where carriers are not permitted. H

where carriers are not permitted. However, as the atoms of a material are brought closer
together to form the crystal lattice structure, there is an interaction between atoms, which
will result in the electrons of a particular shell of an atom having slightly different energy
levels from electrons in the same orbit of an adjoining atom. The result is an expansion
of the fixed, discrete energy levels of the valence electrons of Fig. 1.6a to bands as shown
in Fig. 1.6b . In other words, the valence electrons in a silicon material can have varying
energy levels as long as they fall within the band of Fig. 1.6b . Figure l.6b clearly reveals
that there is a minimum energy level associated with electrons in the conduction band and
a maximum energy level of electrons bound to the valence shell of the atom. Between the
two is an energy gap that the electron in the valence band must overcome to become a free
carrier. That energy gap is different for Ge, Si, and GaAs; Ge has the smallest gap and GaAs
the largest gap. In total, this simply means that:
An electron in the valence band of silicon must absorb more energy than one in the
valence band of germanium to become a free carrier. Similarly, an electron in the
valence band of gallium arsenide must gain more energy than one in silicon or
germanium to enter the conduction band.
This difference in energy gap requirements reveals the sensitivity of each type of
semiconductor to changes in temperature. For instance, as the temperature of a Ge sample
increases, the number of electrons that can pick up thermal energy and enter the conduction
band will increase quite rapidly because the energy gap is quite small. However, the number
of electrons entering the conduction band for Si or GaAs would be a great deal less. This
sensitivity to changes in energy level can have positive and negative effects. The design of
photodetectors sensitive to light and security systems sensitive to heat would appear to be
an excellent area of application for Ge devices. However, for transistor networks, where
stability is a high priority, this sensitivity to temperature or light can be a detrimental factor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งผู้ได้รับอนุญาต อย่างไรก็ตาม เป็นอะตอมของวัสดุจะมาใกล้ชิดร่วมกันในรูปแบบโครงสร้างผลึกตาข่าย มีการโต้ตอบระหว่างอะตอม ซึ่งจะทำให้อิเล็กตรอนของกระสุนเฉพาะของอะตอมที่มีพลังงานแตกต่างกันเล็กน้อยระดับจากอิเล็กตรอนในวงโคจรเดียวกันของอะตอมที่อยู่ติดกัน ผลที่ได้คือ การขยายตัวถาวร แยกระดับพลังงานของอิเล็กตรอนของมะเดื่อ 1.6a เพื่อวงดังที่ในรูป 1.6b ในคำอื่น ๆ อิเล็กตรอนในวัสดุซิลิคอนมีแตกต่างกันระดับพลังงานตราบเท่าที่พวกเขาตกอยู่ในวงของรูป 1.6b รูป l.6b เผยให้เห็นอย่างชัดเจนว่าระดับพลังงานต่ำสุดสัมพันธ์กับอิเล็กตรอนในวงนำ และระดับพลังงานที่สูงสุดของอิเล็กตรอนที่ถูกผูกไว้กับวาเลนซ์เชลล์ของอะตอม ระหว่างการสองคือมีช่องว่างพลังงานที่อิเล็กตรอนในวงวาเลนซ์ต้องเอาชนะเพื่อให้การบริษัทขนส่ง ที่ช่องว่างของพลังงานจะแตกต่างกันสำหรับ Ge, Si และ GaAs Ge มีช่องว่างเล็กและ GaAsช่องว่างที่ใหญ่ที่สุด รวม ซึ่งก็หมายความ ว่า:อิเล็กตรอนในวงวาเลนซ์ของซิลิคอนต้องดูดซับพลังงานมากขึ้นกว่าในการวงวาเลนซ์ของเจอร์เมเนียมจะกลายเป็น ผู้ให้บริการฟรี ในทำนองเดียวกัน อิเล็กตรอนในการวงวาเลนซ์ของแกลเลียม arsenide ต้องได้รับพลังงานมากขึ้นกว่าในซิลิคอน หรือเจอร์เมเนียมป้อนวงการนำความแตกต่างในความต้องการช่องว่างพลังงานเผยความไวของแต่ละชนิดสารกึ่งตัวนำการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ เช่น เป็นอุณหภูมิของตัวอย่าง Geเพิ่มขึ้น จำนวนของอิเล็กตรอนที่สามารถรับพลังงานความร้อน และใส่นำวงจะเพิ่มค่อนข้างรวดเร็วเนื่องจากช่องว่างพลังงานค่อนข้างเล็ก อย่างไรก็ตาม หมายเลขป้อนนำอิเล็กตรอน วงศรีหรือ GaAs จะน้อยลงอย่างมาก นี้ความไวต่อการเปลี่ยนแปลงระดับพลังงานจะมีผลบวก และลบ การออกแบบphotodetectors ไวต่อแสงและความไวต่อความร้อนระบบรักษาความปลอดภัยจะปรากฏ เป็นอันยอดเยี่ยมของแอพลิเคชันสำหรับอุปกรณ์ Ge อย่างไรก็ตาม สำหรับเครือข่ายทรานซิสเตอร์ ที่ความมั่นคงจะมีความสำคัญ ไวต่อแสงหรืออุณหภูมินี้สามารถเป็นปัจจัยอันตราย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผู้ให้บริการที่ไม่ได้รับอนุญาต แต่เป็นอะตอมของวัสดุที่จะนำมาใกล้ชิด
กันในรูปแบบโครงสร้างผลึกตาข่ายที่มีปฏิสัมพันธ์ระหว่างอะตอมซึ่ง
จะส่งผลให้อิเล็กตรอนของเปลือกโดยเฉพาะอย่างยิ่งของอะตอมมีพลังงานที่แตกต่างกันเล็กน้อย
ระดับจากอิเล็กตรอนในวงโคจรเดียวกัน ของอะตอมที่อยู่ติดกัน ผลที่ตามมาคือการขยายตัว
ของการคงระดับพลังงานที่ไม่ต่อเนื่องของอิเล็กตรอนของรูป 1.6a กับวงดังแสดง
ในรูปที่ 1.6b ในคำอื่น ๆ ที่มีอิเล็กตรอนในวัสดุซิลิกอนที่แตกต่างกันสามารถมี
ระดับพลังงานตราบเท่าที่พวกเขาตกอยู่ในวงดนตรีของมะเดื่อ 1.6b รูป l.6b อย่างชัดเจนแสดงให้เห็น
ว่ามีระดับพลังงานต่ำสุดที่เกี่ยวข้องกับอิเล็กตรอนในการนำวงดนตรีและ
ระดับพลังงานสูงสุดของอิเล็กตรอนผูกไว้กับเปลือก Valence ของอะตอม ระหว่าง
สองเป็นช่องว่างพลังงานที่อิเล็กตรอนในวงดนตรีของความจุที่จะต้องเอาชนะให้กลายเป็นฟรี
ให้บริการ ช่องว่างพลังงานที่แตกต่างกันสำหรับจีอีศรีและ GaAs; จีอีมีช่องว่างเล็กที่สุดและ GaAs
ช่องว่างที่ใหญ่ที่สุด ทั้งหมดนี้หมายความว่า
อิเล็กตรอนในวงความจุของซิลิกอนจะต้องดูดซับพลังงานมากกว่าหนึ่งใน
วง Valence เจอร์เมเนียมที่จะกลายเป็นผู้ให้บริการฟรี ในทำนองเดียวกันอิเล็กตรอนใน
วงความจุของแกลเลียม arsenide ต้องได้รับพลังงานมากกว่าหนึ่งในซิลิกอนหรือ
เจอร์เมเนียมเพื่อเข้าสู่การนำวงดนตรี
ความแตกต่างในความต้องการช่องว่างพลังงานนี้เผยให้เห็นความไวของแต่ละประเภทของ
สารกึ่งตัวนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ ยกตัวอย่างเช่นอุณหภูมิของจีอีตัวอย่าง
การเพิ่มขึ้นของจำนวนอิเล็กตรอนที่สามารถรับพลังงานความร้อนและป้อนการนำ
วงจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วมากเพราะช่องว่างพลังงานที่มีขนาดเล็กมาก อย่างไรก็ตามจำนวน
ของอิเล็กตรอนเข้าสู่การนำวงดนตรีสำหรับศรีหรือ GaAs จะมีการจัดการที่ดีน้อย นี้
มีความไวต่อการเปลี่ยนแปลงในระดับพลังงานสามารถมีผลกระทบในเชิงบวกและเชิงลบ การออกแบบของ
photodetectors ความไวต่อแสงและระบบรักษาความปลอดภัยมีความไวต่อความร้อนจะปรากฏเป็น
พื้นที่ที่ดีของแอพลิเคชันสำหรับอุปกรณ์จีอี แต่สำหรับเครือข่ายทรานซิสเตอร์ที่
มีเสถียรภาพเป็นลำดับความสำคัญสูงไวต่ออุณหภูมิหรือแสงสามารถเป็นปัจจัยอันตราย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ผู้ให้บริการไม่ได้รับอนุญาต แต่เป็นอะตอมของวัสดุที่ถูกนำมาใกล้ร่วมกันเพื่อฟอร์มแลตทิซผลึกโครงสร้าง มีปฏิสัมพันธ์ระหว่างอะตอม ซึ่งจะส่งผลให้อิเล็กตรอนของหอยโดยเฉพาะของอะตอมที่มีพลังงานแตกต่างกันเล็กน้อยระดับจากอิเล็กตรอนในวงโคจรเดียวกันของอะตอมที่อยู่ติดกัน ผลที่ได้คือ การขยายตัวของคงไม่ต่อเนื่องระดับพลังงานของอิเล็กตรอนของรูปจะเป็น 1.6a วงดนตรีในรูปที่ 1.6b . ในคำอื่น ๆอิเล็กตรอนในซิลิคอนวัสดุสามารถแตกต่างกันพลังงานระดับตราบเท่าที่พวกเขาอยู่ในกลุ่มของรูปที่ 1.6b . รูป l.6b ชัดเจน เผยมันเป็นอย่างน้อยที่เกี่ยวข้องกับอิเล็กตรอนในระดับพลังงานที่นำวงดนตรีและสูงสุดระดับพลังงานของอิเล็กตรอนถูกผูกไว้กับเวเลนซ์เชลล์ของอะตอม ระหว่าง2 เป็นช่องว่างพลังงานที่อิเล็กตรอนในเวเลนซ์แบนด์ต้องเอาชนะเป็นฟรีพาหะ ช่องว่างพลังงานที่แตกต่างกันสำหรับ GE , SI และ GaAs ; GE มีช่องว่างน้อยที่สุด และ ณช่องว่างที่ใหญ่ที่สุด ทั้งหมดนี้หมายความว่า :อิเล็กตรอนในซิลิคอนเวเลนซ์แบนด์ต้องดูดซับพลังงานได้มากกว่าหนึ่งในเวเลนซ์แบนด์ของเจอร์เมเนียมกลายเป็นพาหะฟรี ในทำนองเดียวกัน อิเล็กตรอนในวาเลนซ์แบนด์ของแกลเลียมอาร์เซไนด์จะต้องได้รับพลังงานมากขึ้นกว่าหนึ่งในซิลิคอน หรือเจอร์เมเนียมเข้านำวงดนตรี .ความแตกต่างในความต้องการที่ช่องว่างพลังงาน เผยความไวของแต่ละชนิดเป็นผู้นำการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ ตัวอย่างเช่น เมื่ออุณหภูมิของ GE ตัวอย่างการเพิ่มจำนวนของอิเล็กตรอนที่สามารถรับพลังงานและใส่สื่อวงดนตรีจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วมาก เพราะช่องว่างพลังงานที่ค่อนข้างเล็ก อย่างไรก็ตาม จำนวนของอิเล็กตรอนเข้าไปนำวงดนตรีเพื่อชี หรือนี้จะมากน้อย นี้ความไวต่อการเปลี่ยนแปลงในระดับพลังงาน สามารถ มี ผล บวก และลบ การออกแบบของphotodetectors อ่อนไหวกับแสงและระบบรักษาความปลอดภัยมีความไวต่อความร้อนจะปรากฏขึ้นเป็นพื้นที่ที่ยอดเยี่ยมของโปรแกรมประยุกต์สำหรับอุปกรณ์ GE อย่างไรก็ตาม สำหรับเครือข่ายทรานซิสเตอร์ที่เสถียรภาพเป็นลำดับความสำคัญสูง นี้ความไวแสงหรืออุณหภูมิจะเป็นปัจจัยต่อ .