We report on the effects of dopant

We report on the effects of dopant concentration on the structural and electrical properties of In-implanted Ge. For In concentrations of ≤ 0.2 at. %, extended x-ray absorption fine structure and x-ray absorption near-edge structure measurements demonstrate that all In atoms occupy a substitutional lattice site while metallic In precipitates are apparent in transmission electron micrographs for In concentrations ≥0.6 at. %. Evidence of the formation of In-vacancy complexes deduced from extended x-ray absorption fine structure measurements is complimented by density functional theory simulations. Hall effect measurements of the conductivity, carrier density, and carrier mobility are then correlated with the substitutional In fraction

We present evidence of moderate current density, when accompanied with high temperature, promoting migration of foreign atoms on the surface of multi-layer graphene. Our in situ transmission electron microscope experiments show migration of silicon atoms at temperatures above 800 °C and current density around 4.2 × 107 A/cm2. Originating from the micro-machined silicon structures that clamp the freestanding specimen, the atoms are observed to react with the carbon atoms in the multi-layer graphene to produce silicon carbide at temperatures of 900–1000 °C. In the absence of electrical current, there is no migration of silicon and only pyrolysis of polymeric residue is observed.

Structural and electrical properties of In-implanted Ge
High temperature and current density induced degradation of multi-layer graphene
White organic light-emitting diodes with 4 nm metal electrode
Thin film lubrication of hexadecane confined by iron and iron oxide surfaces: A crucial role of surface structure

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรารายงานเกี่ยวกับผลกระทบของความเข้มข้น dopant สมบัติโครงสร้าง และไฟฟ้าของ implanted ใน Ge สำหรับในความเข้มข้นของ≤ 0.2 ที่ %, เอกซเรย์ขยายดูดซึมปรับโครงสร้างและการเอ็กซ์เรย์การดูดซึมใกล้ขอบโครงสร้างวัดแสดงว่า ในอะตอมครอบครองโครงตาข่ายประกอบ substitutional ไซต์ในขณะที่โลหะใน precipitates ชัดเจนในการส่งผ่านอิเล็กตรอน micrographs สำหรับใน ≥0.6 ความเข้มข้นที่ %. หลักฐานของการก่อตัวของสิ่งอำนวยความสะดวกในตำแหน่งว่างที่ deduced จากการเอ็กซ์เรย์ขยายดูดซึมปรับโครงสร้างวัดแห่งนี้จำลองทฤษฎีฟังก์ชันความหนาแน่น วัดผลฮอลล์นำ ความหนาแน่นของผู้ขนส่ง การขนส่งเคลื่อนแล้ว correlated กับ substitutional ในเศษส่วนเรานำเสนอหลักฐานหนาแน่นปานกลางปัจจุบัน เมื่อมีอุณหภูมิสูง ส่งเสริมการโยกย้ายของอะตอมบนพื้นผิวหลายชั้น graphene ที่ต่างประเทศ การทดลองของเราส่งใน situ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแสดงย้ายอะตอมซิลิคอนที่อุณหภูมิสูงกว่า 800 ° C และความหนาแน่นปัจจุบันสถาน 4.2 × 107 A/cm2 เกิดจากโครงสร้างไมโครกลึงซิลิคอนที่ clamp ตัวอย่างลอย อะตอมพบการตอบสนองกับอะตอมคาร์บอนใน graphene หลายชั้นการผลิตซิลิคอนไฮไดรด์ที่อุณหภูมิ 900-1000 องศาเซลเซียส ในกรณีไฟฟ้าปัจจุบัน มีไม่ย้ายของซิลิคอน และสังเกตชีวภาพของสารตกค้างชนิดคุณสมบัติโครงสร้าง และไฟฟ้าของ implanted ใน Geอุณหภูมิสูงและความหนาแน่นของกระแสที่เกิดจากการสลายตัวของ graphene หลายชั้นสีขาวอินทรีย์แสง–เปล่ง diodes กับ 4 nm โลหะอิเล็กโทรด บางฟิล์มหล่อลื่นของ hexadecane ขัง โดยพื้นผิวเหล็กและเหล็กออกไซด์: บทบาทความสำคัญของโครงสร้างผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานเกี่ยวกับผลกระทบของความเข้มข้นของสารเจือปนในโครงสร้างและคุณสมบัติทางไฟฟ้าของการปลูกฝังในจีอี สำหรับความเข้มข้นในการ≤ 0.2 ที่ % การดูดซึมขยายเอ็กซ์เรย์ปรับโครงสร้างและการดูดซึมเอ็กซ์เรย์ที่อยู่ใกล้ขอบวัดแสดงให้เห็นว่าทุกโครงสร้างอะตอมในครอบครองเว็บไซต์ตาข่ายทดแทนในขณะที่โลหะในตะกอนมีความชัดเจนในการส่งผ่านอิเล็กตรอนไมโครความเข้มข้นใน≥0.6ที่ % หลักฐานของการก่อตัวของคอมเพล็กซ์ในตำแหน่งที่ว่างจากการดูดซึมอนุมานได้ขยายการเอ็กซ์เรย์วัดปรับโครงสร้างเป็น complimented โดยความหนาแน่นของการจำลองทฤษฎีการทำงาน ฮอลล์วัดผลของการนำความหนาแน่นของผู้ให้บริการและผู้ให้บริการเคลื่อนย้ายมีความสัมพันธ์แล้วกับทดแทนในส่วนเรานำเสนอหลักฐานของความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าในระดับปานกลางเมื่อมาพร้อมกับอุณหภูมิสูงการส่งเสริมการย้ายถิ่นของอะตอมต่างประเทศบนพื้นผิวของกราฟีนหลายชั้น ของเราในแหล่งกำเนิดทดลองส่งกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแสดงการย้ายถิ่นของอะตอมซิลิกอนที่อุณหภูมิสูงกว่า 800 องศาเซลเซียสและความหนาแน่นกระแสรอบ 4.2 × 107 A / cm2 มีต้นกำเนิดมาจากโครงสร้างไมโครซิลิกอนเครื่องที่ยึดชิ้นงานอิสระที่อะตอมที่มีการตั้งข้อสังเกตในการทำปฏิกิริยากับอะตอมของคาร์บอนใน graphene หลายชั้นในการผลิตซิลิกอนคาร์ไบด์ที่อุณหภูมิ 900-1000 องศาเซลเซียส ในกรณีที่ไม่มีกระแสไฟฟ้าที่มีการโยกย้ายไม่มีซิลิคอนและไพโรไลซิเดียวของสารตกค้างพอลิเมอเป็นที่สังเกต. คุณสมบัติโครงสร้างและการไฟฟ้าในการปลูกฝัง Ge อุณหภูมิสูงและความหนาแน่นกระแสการย่อยสลายการเหนี่ยวนำของหลายชั้น graphene ไดโอดเปล่งแสงอินทรีย์สีขาวที่มี 4 นาโนเมตรขั้วโลหะหล่อลื่นฟิล์มบางของhexadecane ถูกคุมขังโดยพื้นผิวเหล็กและเหล็กออกไซด์: เป็นบทบาทสำคัญของโครงสร้างพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรารายงานเกี่ยวกับผลของความเข้มข้นของโดพันท์ในโครงสร้างและสมบัติทางไฟฟ้าของใส่ GE สำหรับในส่วน≤ 0.2 ที่   %การดูดกลืนรังสีเอ็กซ์และขยายโครงสร้างโครงสร้างการวัดการดูดกลืนรังสีเอกซ์ใกล้ขอบแสดงให้เห็นว่าทั้งหมดในอะตอมครอบครองเว็บไซต์ขัดแตะเป็นตัวแทนในขณะที่โลหะในตะกอนที่เกิดขึ้นจะปรากฏในกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน micrographs ในความเข้มข้น≥ 0.6 ที่   %หลักฐานของการเกิดสารประกอบเชิงซ้อนในตำแหน่งว่าง deduced จากการวัดการดูดกลืนรังสีเอ็กซ์ปรับขยายโครงสร้างเป็น complimented โดยทฤษฎีการทำงานความหนาแน่นจำลอง . ผลการตรวจวัดค่าหอของความหนาแน่นพาหะ และรถขนส่งนั้นมีความสัมพันธ์กับการเป็นตัวแทนในส่วน

เราแสดงหลักฐานของความหนาแน่นปานกลางเมื่อประกอบกับอุณหภูมิสูง การส่งเสริม การโยกย้ายของอะตอมต่างประเทศบนพื้นผิวของชั้น graphene . แสดงการย้ายถิ่นของอะตอมซิลิกอนที่อุณหภูมิสูงกว่า 800  ° C และความหนาแน่นประมาณ 4.2  ×  107   / cm2 ใน situ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนการทดลองของเรา ที่มาจากไมโครกลึงซิลิคอนโครงสร้างที่ยึดอิสระเช่นอะตอมซึ่งทำปฏิกิริยากับอะตอมของคาร์บอนในชั้น graphene ผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ ที่อุณหภูมิ 900 – 1 , 000  ° C ในกรณีที่ไม่มีกระแสไฟฟ้า ไม่มีการย้ายถิ่นของซิลิคอนและไพโรไลซิสของกากประเภทเท่านั้น )

โครงสร้างและสมบัติทางไฟฟ้าของในใส่ GE
อุณหภูมิสูงและความหนาแน่นกระแสกระตุ้นการสลายตัวของชั้น graphene
ขาวอินทรีย์ไดโอดเปล่งแสงที่มี 4 ขั้วไฟฟ้าฟิล์มบาง 
nm โลหะหล่อลื่นของเฮกซะเดกเคนคับ ด้วยเหล็กและพื้นผิวเหล็กออกไซด์ : บทบาทสำคัญของ
โครงสร้างพื้นผิว