Magnesium Silicide (Mg2Si) is a nar

Magnesium Silicide (Mg2Si) is a narrow band gap semiconductor
(Eg * 0.3–0.6 eV), with low density (below
2 g/cm3) and high melting temperature (*1000 C) [17].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แมกนีเซียม Silicide (Mg2Si) เป็นสารกึ่งตัวนำช่องว่างที่แคบวง(เช่น * 0.3 – 0.6 eV), มีความหนาแน่นต่ำ (ด้านล่าง2 g/cm3) และอุณหภูมิสูงละลาย (* 1000 C) [17]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แมกนีเซียมซิลิไซด์ (Mg2Si) เป็นช่องว่างแถบแคบเซมิคอนดักเตอร์
(เช่น * 0.3-0.6 eV) ที่มีความหนาแน่นต่ำ (ต่ำกว่า
2 กรัม / cm3) และอุณหภูมิสูงละลาย (* 1000? C) [17]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แมกนีเซียมซิลิไซด์ ( mg2si ) เป็นวงแคบ ( เช่นช่องว่าง
( * 0.3 - 0.6 EV ) ที่มีความหนาแน่นต่ำ ( ด้านล่าง
2 กรัมต่อลิตร ) และอุณหภูมิการหลอมเหลวสูง ( * 1000  C ) [ 17 ]