Al-Cu films, obtained from several

Al-Cu films, obtained from several sputter
deposition processes have been subjected
to accelerated electromigration life tests.
The resultant median times to failure (ranging
from 15-1600 h) have been compared with the
microstructure and alloy distributions in the
films as measured by He backscattering spectroscopy,
transmission electron microscopy and
diffraction and X-ray diffraction. We conclude
that the film texture and location of
copper in the films have a strong influence
on their electromigration resistance.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อัล-Cu ฟิล์ม รับจาก sputter หลายกระบวนการสะสมได้ถูกต้องการเร่งทดสอบชีวิต electromigrationความล้มเหลว (ตั้งแต่เวลามัธยฐานผลแก่จาก h 15-1600) มีการเปรียบเทียบกับการต่อโครงสร้างจุลภาคและโลหะผสมการกระจายในการฟิล์มวัดจากเขา backscattering กส่งอิเล็กตรอน microscopy และการเลี้ยวเบนและการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์ เราสรุปที่เนื้อฟิล์มและสถานทองแดงในภาพยนตร์ได้มีอิทธิพลบนตัวต้านทาน electromigration

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์อัลทองแดงที่ได้รับจากหลายพ่น
กระบวนการการสะสมได้รับภายใต้
การเร่งการทดสอบชีวิต electromigration.
ครั้งแบ่งผลที่จะล้มเหลว (ตั้งแต่
15-1,600 ต่อชั่วโมง) ได้รับการเปรียบเทียบกับ
โครงสร้างจุลภาคและการแจกแจงอัลลอยด์ใน
ภาพยนตร์ที่วัดจากเขา สเปกโทรสโก backscattering,
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนส่งและ
การเลี้ยวเบนและ X-ray diffraction เราสรุปได้
ว่าเนื้อหนังและที่ตั้งของ
ทองแดงในภาพยนตร์มีอิทธิพล
ต่อความต้านทาน electromigration ของพวกเขา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพยนตร์ล ทองแดง ที่ได้จากการปะทุหลายได้รับภายใต้กระบวนการ

เพื่อเร่งทดสอบชีวิต electromigration .
ซึ่งเฉลี่ยครั้งความล้มเหลว ( ตั้งแต่
จาก 15-1600 H ) ได้รับการเปรียบเทียบกับโครงสร้างจุลภาคและการผสมใน

ฟิล์มเป็นวัดโดยเขา backscattering spectroscopy ,

เลนส์และกล้องจุลทรรศน์อิเลคตรอนและส่ง รังสีเอกซ์การเลี้ยวเบนเราสรุปได้ว่า ฟิล์มเนื้อ
และที่ตั้งของทองแดงในหนังมี

เข้มแข็งอิทธิพลของพวกเขา electromigration ต้านทาน