นถึงวิธีการเตรียมความพร้อมในกราฟีนดังนี้ (0001) ที่จะส่งผลให้มีคุณภาพที่ดีขึ้นอย่างมีนัยสำคัญภาพยนตร์. ในรูปที่ 1 เราเปรียบเทียบตัวอย่างที่จัดทำโดยการหลอมสูญญากาศที่มีตัวอย่างที่ผลิตโดยแหล่งกำเนิดอดีตหลอมภายใต้บรรยากาศอาร์กอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่นี่เราแสดงให้เห็นถึงวิธีการเตรียมกราฟีนใน SIC ( 0001 ) ที่มีผลในการปรับปรุงอย่างมาก ภาพยนตร์คุณภาพ


ใน”เราเปรียบเทียบตัวอย่างที่เตรียมโดยการอบด้วยสูญญากาศ ตัวอย่างที่ผลิตโดย ex situ เผาภายใต้บรรยากาศอาร์กอน .