ConclusionsStudies of photoinduced

Conclusions
Studies of photoinduced phenomena in chalcogenide
glasses continue to be carried out with the aim of completely
understanding the electron-atom(ion) interaction
in amorphous semiconductors and of developing novel
applications. The present status for respective phenomena
can be summarized as follows. For the phase-change
phenomenon, the initial and the fina! structural state
are known, and the main problem is shifting towards
understanding transient characteristics appearing in the
ps-ns regions. For the bulk reversible changes, it has been
demonstrated that the configuration-coordinate models
provide useful insights, although real structural entities
are difficult to identify. Sub-bandgap illumination effects
open up the possibilities of novel applications, although
these effects cast doubts upon the nature of the bandgap
in amorphous semiconductors. For the photoelectro-ionic
phenomena, Lhe mechanisms seem to be understood at a
phenomenological level, and, in the future, these studies
will focus upon microscopic features.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทสรุปการศึกษาของ photoinduced ปรากฏการณ์ใน chalcogenideแว่นตาต่อไปจะดำเนินการ มีเป้าหมายอย่างสมบูรณ์ทำความเข้าใจเกี่ยวกับการโต้ตอบที่ electron-atom(ion)ในคอนดักเตอร์ไป และนวนิยายพัฒนาการใช้งาน สถานะปัจจุบันสำหรับปรากฏการณ์ที่เกี่ยวข้องสามารถสรุปได้ดังนี้ สำหรับการเปลี่ยนเฟสปรากฏการณ์ การเริ่มต้น และไฟน์ โครงสร้างรัฐเป็นที่รู้จักกัน และปัญหาหลักคือการเปลี่ยนไปเข้าใจลักษณะชั่วคราวที่ปรากฏในการอิเกียพีเอส ns ภูมิภาค สำหรับการเปลี่ยนแปลงผันกลับได้จำนวนมาก ได้รับแสดงให้เห็นว่ารูปแบบการกำหนดค่าพิกัดให้ข้อมูลที่เป็นประโยชน์ แม้ว่าที่จริงโครงสร้างเอนทิตียากที่จะระบุได้ ผลไฟย่อย bandgapเปิดได้กับโปรแกรมประยุกต์ใหม่ แม้ว่าผลกระทบเหล่านี้โยนข้อสงสัยตามลักษณะของ bandgapในคอนดักเตอร์ไป สำหรับ photoelectro ไอออนปรากฏการณ์ Lhe กลไกดูเหมือนจะเข้าใจในการระดับ phenomenological และ ในอนาคต การศึกษาเหล่านี้จะเน้นตามคุณลักษณะด้วยกล้องจุลทรรศน์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สรุปผลการ
ศึกษาของปรากฏการณ์ photoinduced ใน chalcogenide
แก้วยังคงมีการดำเนินการโดยมีวัตถุประสงค์ของสมบูรณ์
ทำความเข้าใจปฏิสัมพันธ์อิเล็กตรอนอะตอม (ไอออน)
ในเซมิคอนดักเตอร์และสัณฐานของการพัฒนานวนิยายเรื่อง
การใช้งาน สถานะปัจจุบันปรากฏการณ์นั้น
สามารถสรุปได้ดังต่อไปนี้ สำหรับขั้นตอนการเปลี่ยนแปลง
ปรากฏการณ์ครั้งแรกและ Fina! รัฐที่มีโครงสร้าง
เป็นที่รู้จักและปัญหาหลักคือการขยับไปทาง
ลักษณะชั่วคราวความเข้าใจที่ปรากฏใน
ภูมิภาค PS-NS สำหรับการเปลี่ยนแปลงแบบพลิกกลับเป็นกลุ่มจะได้รับการ
แสดงให้เห็นว่าการกำหนดค่าพิกัดรุ่น
ให้ข้อมูลเชิงลึกที่มีประโยชน์ถึงแม้ว่าหน่วยงานที่มีโครงสร้างที่แท้จริง
เป็นเรื่องยากที่จะระบุ ผลการส่องสว่างตำบล bandgap
เปิดขึ้นเป็นไปได้ของการใช้งานนวนิยายเรื่องนี้แม้ว่า
ผลกระทบเหล่านี้สงสัยกับลักษณะของ bandgap ที่
ในเซมิคอนดักเตอร์สัณฐาน สำหรับ photoelectro ไอออนิก
ปรากฏการณ์กลไก LHE ดูเหมือนจะเข้าใจใน
ระดับปรากฏการณ์วิทยาและในอนาคตการศึกษาเหล่านี้
จะมุ่งเน้นคุณลักษณะกล้องจุลทรรศน์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สรุปการศึกษา photoinduced ปรากฏการณ์ในชาโคเจนไนด์แก้วยังคงถูกดำเนินการด้วยวัตถุประสงค์อย่างสมบูรณ์ความเข้าใจอิเล็กตรอนอะตอม ( ไอออน ) ปฏิสัมพันธ์ในสารกึ่งตัวนำสัณฐานและการพัฒนาใหม่การประยุกต์ใช้ สถานะปัจจุบันของปรากฏการณ์นั้นๆสามารถสรุปได้ดังนี้ สำหรับเปลี่ยนรูป-ปรากฏการณ์ครั้งแรกและสุดท้าย ! สภาพโครงสร้างเป็นที่รู้จักกัน และปัญหาหลักคือขยับต่อเข้าใจลักษณะที่ปรากฏในชั่วคราวป.ล. 2 ภูมิภาค สำหรับกลุ่มการเปลี่ยนแปลงมันได้แสดงให้เห็นว่าค่าประสานงานรุ่นให้ข้อมูลเชิงลึกที่เป็นประโยชน์ แม้ว่าหน่วยงานโครงสร้างจริงยากที่จะระบุ ซับ bandgap แสงผลเปิดความเป็นไปได้ของการใช้งานใหม่ ถึงแม้ว่าผลเหล่านี้แสดงความสงสัยต่อธรรมชาติของ bandgapในสารกึ่งตัวนำไป . สำหรับ photoelectro ไอออนปรากฏการณ์กลไกการฉายดูเหมือนจะเข้าใจในอาจกล่าวได้ว่า ระดับ และ ใน อนาคต การศึกษาเหล่านี้จะโฟกัสตามคุณสมบัติ ด้วยกล้องจุลทรรศน์