2.1. SiC/metal composites2.1.1. SiC

2.1. SiC/metal composites
2.1.1. SiCp/Al
SiCp/Al composites are the key packaging materials at this time. The major problems encountered in the processing are bad wettability in SiC-Al system and the undesirable interfacial reaction [9]:

equation(1)
4Al(1)+3SiC(S)=4AlC3(S)+3Si(1)
Al4C3 acts as an interfacial thermal resistant and reacts with atmosphere moisture to degrade thermal properties. Co-addition of Si and Mg, as well as the utilization of N2 successfully improves the wettability during pressureless infiltration. Mg vapor penetrates into the preform and reacts with the oxygen absorbed on SiC and the nitrogen fills in the preform. Generated Mg3N2 reacts with Al and promotes the wettability. When Si content is lower than 6% (mass fraction) or Mg content is lower than 4% (mass fraction), the composites cannot be fully infiltrated due to poor wettability. When Mg content increases beyond 8% (mass fraction), high porosity is induced. The optimum Mg content is found to be 4%–8% (mass fraction) [10].

Detrimental interfacial reaction can be effectively prevented as the Si content is over 12% (mass fraction) at 1 000 °C. However, excessive Si beyond 12% (mass fraction) degrades the TC. A balance should be made between the improvement of wettability and the inhibition of interfacial reaction in order to obtain the optimum properties. The composites with 58%–70% (volume fraction) SiC produced by our group reach the following level: TC of 170–220 W/(m·K); average CTE of 7×10−6 K−1 (25–100 °C) and gas impermeability as low as 10−11 Pa·m3/s [11].

2.1.1. SiCp/Cu
The major challenge of SiCp/Cu composite is the improvement of wettability and the suppression of strong reaction:

equation(2)
SiC+Cu→C+3CuSi
In order to improve the wettability, transition alloying elements (Ti, Cr, Fe, Ni and Al) are added [12]. The enhanced Si activity favors the elimination of non-wettable SiO2-film on SiC particles and the decrease of melt fluidity.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2.1. คอมโพสิต SiC/โลหะ2.1.1. SiCp/AlSiCp/อัล คอมโพสิตเป็นวัสดุบรรจุภัณฑ์ที่สำคัญในขณะนี้ ปัญหาสำคัญที่พบในการประมวลผลมีความสามารถเปียกได้ดีในระบบอัล SiC และปฏิกิริยา interfacial ระวัง [9]:equation(1)4Al(1)+3SiC(S)=4AlC3(S)+3Si(1)Al4C3 ทำหน้าที่เป็น interfacial การทนความร้อน และทำปฏิกิริยากับความชื้นของบรรยากาศการคุณสมบัติความร้อน แห่งร่วมศรี และ Mg และใช้ประโยชน์ของ N2 เพิ่มความสามารถการเปียกได้สำเร็จระหว่างแทรกซึม pressureless เอ็มจีไอแทรกซึมเข้าที่มาสเตอร์แบทช์สีดำ และทำปฏิกิริยากับออกซิเจนดูดซึมบน SiC และไนโตรเจนกรอกที่มาสเตอร์แบทช์สีดำ สร้าง Mg3N2 ทำปฏิกิริยากับอัล และส่งเสริมความสามารถการเปียกได้ เมื่อในเนื้อหาไม่ต่ำกว่า 6% (รวมเศษ) หรือเนื้อหามิลลิกรัมน้อยกว่า 4% (รวมเศษ), คอมโพสิตที่ไม่มีเต็มถูกแทรกซึมเนื่องจากความสามารถเปียกได้ดี เมื่อเนื้อหา Mg เพิ่มขึ้นเกิน 8% (รวมเศษ), porosity สูงจะทำให้เกิด พบเนื้อหามิลลิกรัมสูงเป็น 4%-8% (รวมเศษ) [10]อนุ interfacial ปฏิกิริยาสามารถมีประสิทธิภาพป้องกันเป็นศรีที่เนื้อหาเป็นกว่า 12% (ส่วนใหญ่) ที่ 1 000 องศาเซลเซียส อย่างไรก็ตาม ในมากเกินไปเกินกว่า 12% (รวมเศษ) เสื่อม TC ควรใช้ความสมดุลระหว่างการปรับปรุงความสามารถเปียกได้และยับยั้งปฏิกิริยา interfacial เพื่อให้ได้คุณสมบัติเหมาะสม คอมโพสิตกับ SiC 58% – 70% (ปริมาณเศษ) ผลิต โดยกลุ่มของเราเข้าถึงระดับต่อไปนี้: TC 170 – 220 ด้วย (m·K) เฉลี่ย CTE 7 × 10−6 K−1 (25-100 ° C) และแก๊ส impermeability ต่ำสุด 10−11 Pa·m3/s [11]2.1.1. SiCp/Cuความท้าทายสำคัญของ SiCp/Cu จะปรับปรุงความสามารถเปียกได้และปราบปรามของแข็งปฏิกิริยา:equation(2)ซิลิก้อน + Cu→C + 3CuSiเพื่อปรับปรุงความสามารถการเปียกได้ เปลี่ยนองค์ประกอบลเท่านั้น (ตี้ Cr, Fe, Ni และอัล) บวก [12] ศรีเพิ่มกิจกรรมให้ความสำคัญในการกำจัด SiO2 ฟิล์มไม่ใช่ wettable บนอนุภาค SiC และลดลงละลายไหล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2.1 SiC / โลหะคอมโพสิต
2.1.1 SICP / อั
SICP / คอมโพสิตอัลเป็นวัสดุบรรจุภัณฑ์ที่สำคัญในเวลานี้ ปัญหาที่สำคัญที่พบในการประมวลผลที่มีความเปียกที่ไม่ดีในระบบ SIC-อัลและปฏิกิริยาสัมผัสที่ไม่พึงประสงค์ [9]: สมการ (1) 4AL (1) + 3SiC (S) = 4AlC3 (S) + 3SI (1) Al4C3 ทำหน้าที่เป็น ทนความร้อนสัมผัสและทำปฏิกิริยากับความชื้นบรรยากาศการย่อยสลายสมบัติทางความร้อน ร่วมนอกเหนือจากศรีและแมกนีเซียมเช่นเดียวกับการใช้ประโยชน์จาก N2 ประสบความสำเร็จในช่วงปรับปรุงเปียกแทรกซึมความดัน ไอ Mg แทรกซึมเข้าไปใน preform และทำปฏิกิริยากับออกซิเจนดูดซึมใน SiC และไนโตรเจนเติมใน preform Mg3N2 สร้างปฏิกิริยากับอัลและส่งเสริมเปียก เมื่อเนื้อหาศรีต่ำกว่า 6% (ส่วนมวล) หรือเนื้อหา Mg ต่ำกว่า 4% (ส่วนมวล), คอมโพสิตไม่สามารถแทรกซึมเข้าไปอย่างเต็มที่เนื่องจากเปียกยากจน เมื่อเพิ่มขึ้นเนื้อหา Mg เกิน 8% (ส่วนมวล) ความพรุนสูงจะถูกเหนี่ยวนำ ที่เหมาะสมเนื้อหา Mg พบว่าเป็น 4% -8% (ส่วนมวล) [10]. ปฏิกิริยาสัมผัสเป็นอันตรายสามารถป้องกันได้อย่างมีประสิทธิภาพเป็นเนื้อหาศรีเกินกว่า 12% (ส่วนมวล) ณ วันที่ 1 000 ° C อย่างไรก็ตาม, ศรีมากเกินไปเกินกว่า 12% (ส่วนมวล) ลด TC ความสมดุลควรจะทำระหว่างการปรับปรุงเปียกและยับยั้งการเกิดปฏิกิริยาสัมผัสเพื่อให้ได้คุณสมบัติที่เหมาะสม คอมโพสิตที่มี 58% -70% (ปริมาตร) SiC ที่ผลิตโดยกลุ่มของเราถึงระดับต่อไปนี้: TC ของ 170-220 W / (ม· K); เฉลี่ย CTE ของ 7 × 10-6 K-1 (25-100 ° C) และดันก๊าซที่ต่ำที่สุดเท่าที่ 10-11 ป่า· m3 / วินาที [11]. 2.1.1 SICP / Cu ความท้าทายที่สำคัญของคอมโพสิต SICP / Cu คือการปรับปรุงของเปียกและปราบปรามการเกิดปฏิกิริยาที่แข็งแรงสมการ (2) SiC + Cu → C + 3CuSi เพื่อปรับปรุงเปียกองค์ประกอบผสมการเปลี่ยนแปลง (Ti, Cr, Fe , Ni และอัล) มีการเพิ่ม [12] เพิ่มกิจกรรมศรีบุญกำจัดที่ไม่เปียก SiO2 ฟิล์มอนุภาค SiC และการลดลงของการไหลละลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2.1 . SIC / โลหะคอมโพสิต
2.1.1 . sicp /
sicp / อัลอัลคอมโพสิตคีย์บรรจุภัณฑ์ในครั้งนี้ ปัญหาหลักที่พบในการประมวลผลไม่ดีเปียกใน SIC อัลระบบและไม่พึงประสงค์ระหว่างปฏิกิริยา [ 9 ] :


4al สมการ ( 1 ) ( 1 ) 3sic ( s ) = 4alc3 ( s ) 3si ( 1 )
al4c3 การปฏิบัติหน้าที่ระหว่างทนความร้อนและการทำปฏิกิริยากับความชื้นลดความร้อนของบรรยากาศ .บริษัท เพิ่มศรี และแมกนีเซียมเช่นเดียวกับการใช้สารแทรกซึม N2 เรียบร้อยแล้วช่วยในการเก็บรักษาผล . มิลลิกรัมไอน้ำแทรกซึมเข้า preform และทำปฏิกิริยากับออกซิเจนและไนโตรเจนดูดซึมใน SIC เติมในที่แสดง สร้าง mg3n2 reacts กับ อัล และ ส่งเสริม การ ทดสอบ .เมื่อ ซี เนื้อหาคือต่ำกว่าร้อยละ 6 เศษส่วนมวล ) หรือปริมาณแมกนีเซียมต่ำกว่า 4% ( เศษส่วนมวล ) , คอมโพสิตไม่ได้เต็มที่แล้ว เนื่องจากสารที่น่าสงสาร เมื่อมก. เพิ่มเนื้อหาเกิน 8% ( เศษส่วนมวล ) , ความพรุนสูงจะเกิด เนื้อหามิลลิกรัมที่พบเป็น 4% และ 8% ( เศษส่วนมวล )

[ 10 ]เป็นอันตรายระหว่างปฏิกิริยาสามารถได้อย่างมีประสิทธิภาพป้องกัน เป็นศรีเป็นเนื้อหากว่า 12% ( เศษส่วนมวล ) ที่ 1 , 000 องศา อย่างไรก็ตาม จังหวัดที่มากเกินไปเกินกว่าร้อยละ 12 ( เศษส่วนมวล ) บั่นทอน TC . ความสมดุล ควรทำระหว่างการปรับปรุงและทดสอบการยับยั้งปฏิกิริยาของพอลิเมอร์เพื่อให้ได้คุณสมบัติที่เหมาะสมคอมโพสิตกับ 58 – 70% ( สัดส่วนปริมาตร ) ผลิต SiC โดยกลุ่มของเราถึงระดับต่อไปนี้ : TC 170 – 220 W / M ด้วย K ) ; เฉลี่ย 7 × 10 − 6 CTE K − 1 ( 25 – 100 ° C ) และก๊าซ impermeability เป็นต่ำเป็น 10 − 11 ป่าด้วย m3 / s [ 11 ] .

ตัว . sicp CU /
ความท้าทายหลักของ sicp CU / คอมโพสิต คือ การปรับปรุง และการปราบปรามสารปฏิกิริยาที่แข็งแกร่ง :

สมการ ( 2 )

3cusi SIC CU → keyboard - key - name cเพื่อปรับปรุง ทดสอบการเปลี่ยนธาตุอัลลอยด์ ( Ti , CR , Fe , Ni และอัล ) จะถูกเพิ่ม [ 12 ] เพิ่มศรีกิจกรรมโปรดปรานการไม่ใช่ฟิล์ม SiO2 wettable บนอนุภาค และการลดลงของ SIC ละลายไหล .