An RIE dry etching with XeF2 is emp

An RIE dry etching with XeF2 is employed to etch the
silicon substrate, and to obtain the suspended structure of hot part in the generator.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การกัดแห้ง RIE กับ XeF2 เป็นลูกจ้างในการกัด
พื้นผิวซิลิกอน และได้รับระงับโครงสร้างของส่วนที่ร้อนในเครื่องกำเนิด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การแกะสลักแม่พิมพ์แห้งด้วย XeF2 ถูกใช้ในการกัด
พื้นผิวซิลิกอนและจะได้รับการระงับโครงสร้างของส่วนร้อนในเครื่องกำเนิดไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การกัดด้วย xef2 ริเอะแห้งใช้ etch
ซิลิคอน และเพื่อให้ได้โครงสร้างระงับร้อนส่วนในเครื่องกำเนิดไฟฟ้า