The current gain beta is defined as

The current gain beta is defined as the ratio of the collector current Ic versus the base current Ib, that is:



Unlike the ideal switch model which will operate in either the off state (cut-off state) or the on state (saturation state), the npn BJT linear model can operate in all three states: cut-off, linear, and saturation.

The properties of these three states are:

- Cut-off state:



- Linear state:



- Saturation state:



where Vbe is the base-emitter voltage, and Vce is the collector-emitter voltage.

Note: For other switches (such as thyristor, IGBT, MOSFET, etc.), the gate node must be connected to either a gating block or a switch controller. But for npn or pnp transistors, the base node is a power node and it must be connected to a power element (such as a resistor or a source). It can not be connected to a gating block or a switch controller.

WARNING: It has been found that the linear models of the npn and pnp transistors works well in simple circuits, but may not work when circuits are complex. Please use this model with caution.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เบต้ากำไรปัจจุบันถูกกำหนดให้เป็นอัตราส่วนของตัวเก็บรวบรวม Ic ปัจจุบันเมื่อเทียบกับฐานปัจจุบัน Ib ที่อยู่: ซึ่งแตกต่างจากแบบจำลองสวิตช์เหมาะซึ่งจะทำงานในสถานะปิด (สภาพตัด) หรือรัฐการ (สภาพอิ่มตัว), npn ภูมิใจไทยแบบจำลองเชิงเส้นสามารถทำงานในอเมริกาทั้งหมดสาม: ตัด เชิงเส้น และความเข้มได้คุณสมบัติของอเมริกาสามเหล่านี้คือ: -ตัดสถานะ: -เชิงสถานะ: -ความเข้มสถานะ: ที่ใด ๆ เป็นฐานตัวส่งแรงดันไฟฟ้า และ Vce จะแรงดันตัวเก็บรวบรวมส่ง หมายเหตุ: สำหรับสวิตช์อื่น ๆ (เช่น thyristor, IGBT มอสเฟต เป็นต้น), โหนประตูต้องเชื่อมต่อกับบล็อก gating หรือสลับตัวควบคุม แต่สำหรับ npn หรือ pnp transistors โหนดพื้นฐานเป็นโหนพลังงาน และต้องเชื่อมต่อไปยังองค์ประกอบพลังงาน (เช่นตัวต้านทานหรือแหล่งที่มา) ไม่สามารถเชื่อมบล็อก gating การควบคุมสวิตช์ คำเตือน: จะพบว่า แบบจำลองเชิงเส้นของ npn และ pnp transistors ทำงานได้ดีในวงจรอย่างง่าย แต่อาจไม่ทำงานเมื่อวงจรซับซ้อน กรุณาใช้รูปแบบนี้ ด้วยความระมัดระวัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เบต้ากำไรในปัจจุบันมีการกำหนดเป็นอัตราส่วนของสะสมปัจจุบัน Ic เมื่อเทียบกับฐานปัจจุบัน Ib, ที่อยู่: ซึ่งแตกต่างจากรูปแบบสวิทช์ที่เหมาะซึ่งจะดำเนินการทั้งในสถานะปิด (รัฐตัด) หรือรัฐ (รัฐอิ่มตัว) ที่ NPN BJT แบบจำลองเชิงเส้นสามารถทำงานได้ในทุกสามรัฐ: ตัดเชิงเส้นและความอิ่มตัว. คุณสมบัติของทั้งสามรัฐคือ: - รัฐตัด: - รัฐเชิงเส้น: - รัฐอิ่มตัว: ที่ Vbe เป็น base- แรงดันไฟฟ้าอีซีแอลและ VCE เป็นแรงดันสะสม-อีซีแอล. หมายเหตุ: สำหรับสวิทช์อื่น ๆ (เช่นทรานซิสเตอร์, IGBT, MOSFET ฯลฯ ) โหนดประตูต้องเชื่อมต่อกับทั้งบล็อก gating หรือตัวควบคุมสวิทช์ แต่สำหรับทรานซิสเตอร์ NPN หรือ PNP โหนดฐานเป็นโหนดอำนาจและจะต้องมีการเชื่อมต่อกับธาตุไฟ (เช่นตัวต้านทานหรือแหล่งที่มา) มันไม่สามารถเชื่อมต่อกับบล็อก gating หรือสวิทช์ควบคุม. คำเตือน: จะได้รับพบว่าตัวแบบเชิงเส้นของ NPN และทรานซิสเตอร์ PNP ทำงานได้ดีในวงจรที่เรียบง่าย แต่อาจจะไม่ทำงานเมื่อวงจรที่มีความซับซ้อน กรุณาใช้รุ่นนี้ด้วยความระมัดระวัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลที่ได้รับในปัจจุบัน เบต้า หมายถึง อัตราส่วนของนักสะสมในปัจจุบัน IC เมื่อเทียบกับฐานปัจจุบัน IB , ที่อยู่ :



ไม่เหมาะเปลี่ยนรุ่น ซึ่งจะทำงานในสถานะปิด ( จากรัฐ ) หรือรัฐ ( รัฐความอิ่มตัว ) , แบบจำลองเชิงเส้นตรง NPN สามารถทํางานใน 3 รัฐ : ตัดเชิงเส้น , และความอิ่มตัว .

คุณสมบัติเหล่านี้สามรัฐ :

- ตัดสถานะ :



- สถานะเชิงเส้น :



- ของรัฐ :



ที่ vbe เป็นฐานส่งสัญญาณแรงดัน และ vce เป็น The Collector มิเตอร์ไฟฟ้า หมายเหตุ

: สวิทช์อื่น ๆ ( เช่น ผู้บริหาร , IGBT , MOSFET , ฯลฯ ) , ประตูโหนดจะต้องเชื่อมต่อกับทั้งหลักการป้องกันหรือสวิทช์ควบคุม แต่สำหรับ NPN หรือ PNP ทรานซิสเตอร์ฐานอำนาจและโหนดเป็นโหนดจะต้องเชื่อมต่อกับพลังธาตุ ( เช่นตัวต้านทานหรือแหล่งที่มา ) มันไม่สามารถเชื่อมต่อกับหลักการป้องกันหรือสวิทช์ควบคุม

คำเตือน : พบว่า แบบจำลองเชิงเส้นของ NPN PNP ทรานซิสเตอร์และวงจรง่ายๆ ใช้งานได้ดี แต่อาจไม่ทำงาน เมื่อวงจรที่ซับซ้อน กรุณาใช้รูปแบบนี้ด้วยความระมัดระวัง