YSZ microtubes with tetragonal crys

YSZ microtubes with tetragonal crystalline phase are suitable substrate
materials in atomic layer deposition processes.MgO thin filmdeposition
fromβ-diketonate-type precursorMg(thd)2 was carried out on
YSZ microtubes which makes them applicable in miniature plasma jet
devices. Thickness ofMgO filmon microtubeswas 15.8 nmand growth
rate was 0.105 Å/cycle. Formation of interfacial layer between MgO
film and microtube and infiltration of ALD precursor materials into
nanopores of microtubes will be investigated in further studies.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Microtubes YSZ กับเฟสผลึก tetragonal มีพื้นผิวที่เหมาะสมวัสดุในกระบวนการสะสมชั้นอะตอม MgO บาง filmdepositionfromβ-diketonate-ชนิด precursorMg (thd) 2 ดำเนินการในMicrotubes YSZ ซึ่งทำให้ใช้ได้ในขนาดเล็กพลาสม่าเจ็ทอุปกรณ์ ความหนา ofMgO filmon microtubeswas 15.8 nmand เจริญเติบโตราคาถูก 0.105 Åรอบ / การก่อตัวของชั้น interfacial ระหว่าง MgOฟิล์ม และ microtube และแทรกซึมของสารตั้งต้น ALD เป็นnanopores ของ microtubes จะถูกตรวจสอบในการศึกษาเพิ่มเติม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไมโคร YSZ กับผลึก tetragonal มีพื้นผิวที่เหมาะสม
กับวัสดุในอะตอมสะสมชั้น processes.MgO บาง filmdeposition
fromβ-diketonate ชนิด precursorMg (THD) 2 ได้ดำเนินการเกี่ยวกับ
ไมโคร YSZ ซึ่งทำให้พวกเขาที่ใช้บังคับในเจ็ทพลาสม่าขนาดเล็ก
อุปกรณ์ ความหนา ofMgO filmon microtubeswas 15.8 nmand การเจริญเติบโต
อัตราเป็น 0.105 A / วงจร การก่อตัวของชั้น interfacial ระหว่าง MgO
ภาพยนตร์และ Microtube และการแทรกซึมของวัสดุสารตั้งต้นมรกตเข้า
nanopores ของไมโครจะถูกสอบสวนในการศึกษาต่อไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

microtubes เฟสเตตระโกนอลผลึก ซึ่งกับเหมาะ พื้นผิววัสดุในอะตอม processes.mgo filmdeposition สะสมชั้นบางจากบีตา - diketonate ประเภท precursormg ( THD ) ได้ดำเนินการใน 2ซึ่ง microtubes ซึ่งทำให้พวกเขาสามารถใช้ได้ในเจ็ทพลาสมาขนาดเล็กอุปกรณ์ ความหนา ofmgo filmon microtubeswas 15.8 nmand การเจริญเติบโตอัตรา 0.105 กริพเพน / รอบ เกิดระหว่างชั้นระหว่าง MgOภาพยนตร์และ microtube และการซึมของวัสดุสารตั้งต้น ald เข้าไปnanopores ของ microtubes จะศึกษาในการศึกษาต่อ