5 Absorptionand PL were acquired wi

5 Absorption
and PL were acquired with a continuous-wave laser source
(HeCd, 325 nm) on individual wires cast onto a clean silicon
substrate. Low-temperature PL reveals a blue shift of 90 meV
in the band-edge emission from room temperature to 5 K
(Figure 4B). At 5 K, a well-resolved donor-bound exciton
peak at 368.87 nm (3.361 eV) and corresponding first-,
second-, and third-order phonon replicas at 379.56 nm (3.266
eV), 389.23 nm (3.185 eV), and 397.04 nm (3.123 eV) are
visible. The shoulder at 364.1 nm (3.404 eV) is attributed
to the free exciton transition. The peak centered at 372.8
nm (3.326 eV) is assigned to a two-electron (2e) transition
that has been shown to emerge with donor-bound excitons

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดูดซึม 5และ PL ได้รับมากับแหล่ง continuous-wave เลเซอร์(HeCd, 325 nm) ในแต่ละสายโยนลงบนซิลิคอนสะอาดพื้นผิว อุณหภูมิต่ำ PL เผยกะสีฟ้าของ 90 meVในปล่อยขอบวงจากอุณหภูมิห้องถึง 5 K(รูปที่ 4B) ที่ 5 K, exciton ผูกกับผู้บริจาคดีแก้ไขฤดูท่องเที่ยวที่ 368.87 nm (3.361 eV) และสอดคล้องกันครั้งแรก-แบบจำลอง phonon สอง- และสามลำดับที่ 379.56 nm (3.266eV), 389.23 nm (3.185 eV), และ 397.04 nm (3.123 eV) จะสามารถมองเห็น ไหล่ที่ 364.1 ประกอบ nm (3.404 eV)การเปลี่ยน exciton ฟรี จุดสูงสุด 372.8nm (3.326 eV) ถูกกำหนดให้เปลี่ยนสองอิเล็กตรอน (2e)ที่ได้รับการแสดงเป็นไปพร้อมกับบริจาค excitons

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

5 การดูดซึม
และ PL กำลังซื้อที่มีแหล่งเลเซอร์คลื่นต่อเนื่อง
(HeCd 325 นาโนเมตร) บนสายแต่ละโยนลงบนซิลิกอนทำความสะอาด
พื้นผิว อุณหภูมิต่ำ PL เผยให้เห็นการเปลี่ยนแปลงสีฟ้า 90 MeV
ในการปล่อยวงขอบจากอุณหภูมิห้องถึง 5 K
(รูปที่ 4B) 5 K, ดีมติของผู้บริจาคที่ถูกผูกไว้ exciton
สูงสุดที่ 368.87 นาโนเมตร (3.361 EV) และสอดคล้องกันครั้งแรก,
สองและสามเพื่อจำลอง phonon ที่ 379.56 นาโนเมตร (3.266
EV), 389.23 นาโนเมตร (3.185 EV) และ 397.04 นาโนเมตร (3.123 eV) จะ
มองเห็นได้ ไหล่ที่ 364.1 นาโนเมตร (3.404 EV) มาประกอบ
กับการเปลี่ยนแปลง exciton ฟรี ยอดเขาที่มีศูนย์กลางอยู่ที่ 372.8
นาโนเมตร (3.326 EV) ได้รับมอบหมายให้สองอิเล็กตรอน (2E) การเปลี่ยนแปลง
ที่ได้รับการแสดงที่จะเกิดกับผู้บริจาคเอ็กซิตอนที่ถูกผูกไว้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

5 การดูดซึมที่คุณได้รับมาอย่างต่อเนื่องและมีคลื่นเลเซอร์แหล่ง( hecd , 325 nm ) บนสายแต่ละโยนไปยังสะอาดซิลิคอนพื้นผิว คุณอุณหภูมิต่ำพบกะ 90 ของสีฟ้าในขอบวงเล็ดรอดจากอุณหภูมิห้องถึง 5 เคตัวเลข ( 4B ) 5 K ดีแก้ไข exciton ผู้บริจาคผูกสูงสุดที่ 368.87 nm ( 3.361 EV ) และที่แรก ,สองและเพื่อจําลองที่ 379.56 nm ( 3.266 PhononEV ) 389.23 nm ( 3.185 EV ) และ 397.04 nm ( 3.123 EV )ที่สามารถมองเห็นได้ ไหล่ที่ 364.1 nm ( เส้นผ่าศูนย์กลาง 4 EV ) ว่าการเปลี่ยน exciton ฟรี สูงสุดที่ 372.8 กึ่งกลางnm ( 3.326 EV ) จะมอบหมายให้ 2 อิเล็กตรอน ( 2 ) เปลี่ยนที่ได้แสดงไว้ excitons ออกมากับผู้บริจาค