This paper demonstrates a simple an

This paper demonstrates a simple and promising approach for
enhancement of eld effect device characteristics in solution
processible organic semiconductors. A nonpercolating network
of random dispersed intrinsic silicon nanowires was incorporated
into a semiconducting polythiophene polymer, forming a dual layer
structure for the nanocomposite FETs. Measurement results of p
type Si nanowireP3HT nanocomposite transistors show notable
enhancement with respect to device mobility, threshold voltage,
hysteresis and air stability, over that of FETs with pristine P3HT. This
work furthers our understanding of the interaction between poly
thiophene polymers and nonpercolating silicon nanowires, where

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เอกสารนี้อธิบายวิธีการง่าย และแนวโน้มสำหรับการเพิ่มลักษณะของอุปกรณ์ลักษณะพิเศษภายใน solutionprocessible อินทรีย์สารกึ่งตัวนำ เครือข่าย nonpercolatingรวม nanowires ซิลิคอน intrinsic สุ่มกระจายในลิเมอร์ polythiophene โลหะ ขึ้นรูปชั้นสองโครงสร้างสำหรับสิต FETs ผลการวัดของ pพิมพ์ศรี nanowireP3HT สิตทรานซิสเตอร์แสดงโดดเด่นเพิ่มประสิทธิภาพเกี่ยวกับการเคลื่อนย้ายอุปกรณ์ ขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้าhysteresis และอากาศความมั่นคง ผ่านของ FETs กับ P3HT บริสุทธิ์ นี้งาน furthers ความเข้าใจของการโต้ตอบระหว่าง polyโพลิเมอร์ของ thiophene และ nonpercolating ซิลิคอน nanowires ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระดาษนี้จะแสดงให้เห็นถึงวิธีการที่เรียบง่ายและมีแนวโน้มสำหรับ
การเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ลักษณะผล ELD ในsolution
เซมิคอนดักเตอร์อินทรีย์ processible เครือข่ายnonpercolating
สุ่มกระจายตัว nanowires ซิลิกอนที่แท้จริงถูกรวม
เข้าไปในพอลิเมอ polythiophene กึ่งตัวนำไว้ชั้นสอง
โครงสร้างนาโนคอมโพสิต FETs ผลการตรวจวัดของp
ประเภทศรีnanowireP3HTทรานซิสเตอร์นาโนคอมโพสิตแสดงที่โดดเด่น
เพิ่มประสิทธิภาพเกี่ยวกับการเคลื่อนย้ายอุปกรณ์แรงดันเกณฑ์
hysteresis อากาศและความมั่นคงกว่าที่ FETs กับที่เก่าแก่ P3HT นี้
การทำงานจะผลักดันความเข้าใจในการทำงานร่วมกันระหว่างpolyเรา
โพลิเมอร์ thiophene และเส้นลวดนาโนซิลิกอนnonpercolatingที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทความนี้แสดงให้เห็นวิธีการง่ายๆ และสัญญาสำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์ในโซลูชั่นที่มีลักษณะละมั่งสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ processible . ไม่ percolating เครือข่ายการกระจายของซิลิคอนนาโนที่จัดตั้งขึ้นภายในเป็นพอลิเมอร์พอลิไทโอฟีนกึ่งตัวนำ การขึ้นชั้นคู่โครงสร้างนาโนคอมโพสิต fets . การวัดผลของ pพิมพ์ศรี nanowire  p3ht สำหรับทรานซิสเตอร์แสดงเด่นการเพิ่มประสิทธิภาพเกี่ยวกับอุปกรณ์เคลื่อนที่ , เกณฑ์แรงดันการวิเคราะห์เสถียรภาพและอากาศ เหนือกว่าของ fets กับ p3ht ล้วน นี้งาน / ความเข้าใจของเราของปฏิสัมพันธ์ระหว่างโพลีพอลิไทโอฟีน และไม่ percolating ซิลิคอนนาโน , ที่