1.Wafers are cut from a block of ve

1.Wafers are cut from a block of very pure crystalline silicon.
2.Polishing
3.Material deposition or modification
4.The Photo Lacquer is applied to a spinning wafer in order to acquire a uniform layer.
5.The chip patterns are burnt into the Photo Lacquer using a light stepper.
6.Development of the print by etching and heating
7.Ion implantation
8.The Photo Lacquer is removed.
9.The wafer processing cycle is completed and a chip layer is manufactured.
10.Repeat thirty to forty times
11.Once all the cycles are completed, the chips are cut out of the wafer and tested.
12.Finally, the chips are fitted with a special plastic container in another plant.



•157 nm Wavelength in the far UV range. 157 nm sources were supposed to succeed 193 nm sources, but immersion made them unnecessary.
•193 nm Wavelength in the far UV range. This is now in standard use for the production of the most advanced chips. Preceded by 248 nm. See DUV and immersion.
•450 mm Diameter of wafers a size bigger than the current sizes in use (i.e. 200 mm and 300 mm). Major chip manufacturers want larger wafers, but device makers and other players have not indicated whether they want to support this initiative. ASML also has no official position as yet.
•ASML Stands for ASM Lithography, a name that reminds us of its joint founder, ASM International. The other founder is Philips.
•Alignment Alignment of the wafer and the lens in order to make the overlay (see above) as small as possible. ASML made a name for itself in the eighties due to an alignment system based on a reference mark, a symbol that is still discernible in the company logo.
•Brion American specialist in optical modelling, acquired by ASML in 2007.
•Clean room Dust-free room. Necessary for the manufacture of semi-conductor chips.
•Computational lithography Umbrella term for computer-assisted techniques to improve lithographic performance.
•CD (Critical dimension) The smallest details of an image. One of the key parameters used in describing a lithographic image and its quality.
•Die A naked chip (i.e. before it is coated in plastic). (plural: dies or dice)
•DRAM Dynamic Random Access Memory, a memory that loses its data when power is shut down. DRAM makers (such as Samsung) are an important group of customers for ASML.
•Double patterning (also known as DP) A technique in which a chip layer is built up in two steps because the resolution of the scanner is not sufficient to produce the layer in a single exposure. Economically most attractive option for chip makers; flash memory (see above) manufacturers have no other option. DRAM and logic manufacturers hope that EUV arrives on time in order to avoid DP.
•DUV Deep ultraviolet, wavelength range in the far ultraviolet. This is now in standard use for the production of the most advanced chips.
•Excimer laser Light source for DUV scanners.
•EUV Extreme ultraviolet, the wavelength range between roughly one hundred twenty and ten nanometres. In chip manufacture, EUV is used as an abbreviation for EUV lithography (also abbreviated EUVL), i.e. lithography with light of a wavelength of 13.5 nanometres. "This is much lower than the 193 nm that is now being used. The jump in wavelength is required to make images of even smaller structures. EUV lithography is very complex because almost all materials absorb EUV light and thus no lenses can be made for it and the exposure process must take place in a vacuum. ASML expects that the technique shall be put into use after a development process lasting more than a decade.
•Fab Plant where chips are manufactured.
•Farm-Out Outsourcing, not only of production but also the development of components or modules of a machine. Hot topic for ASML and its suppliers.
•Flash memory Memory type that retains data when power is shut down. Flash chips are the furthest along in the development described by Moore's law and thus have the smallest structures (as well as the most systematic). Flash producers are an important group of customers for ASML.
•Photo Lacquer (also known as (photo) resist) Photosensitive material in which the mask pattern is plotted.
•Foundry Chip manufacturer that does not design chips itself but produces the designs of others. Market segment served by ASML.
•Half-pitch Half the distance (in nm) between two identical structures on a chip. Measurement of the size of the chip structures installed on a chip (see: node). Intel uses half-pitch as a marketing term; the specified value does not therefore correspond to the actual half-pitch.
•Holistic Lithography A term coined by ASML for an approach in which the design of the chip, the mask, lithography and metrology are matched with each other in order to obtain an optimal chip manufacturing process.
•I-line Peak at 365 nm in the spectrum of mercury. Until the introduction of lasers as light sources, mercury lamps were used in wafer steppers. The I-line was the last spectral line of mercury that was used and the last non-laser light.
•Immersion Lith

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1.เวเฟอร์จะตัดจากบล็อกของผลึกซิลิคอนบริสุทธิ์มาก2.ขัด3.วัสดุสะสมหรือการเปลี่ยนแปลง4.แล็กเกอร์ภาพกับเวเฟอร์หมุนเพื่อรับชั้นเหมือนกัน5.รูปแบบชิถูกเผาลงแล็กเกอร์ภาพที่ใช้ stepper แบบแสง6.พัฒนาการของการพิมพ์โดยการแกะสลัก และเครื่องทำความร้อน7.การฝังไอออน8.แล็กเกอร์ภาพจะถูกเอาออก9.การเวเฟอร์วงจรประมวลผลเสร็จ และผลิตชิชั้น10.ทำซ้ำสามสิบถึงสี่สิบเท่า11.เมื่อเสร็จสิ้นทั้งหมดรอบการ เบี้ยถูกตัดจากเวเฟอร์ และทดสอบ12.Finally เบี้ยประกอบ ด้วยภาชนะพลาสติกพิเศษโรงงานอื่น •157 nm ความยาวคลื่นในช่วงรังสียูวีไกล 157 nm แหล่งควรจะประสบความสำเร็จ 193 nm แหล่งแต่แช่ทำให้พวกเขาไม่จำเป็น•193 nm ความยาวคลื่นในช่วงรังสียูวีไกล นี่คือตอนนี้ใช้มาตรฐานสำหรับการผลิตชิปขั้นสูงสุด นำหน้า ด้วย 248 nm ดู DUV และแช่•450 มม.เส้นผ่าศูนย์กลางของเวเฟอร์ที่มีขนาดใหญ่กว่าขนาดปัจจุบันใช้ (เช่น 200 มม.และ 300 มม.) เวเฟอร์ขนาดใหญ่ต้องการผู้ผลิตชิปสำคัญ แต่ผู้ผลิตอุปกรณ์และผู้เล่นอื่น ๆ ไม่ระบุว่า พวกเขาต้องการสนับสนุนโครงการนี้ ASML ยังมีตำแหน่งอย่างเป็นทางการไม่เป็น•ASML ยืนสำหรับ ASM Lithography ชื่อที่ให้นึกถึงผู้ก่อตั้งร่วม นานา ASM ผู้ก่อตั้งอื่น ๆ คือ Philips•Alignment จัดตำแหน่งของแผ่นเวเฟอร์การและเลนส์เพื่อให้ภาพซ้อนทับ (ดูด้านบน) ขนาดเล็กที่สุด ASML ทำชื่อสำหรับตัวเองในยุค 80 อีกเนื่องจากระบบการจัดตำแหน่งตามเครื่องหมายอ้างอิง สัญลักษณ์ที่ยังคงตโลในโลโก้ของบริษัทผู้เชี่ยวชาญชาวอเมริกัน •Brion ในออปติคอลแบบจำลอง ซื้อ โดย ASML ใน 2007ห้อง •Clean ห้องปราศจากฝุ่น จำเป็นสำหรับการผลิตชิปของสารกึ่งตัวนำ•Computational คำว่าร่มการทำลวดลายวงจรสำหรับเทคนิคคอมพิวเตอร์ช่วยเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพสีบนแผ่นเหล็ก•CD (มิติที่สำคัญ) รายละเอียดที่เล็กที่สุดของภาพ หนึ่งพารามิเตอร์หลักที่ใช้ในการอธิบายรูปแบบสีบนแผ่นเหล็กและมีคุณภาพ•Die ชิเปล่า (เช่นก่อนเคลือบพลาสติก) (พหูพจน์: ตายหรือลูกเต๋า)•DRAM dynamic Random Access Memory หน่วยความจำที่สูญเสียข้อมูลเมื่อมีปิดไฟ ผู้ผลิต DRAM (เช่นซัมซุง) เป็นกลุ่มที่มีความสำคัญของลูกค้า ASML•Double เทคนิค A แบบ (เรียกว่า DP) ซึ่งเป็นชั้นชิถูกสร้างขึ้นในสองขั้นตอนเนื่องจากความละเอียดของสแกนเนอร์ไม่เพียงพอในการผลิตชั้นในการเปิดรับแสงเดียว เลือกเศรษฐกิจน่าสนใจที่สุดสำหรับผลิตชิ ผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลช (ดูข้างต้น) ไม่มีทางเลือก ผู้ผลิต DRAM และตรรกะหวังว่า EUV มาถึงตรงเวลาเพื่อหลีกเลี่ยง DPรังสีอัลตราไวโอเลตลึก •DUV ช่วงความยาวคลื่นอัลตราไวโอเลตไกลใน นี่คือตอนนี้ใช้มาตรฐานสำหรับการผลิตชิปขั้นสูงสุด•Excimer แหล่งกำเนิดแสงเลเซอร์สแกนเนอร์ DUV สำหรับรังสีอัลตราไวโอเลตมาก •EUV ช่วงความยาวคลื่นระหว่างประมาณหนึ่งร้อยยี่สิบ และสิบ nanometres ในการผลิตชิพ EUV จะใช้เป็นตัวย่อสำหรับ EUV การทำลวดลายวงจร (ยังย่อ EUVL), เช่นการทำลวดลายวงจร ด้วยแสงความยาวคลื่นของ 13.5 nanometres "นี่คือต่ำกว่า 193 นาโนเมตรที่ใช้ตอนนี้ จำเป็นต้องมีการกระโดดในความยาวคลื่นจะทำให้ภาพของโครงสร้างเล็ก ๆ การทำลวดลายวงจร EUV มีความซับซ้อนมากเนื่องจากเกือบทุกวัสดุดูดซับแสง EUV ดังนั้นเลนส์ไม่สามารถทำมัน และกระบวนการเปิดรับแสงที่ต้องเกิดขึ้นในสุญญากาศ ASML คาดว่า เทคนิคที่จะนำไปใช้หลังจากกระบวนการพัฒนาที่ยั่งยืนกว่าทศวรรษ•Fab โรงงานที่ผลิตชิปจ้างออก •Farm ไม่เฉพาะของการผลิต แต่การพัฒนาของคอมโพเนนต์หรือโมดูลของเครื่อง หัวข้อที่น่าสนใจสำหรับ ASML และซัพพลายเออร์•Flash หน่วยความจำหน่วยความจำชนิดที่ยังคงข้อมูลเมื่อมีปิดไฟ ชิแฟลชมีการหยั่งไปในการพัฒนาโดยกฎของมัวร์ และทำให้ มีโครงสร้างเล็กที่สุด (เช่นเดียวกับระบบมากที่สุด) ผลิตแฟลชเป็นกลุ่มที่มีความสำคัญของลูกค้า ASML•Photo เกอร์ (ยังเรียกกันว่า (ในรูป) ต้านทาน) แสงวัสดุการวางแผนรูปแบบหน้ากากผู้ผลิตชิพ •Foundry ที่ไม่มีการออกแบบชิปเอง แต่ผลิตการออกแบบของผู้อื่น การแบ่งส่วนตลาดโดย ASMLสนาม •Half ครึ่งระยะทาง (ใน nm) ระหว่างโครงสร้างเหมือนกันทั้งสองชิ การวัดขนาดของโครงสร้าง chip ที่ติดตั้งบนชิ (ดู: โหน) Intel ใช้ครึ่งเป็นคำทางการตลาด ค่าที่ระบุไม่สอดคล้องจึงจะจริงครึ่ง•Holistic lithography A ระยะที่แต่ง โดย ASML สำหรับวิธีการที่การออกแบบชิ หน้ากาก ภาพพิมพ์หิน และมาตรวิทยาตรงกับแต่ละอื่น ๆ เพื่อรับชิเหมาะสมมีกระบวนการผลิต•I บรรทัดสูงสุดที่ 365 nm ในสเปกตรัมของสารปรอท จนถึงการนำแสงเลเซอร์เป็นแหล่งกำเนิดแสง หลอดไอปรอทถูกนำมาใช้ใน steppers เวเฟอร์ ฉันบรรทัดเป็นบรรทัดสุดท้ายของสเปกตรัมของสารปรอทที่ใช้และแสงเลเซอร์ไม่ใช่สุดท้าย•Immersion Lith

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1.Wafers จะถูกตัดออกจากบล็อกของผลึกซิลิคอนบริสุทธิ์มาก.
2.Polishing
3 วัสดุการสะสมหรือการเปลี่ยนแปลง
4. รูปถ่าย Lacquer ถูกนำไปใช้เวเฟอร์ปั่นเพื่อที่จะได้รับชุดชั้น.
รูปแบบชิป 5.The ถูกเผาลงใน ภาพถ่าย Lacquer ใช้ stepper แสง.
6.Development ของการพิมพ์โดยการแกะสลักและเครื่องทำความร้อน
7.Ion ฝัง
8.The รูปภาพ Lacquer จะถูกลบออก.
วงจรการประมวลผล 9. เวเฟอร์จะเสร็จสมบูรณ์และชั้นชิปเป็นผลิตภัณฑ์ที่ผลิต.
10.Repeat สามสิบ สี่สิบครั้ง
11.Once รอบทั้งหมดจะเสร็จสมบูรณ์, ชิปจะถูกตัดออกจากเวเฟอร์และทดสอบ.
12.Finally ชิปที่มีการติดตั้งกับภาชนะพลาสติกชนิดพิเศษในโรงงานอีก. • 157 นาโนเมตรความยาวคลื่นในช่วง UV ไกล 157 นาโนเมตรแหล่งที่ถูกควรจะประสบความสำเร็จ 193 นาโนเมตรแหล่งที่มา แต่แช่ทำให้พวกเขาไม่จำเป็น. • 193 นาโนเมตรความยาวคลื่นในช่วง UV ไกล นี่คือตอนในการใช้งานมาตรฐานสำหรับการผลิตชิปทันสมัยที่สุด นำโดย 248 นาโนเมตร ดู DUV และแช่. • 450 มิลลิเมตรเส้นผ่าศูนย์กลางเวเฟอร์ขนาดใหญ่กว่าขนาดปัจจุบันในการใช้งาน (เช่น 200 มิลลิเมตรและ 300 มิลลิเมตร) ผู้ผลิตชิปรายใหญ่ต้องการเวเฟอร์ขนาดใหญ่ แต่ผู้ผลิตอุปกรณ์และผู้เล่นอื่น ๆ ยังไม่ได้ระบุว่าพวกเขาต้องการที่จะสนับสนุนความคิดริเริ่มนี้ ASML ยังไม่มีตำแหน่งอย่างเป็นทางการเป็นยัง. • ASML แทน ASM พิมพ์หินชื่อที่เตือนเราของผู้ก่อตั้งร่วมของ ASM นานาชาติ ผู้ก่อตั้งอื่น ๆ คือฟิลิปส์. •การจัดตำแหน่งการจัดตำแหน่งของเวเฟอร์และเลนส์เพื่อให้ซ้อนทับ (ดูด้านบน) ขนาดเล็กที่สุดเท่าที่เป็นไปได้ ASML สร้างชื่อให้ตัวเองในแปดเนื่องจากมีระบบการจัดตำแหน่งขึ้นอยู่กับเครื่องหมายอ้างอิงสัญลักษณ์ที่ยังคงมองเห็นได้ในโลโก้ของ บริษัท ได้. •ผู้เชี่ยวชาญอเมริกันองในการสร้างแบบจำลองแสงที่ได้มาโดยในปี 2007 ASML •ตรวจวัดฝุ่นทำความสะอาดห้อง ห้องพักฟรี ที่จำเป็นสำหรับการผลิตชิปกึ่งตัวนำได้. •พิมพ์คำที่ร่มสำหรับเทคนิคการคำนวณโดยใช้คอมพิวเตอร์ช่วยในการปรับปรุงประสิทธิภาพการพิมพ์หิน. • CD (มิติที่สำคัญ) โดยมีรายละเอียดที่เล็กที่สุดของภาพ หนึ่งในตัวแปรสำคัญที่ใช้ในการอธิบายภาพพิมพ์หินและคุณภาพ. •ตายชิปเปลือยกาย (คือก่อนที่จะเคลือบพลาสติก) (พหูพจน์: ตายหรือลูกเต๋า) • DRAM แบบไดนามิก Random Access Memory หน่วยความจำที่สูญเสียข้อมูลเมื่อกำลังจะปิดตัวลง ผู้ผลิต DRAM (เช่น Samsung) เป็นกลุ่มที่สำคัญของลูกค้าสำหรับ ASML. •เลียนแบบคู่ (ยังเป็นที่รู้จัก DP) เทคนิคในการที่ชั้นชิปถูกสร้างขึ้นมาในขั้นตอนที่สองเพราะความละเอียดของสแกนเนอร์ไม่เพียงพอที่จะผลิต ชั้นในสัมผัสเพียงครั้งเดียว ตัวเลือกทางเศรษฐกิจที่น่าสนใจที่สุดสำหรับผู้ผลิตชิป; หน่วยความจำแฟลช (ดูด้านบน) ผู้ผลิตไม่มีตัวเลือกอื่น ๆ DRAM และตรรกะผู้ผลิตหวังว่า EUV มาถึงในเวลาในการสั่งซื้อเพื่อหลีกเลี่ยง DP. •อัลตราไวโอเลตลึก DUV ช่วงความยาวคลื่นในอัลตราไวโอเลตไกล นี่คือตอนในการใช้งานมาตรฐานสำหรับการผลิตชิปทันสมัยที่สุด. • Excimer แหล่งแสงเลเซอร์สำหรับสแกนเนอร์ DUV. • EUV มากอัลตราไวโอเลตช่วงความยาวคลื่นระหว่างประมาณ 120 นาโนเมตรและสิบ ในการผลิตชิป EUV จะใช้เป็นคำย่อของ EUV พิมพ์หิน (ยังยาก EUVL) คือการพิมพ์หินที่มีแสงความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตร "นี่คือต่ำกว่านาโนเมตร 193 ที่ตอนนี้ถูกนำมาใช้. กระโดดในความยาวคลื่นเป็นสิ่งจำเป็นที่จะทำให้ภาพของโครงสร้างแม้มีขนาดเล็ก. EUV พิมพ์หินที่มีความซับซ้อนมากเพราะเกือบทุกวัสดุดูดซับแสง EUV จึงไม่มีเลนส์สามารถทำมัน และขั้นตอนการเปิดรับแสงจะต้องเกิดขึ้นในสุญญากาศ. ASML คาดว่าเทคนิคที่จะถูกนำไปใช้หลังจากขั้นตอนการพัฒนายาวนานกว่าทศวรรษที่ผ่านมา. • Fab พืชที่ชิปที่ผลิต. •ฟาร์มเอาท์ซอร์สไม่เพียง แต่ผลิต แต่ นอกจากนี้ยังมีการพัฒนาของส่วนประกอบหรือโมดูลของเครื่อง. หัวข้อร้อนสำหรับ ASML และซัพพลายเออร์. •แฟลชชนิดหน่วยความจำหน่วยความจำที่เก็บข้อมูลไว้เมื่อกำลังจะปิดตัวลง. ชิปแฟลชไกลพร้อมในการพัฒนาอธิบายโดยกฎของมัวร์และทำให้มี โครงสร้างที่เล็กที่สุด (เช่นเดียวกับระบบมากที่สุด). ผู้ผลิตแฟลชเป็นกลุ่มที่สำคัญของลูกค้าสำหรับ ASML. •ภาพถ่าย Lacquer (หรือเรียกว่า (ภาพ) ต่อต้าน) วัสดุแสงซึ่งในรูปแบบหน้ากากที่มีพล็อต. ผู้ผลิต•หล่อชิปที่ไม่ ได้ออกแบบชิปตัวเอง แต่ผลิตการออกแบบของคนอื่น ๆ ส่วนตลาดบริการโดย ASML. •ครึ่งสนามครึ่งหนึ่งของระยะทาง (ในนาโนเมตร) ระหว่างสองโครงสร้างที่เหมือนกันบนชิป การวัดขนาดของโครงสร้างชิปที่ติดตั้งบนชิป (ดู: โหนด) อินเทลใช้ครึ่งสนามเป็นระยะการตลาด; ค่าที่ระบุไม่ได้ดังนั้นจึงตรงกับที่เกิดขึ้นจริงครึ่งสนาม. •แบบองค์รวมหินคำประกาศเกียรติคุณจาก ASML สำหรับวิธีการในการออกแบบของชิป, หน้ากาก, การพิมพ์หินและมาตรวิทยาจะถูกจับคู่กับแต่ละอื่น ๆ ในการสั่งซื้อเพื่อให้ได้ดีที่สุด กระบวนการผลิตชิป. •ยอดฉันบรรทัดที่ 365 นาโนเมตรในสเปกตรัมของปรอท ไปจนถึงการนำเลเซอร์เป็นแหล่งแสง, โคมไฟปรอทถูกนำมาใช้ใน steppers เวเฟอร์ ผมเส้นเป็นเส้นสเปกตรัมสุดท้ายของปรอทที่ใช้และแสงเลเซอร์ที่ไม่ใช่สุดท้าย. •แช่ Lith

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . เวเฟอร์จะถูกตัดจากบล็อกของบริสุทธิ์มากผลึกซิลิคอน2 . ขัด3 . การปรับเปลี่ยนวัสดุหรือ4 . รูปที่เคลือบจะใช้หมุนเวเฟอร์เพื่อที่จะได้รับชั้นเหมือนกัน5 . ชิปไหม้เป็นรูปลวดลายลงรักใช้ stepper แสง6 . การพัฒนาเครื่องกัดและพิมพ์โดย7 . การฝังไอออน8 . ภาพที่เคลือบจะถูกเอาออก9 . แผ่นวงจรการประมวลผลเสร็จสิ้นและชิป ชั้น คือ ผลิต10 . ย้ำสามสิบถึงสี่สิบ ครั้ง11 . เมื่อรอบทั้งหมดจะเสร็จสิ้นชิปถูกตัดออกจากเวเฟอร์และทดสอบ12 . สุดท้าย ชิปจะพอดีกับภาชนะพลาสติกพิเศษในโรงงานอีก- 157 nm ความยาวคลื่นในช่วงไกล UV 157 nm แหล่งควรจะประสบความสำเร็จ 193 nm ที่มา แต่แช่ไว้โดยไม่จำเป็น- 193 nm ความยาวคลื่นในช่วงไกล UV ตอนนี้ใช้มาตรฐานสำหรับการผลิตชิปที่ทันสมัยที่สุด นำหน้าโดย 248 nm . และเห็น duv แช่ .450 มม. - เส้นผ่าศูนย์กลางของเวเฟอร์ขนาดใหญ่กว่าขนาดปัจจุบันใช้อยู่ ( เช่น 200 มม. และ 300 มม. ) ผู้ผลิตชิปรายใหญ่ ต้องการ รับ ขนาดใหญ่ แต่ผู้ผลิตอุปกรณ์และผู้เล่นอื่น ๆไม่ได้ระบุว่าพวกเขาต้องการที่จะสนับสนุนความคิดริเริ่มนี้ asml ยังไม่มีเจ้าหน้าที่ประจำเลยบริการ asml ย่อมาจากเครือข่ายภายใน , ชื่อที่เตือนเราของร่วมก่อตั้งเครือข่ายระหว่างประเทศ ผู้ก่อตั้งอื่น ๆคือ ฟิลิปส์- การวางแนวของเวเฟอร์ และเลนส์เพื่อให้ซ้อนทับ ( ดูด้านบน ) เป็นขนาดเล็กที่สุด asml ทำให้ชื่อสำหรับตัวเองใน eighties เนื่องจากการจัดสร้างระบบการอ้างอิง เครื่องหมาย สัญลักษณ์ ที่ยังมองเห็นได้ในโลโก้ บริษัท- ไบรเอิ้นชาวอเมริกันผู้เชี่ยวชาญในแบบ Optical ที่ได้มาโดย asml ใน 2007บริการห้องพักสะอาดฝุ่นฟรีห้อง ที่จำเป็นสำหรับการผลิตของ semi-conductor ชิป- การคำนวณภายในระยะร่มเทคนิคคอมพิวเตอร์ช่วยในการปรับปรุงประสิทธิภาพของลิโธกราฟฟิค .- ซีดี ( มิติที่สำคัญ ) รายละเอียดที่เล็กที่สุดของภาพ หนึ่งของคีย์พารามิเตอร์ที่ใช้ในการอธิบายภาพลิโธกราฟฟิคและคุณภาพของมัน- ตายชิปเปลือย ( เช่นก่อนที่จะเคลือบพลาสติก ) ( พหูพจน์ : ตายหรือลูกเต๋า )- DRAM แบบเข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่ม , หน่วยความจำที่สูญเสียข้อมูลเมื่อไฟปิดลง ผู้ผลิต DRAM ( เช่น Samsung ) เป็นกลุ่มที่สำคัญของลูกค้า asml .- สองภาษา ( หรือเรียกว่า DP ) เป็นเทคนิคที่ทำให้ชั้นถูกสร้างขึ้นในขั้นตอนที่สอง เพราะความละเอียดของภาพไม่เพียงพอที่จะสร้างเลเยอร์ในสัมผัสเดียว ทำให้ตัวเลือกที่น่าสนใจที่สุดสำหรับผู้ผลิตชิป หน่วยความจำแฟลช ( ดูข้างต้น ) ผู้ผลิตไม่มีตัวเลือกอื่น ๆ และตรรกะของผู้ผลิตหวังว่า euv มาถึงในเวลาเพื่อหลีกเลี่ยง DP .- duv ลึกอัลตราไวโอเลตความยาวคลื่นในช่วงรังสีอัลตราไวโอเลตไกล ตอนนี้ใช้มาตรฐานสำหรับการผลิตชิปที่ทันสมัยที่สุด- แหล่งกำเนิดแสงสำหรับ duv excimer เลเซอร์สแกนเนอร์บริการ euv extreme อัลตราไวโอเลตความยาวคลื่นช่วงประมาณหนึ่งร้อยยี่สิบนาโนเมตร . ในชิปที่ผลิต euv ใช้เป็นตัวย่อสำหรับ euv ภาพพิมพ์หิน ( ย่อ euvl ) คือหินที่มีแสงความยาวคลื่น 13.5 นาโนเมตร . นี้มากกว่า 193 nm ที่ขณะนี้ถูกใช้ กระโดดในความยาวคลื่นจะต้องทำรูปโครงสร้างแม้แต่น้อย euv ทั้งหมดมีความซับซ้อนมากเพราะวัสดุเกือบทั้งหมดที่ดูดซับแสงและเลนส์ euv จึงไม่สามารถทำมันและกระบวนการแสงจะเกิดขึ้นในสูญญากาศ asml คาดว่าจะถูกใส่ลงไปหลังจากใช้เทคนิคกระบวนการในการพัฒนาที่ยาวนานกว่าทศวรรษ- FAB ที่โรงงานผลิตชิป .- ฟาร์มออก outsourcing ไม่เพียงการผลิต แต่ยังพัฒนาส่วนประกอบหรือโมดูลของเครื่องจักร หัวข้อ asml และซัพพลายเออร์ของ- แฟลชหน่วยความจำชนิดที่เก็บข้อมูลได้เมื่อไฟปิดลง แฟลชชิปเป็นไกลพร้อมในการพัฒนาอธิบายโดยกฎของมัวร์และดังนั้นจึงมีโครงสร้างที่เล็กที่สุด ( รวมทั้งระบบส่วนใหญ่ ) ผู้ผลิตแฟลชเป็นกลุ่มที่สำคัญของลูกค้า asml .เคลือบรูป A4 ( หรือที่เรียกว่าแสง ( ภาพ ) ต้านทาน ) วัสดุที่มีรูปแบบเป็นวางแผน- โรงหล่อชิปผู้ผลิตชิปที่ไม่ได้ออกแบบเอง แต่สร้างการออกแบบของผู้อื่น ส่วนตลาดบริการโดย asml .- ครึ่งมืดครึ่งระยะทาง ( นาโนเมตร ) ระหว่างสองโครงสร้างที่เหมือนกันในชิป การวัดขนาดของชิพ โครงสร้างที่ติดตั้งบนชิป ( ดู : โหนด ) Intel ใช้ครึ่งสนามเป็นศัพท์ทางการตลาด มูลค่าที่ระบุไว้ไม่ได้จึงสอดคล้องกับสนามครึ่งจริงบริการแบบองค์รวมภายในระยะ coined โดย asml สำหรับวิธีการซึ่งในการออกแบบชิป , หน้ากากและหุ้นส่วนมาตรวิทยาตรงกับแต่ละอื่น ๆเพื่อให้ได้ชิปที่เหมาะสมในการผลิต- I - line สูงสุด 365 nm ในสเปกตรัมของปรอท จนกว่าการเลเซอร์เป็นแหล่งกำเนิดแสง , โคมไฟปรอทถูกใช้ในผู้เต้นรำเวเฟอร์ โดย I - line เป็นเส้นสเปคตรัมของปรอทที่ใช้ล่าสุด