BiFeO3
BF has been paid much atte

BiFeO3
BF has been paid much attention recently due to its multiferroic properties. BF is ferroelectric at room temperature and ferroelectric transition temperature
TC was reported to be 1103 K. Remanent polarization is very small about 3.5
C/cm2 and very large leakage currents make it difficult to measure ferroelectric properties it is antiferromagnetic TN=643 K so that it may have multiferroic properties at room temperature. Very high polarization
60
C/cm2 was, however, reported in epitaxial thin film1 and high polarization is also expected by theoretical first principle calculation.2 Large polarization and much reduced leakage current were reported in
doped BF systems later even in polycrystalline thin films.3–5 In bulk ceramics, however, the reported polarization values are not so much high as those in thin films.6–10 Then there is room for doubt that BF has so high polarization. Eerenstein et al.11 proposed a suspicion that the reported polarization could be an experimental artifact. It is necessary to solve thiscontroversy for the application of BF to real devices

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เอฟ BiFeO3 ได้ถูกจ่ายความสนใจมากเนื่องจากคุณสมบัติ multiferroic ล่าสุด เอฟเป็น ferroelectric ที่อุณหภูมิห้อง และอุณหภูมิเปลี่ยนแปลง ferroelectric TC เป็นรายงานที่มีโพลาไรซ์ Remanent คุณ 1103 เป็นขนาดเล็กมากเกี่ยวกับ 35 กระแสรั่วไหล C/cm2 และมีขนาดใหญ่มากทำให้ยากที่จะวัดคุณสมบัติ ferroelectric เป็น antiferromagnetic TN = 643 K เพื่อให้ได้คุณสมบัติ multiferroic ที่อุณหภูมิห้อง โพลาไรซ์สูง 60 C/cm2 อย่างไร ตามรายงานใน film1 epitaxial บางและโพลาไรซ์สูงคาดว่า โดยหลักทฤษฎีแรกคำนวณมีรายงาน 2 โพลาไรซ์ขนาดใหญ่และกระแสรั่วไหลลดลงมากใน
doped เอฟระบบในภายหลังแม้คบาง films.3–5 ในกลุ่มเซรามิกส์ ไร ค่าโพลาไรซ์รายงานจะสูงไม่มากเป็นผู้ที่อยู่ใน films.6–10 บาง แล้วมีห้องสงสัยว่า เอฟมีโพลาไรซ์สูง Eerenstein et al11 เสนอความสงสัยที่ว่า โพลาไรซ์รายงานอาจจะมีสิ่งประดิษฐ์ทดลอง จำเป็นต้องแก้ thiscontroversy การของเอฟอุปกรณ์จริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

bifeo3
BF  ได้รับความสนใจมากเมื่อเร็ว ๆนี้ เนื่องจากความ multiferroic คุณสมบัติ BF เป็นเฟอร์โรอิเล็กทริกที่อุณหภูมิห้องและอุณหภูมิการเปลี่ยนเฟอร์โรอิเล็กทริก TC
 รายงานที่จะ 1103 K . remanent โพลาไรเซชัน มีขนาดเล็กมากประมาณ 35
C / cm2 และขนาดใหญ่มากการรั่วไหลของกระแสทำให้มันยากที่จะวัดคุณสมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริกมัน antiferromagnetic TN = 112 K  ดังนั้นมันอาจจะมีคุณสมบัติ multiferroic ที่อุณหภูมิห้อง สูงมาก เป็น
60
C / cm2  อย่างไรก็ตาม รายงานใน epitaxial บาง Film1 และโพลาไรเซชันสูง คาดว่า โดยหลักการแรกที่มีการคำนวณโพลาไรเซชัน 2 ขนาดใหญ่และมากลดการรั่วไหลในปัจจุบันมีรายงานในระบบภายหลังแม้ใน BF
ด้วยฟิล์มบาง polycrystalline 3 – 5 ในกลุ่มเซรามิก อย่างไรก็ตาม รายงานเป็นค่าไม่สูงมากเช่น ในฟิล์มบาง ที่ 6 – 10 แล้วมีห้องสงสัยว่า BF มีโพลาไรเซชันสูงมาก eerenstein et al .11 เสนอ ความสงสัยว่ารายงานโพลาไรเซชันอาจเป็นวัตถุทดลอง มันเป็นสิ่งที่จำเป็นเพื่อแก้ปัญหา thiscontroversy สำหรับใช้ BF กับอุปกรณ์จริง