The symbols most commonly used for

The symbols most commonly used for the varicap diode and a first approximation for
its equivalent circuit in the reverse-bias region are shown in Fig. 16.8 . Since we are in the
reverse-bias region, the resistance in the equivalent circuit is very large in magnitude—
typically 1 M or larger—whereas R S , the geometric resistance of the diode, is, as indicated
in Fig. 16.8 , very small. The magnitude of C T will vary from about 2 pF to 100 pF
depending on the varicap considered. To ensure that R R is as large (for minimum leakage
current) as possible, silicon is normally used in varicap diodes. The fact that the device
will be employed at very high frequencies requires that we include the inductance LS even
though it is measured in nanohenries. Recall that XL = 2pfL, and a frequency of 10 GHz
with LS = 1 nH results in XLS = 2pf L = (6.28)(1010 Hz)(10-9 F) = 62.8 . There is
obviously, therefore, a frequency limit associated with the use of each varicap diode. Assuming
the proper frequency range and a low value of R S and XLS compared to the other
series elements, then we can replace the equivalent circuit for the varicap of Fig. 16.8a by
the variable capacitor alone.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สัญลักษณ์ที่ใช้กันทั่วไปสำหรับไดโอดวาแรกเตอร์และการประมาณการครั้งแรกสำหรับของวงจรเท่ากับในภูมิภาคกลับอคติจะแสดงในรูปที่ 16.8 เนื่องจากเราอยู่ในย้อนกลับอคติภูมิภาค ความต้านทานในวงจรเทียบเท่ามีขนาดใหญ่มากขนาด —โดยทั่วไป 1 เมตร หรือใหญ่กว่า — ในขณะที่เป็น R S ความต้านทานของไดโอด เรขาคณิต ตามที่ระบุไว้ในมะเดื่อ 16.8 ขนาดเล็กมาก ขนาดของ C T จะแตกต่างจากประมาณ 2 pF ไป 100 pFขึ้นอยู่กับการพิจารณาวาแรกเตอร์ เพื่อให้แน่ใจว่า R R มีขนาดใหญ่ (สำหรับลดการรั่วซึมปัจจุบัน) ได้ ซิลิโคนโดยปกตินี้จะใช้ไดโอดวาแรกเตอร์ ความจริงที่อุปกรณ์จะไปทำงานที่ความถี่สูงมากต้องใช้เรารวมเหนี่ยวนำ LS แม้แม้ว่า วัดใน nanohenries เรียกว่า XL = 2pfL และความถี่ 10 GHzมี LS = nH 1 ผลลัพธ์ใน XLS = 2pf L = (6.28)(1010 Hz) (10-9 F) = 62.8 มีอย่างชัดเจน ดังนั้น การจำกัดความถี่เกี่ยวข้องกับการใช้งานของไดโอดวาแรกเตอร์แต่ละ สมมติว่าช่วงความถี่ที่เหมาะสมและค่าต่ำสุด R S และ XLS เปรียบเทียบกับอื่น ๆองค์ประกอบชุดข้อมูล แล้วเราสามารถแทนวงจรเทียบเท่าสำหรับวาแรกเตอร์ของรูป 16.8a โดยตัวแปรเก็บประจุเพียงอย่างเดียว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สัญลักษณ์ที่ใช้กันมากที่สุดสำหรับไดโอด Varicap และครั้งแรกประมาณสำหรับ
วงจรสมมูลในภูมิภาคกลับอคติที่มีการแสดงในรูป 16.8 เนื่องจากเราอยู่ใน
ภูมิภาคย้อนกลับอคติต้านทานในวงจรเทียบเท่ามีขนาดใหญ่มากใน magnitude-
โดยทั่วไป 1 M? หรือมีขนาดใหญ่ในขณะที่อาร์เอส, ความต้านทานทางเรขาคณิตของไดโอดเป็นตามที่ระบุไว้
ในรูป 16.8 มีขนาดเล็กมาก ขนาดของ CT จะแตกต่างจากประมาณ 2 pF 100 pF
ขึ้นอยู่กับ Varicap พิจารณา เพื่อให้แน่ใจว่า RR ที่เป็นขนาดใหญ่ (สำหรับการรั่วไหลต่ำสุด
ในปัจจุบัน) เป็นไปได้ซิลิกอนโดยปกติจะใช้ในไดโอด Varicap ความจริงที่ว่าอุปกรณ์ที่
จะได้รับการจ้างงานที่มีความถี่สูงมากต้องว่าเรารวม LS เหนี่ยวนำแม้
แม้ว่ามันจะเป็นวัดใน nanohenries จำได้ว่า XL = 2pfL และความถี่ 10 GHz
กับ LS = 1 ผล nH ใน XLS = 2PF L = (6.28) (1010 Hz) (10-9 F) = 62.8? นอกจากนี้
เห็นได้ชัดจึง จำกัด ความถี่ที่เกี่ยวข้องกับการใช้งานของแต่ละ Varicap ไดโอด สมมติว่า
ช่วงความถี่ที่เหมาะสมและค่าต่ำสุดของอาร์เอสและ XLS เมื่อเทียบกับคนอื่น ๆ
องค์ประกอบชุดแล้วเราสามารถแทนที่วงจรเทียบเท่า Varicap ของมะเดื่อ 16.8a โดย
ตัวแปร capacitor เพียงอย่างเดียว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สัญลักษณ์ที่ใช้กันมากที่สุดสำหรับวาแรกเตอร์ไดโอดและประมาณก่อนวงจรสมมูลของในภูมิภาคจะแสดงในรูปแบบอคติ 16.8 . เนื่องจากเราอยู่ในย้อนกลับตั้งค่าภูมิภาค ต้านทานในเทียบเท่าวงจรขนาดใหญ่มากในขนาด -โดยทั่วไป 1 เมตร หรือใหญ่กว่า ส่วน R S , ความต้านทานเรขาคณิตของไดโอดคือ ตามที่ระบุในรูปที่ 16.8 ขนาดเล็กมาก ขนาดของ C T จะแตกต่างกันเกี่ยวกับ PF PF 100 2ขึ้นอยู่กับฟาโรห์ทุตโมสที่พิจารณา เพื่อให้แน่ใจว่า R R เป็นขนาดใหญ่ ( สำหรับการรั่วไหลน้อยที่สุดปัจจุบัน ) เป็นไปได้ ซิลิคอน โดยปกติใช้ในวาแรกเตอร์ไดโอด ความจริงที่ว่าอุปกรณ์จะใช้ที่ความถี่สูงมาก ต้องการให้เรา รวมถึงความเหนี่ยวนำมีแม้แต่แม้ว่าจะเป็นวัดใน nanohenries . จำได้ว่า XL = 2pfl และความถี่ 10 GHzกับ LS = 1 NH ผลลัพธ์ใน xls 2pf = L = ( 6.28 ) ( 1010 Hz ) ( 10-9 F ) = 62.8 . มีแน่นอน ดังนั้น ความถี่สูงสุดที่เกี่ยวข้องกับการใช้งานของแต่ละวาแรกเตอร์ไดโอด สมมุติว่าช่วงความถี่ที่เหมาะสมและค่าต่ำ R S และขนาดใหญ่เมื่อเทียบกับอื่น ๆองค์ประกอบชุด แล้วเราสามารถเปลี่ยนวงจรสมมูลสำหรับฟาโรห์ทุตโมสที่ของรูปที่ 16.8a โดยตัวแปรเก็บคนเดียว