Linear Operation The region along t

Linear Operation The region along the load line including all points between saturation
and cutoff is generally known as the linear region of the transistor’s operation. As long as
the transistor is operated in this region, the output voltage is ideally a linear reproduction
of the input.
Figure 5–5 shows an example of the linear operation of a transistor. AC quantities are
indicated by lowercase italic subscripts. Assume a sinusoidal voltage, Vin, is superimposed
on VBB, causing the base current to vary sinusoidally above and below its Q-point
value of This, in turn, causes the collector current to vary 10 mA above and below
its Q-point value of 30 mA. As a result of the variation in collector current, the collectorto-
emitter voltage varies 2.2 V above and below its Q-point value of 3.4 V. Point A on the
load line in Figure 5–5 corresponds to the positive peak of the sinusoidal input voltage.
Point B corresponds to the negative peak, and point Q corresponds to the zero value of the
sine wave, as indicated. VCEQ, ICQ, and IBQ are dc Q-point values with no input sinusoidal
voltage applied.
300 mA.
100 mA
3.4
VCEQ
–
+
10 k
VBB
VCC
10 V
220 
–
+
3.7 V
Vin
VBB – 0.7 V
RB
=
Vce
IBQ =
RB
RC
βDC = 100
3.7 V – 0.7 V
10 k
= 300 A
ICQ = βDC IBQ = (100)(300 A) = 30 mA
VCEQ = VCC – ICQRC = 10 V – (30 mA)(220 ) = 3.4 V
Ib
μ
μ
IB = 300 A
IB = 400 μA
10
20
30
40
45.5
1.2 5.6 10 0 VCE
VCC

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การดำเนินงานเชิงภูมิภาคตามแนวโหลดรวมคะแนนทั้งหมดระหว่างความเข้มและตัดโดยทั่วไปเรียกว่าภูมิภาคเชิงเส้นของการทำงานของทรานซิสเตอร์ ตราบใดที่ทรานซิสเตอร์ที่ดำเนินการในภูมิภาคนี้ แรงดันไฟฟ้าผลลัพธ์แห่งการทำซ้ำเส้นของการป้อนข้อมูลรูปที่ 5-5 แสดงตัวอย่างของการดำเนินงานเชิงเส้นของตัวทรานซิสเตอร์ ปริมาณกระแสสลับมีระบุตามตัวห้อยเอียงเล็ก สมมติแรงดันแบบ sinusoidal วิน จะวางซ้อนอยู่บน VBB สาเหตุปัจจุบันฐานการเปลี่ยน sinusoidally ด้านบน และด้าน ล่าง จุด Qค่านี้ กลับ ทำให้การเก็บรวบรวมปัจจุบันแตกต่างกัน 10 mA ด้านบน และด้านล่างค่าของจุด Q 30 mA จากการเปลี่ยนแปลงในเก็บปัจจุบัน collectorto-ตัวส่งแรงดัน 2.2 V ด้านบน และด้าน ล่างเป็นค่าจุด Q ของ 3.4 V. A จุดไปจนในโหลดรายการในรูป 5-5 สอดคล้องกับช่วงบวกของแรงดันไฟฟ้าอินพุต sinusoidalจุด B ตรงกับช่วงค่าลบ และจุด Q ที่สอดคล้องกับค่าเป็นศูนย์ของการsine wave ตามที่ระบุ VCEQ, ICQ และ IBQ เป็นค่าจุด Q dc กับอินพุตไม่ sinusoidalแรงดันที่ใช้300 mA100 mA3.4VCEQ–+10 kVBBVCC10 V220–+3.7 VวินVBB – 0.7 Vอ.ระพี=VceIBQ =อ.ระพีRCΒDC = 1003.7 V – 0.7 V10 k= 300 AICQ = βDC IBQ = (100)(300 A) = 30 mAVCEQ = VCC-ICQRC = 10 V – (30 mA) (220) = 3.4 VIbΜΜIB = 300 AIB = 400 ΜA1020304045.51.2 5.6 10 0 VCEVCC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เชิงเส้นการดำเนินงานในภูมิภาคตามแนวโหลดรวมทั้งทุกจุดระหว่างความอิ่มตัวของสีและตัดเป็นที่รู้จักกันโดยทั่วไปว่าเป็นภูมิภาคเชิงเส้นของการดำเนินงานของทรานซิสเตอร์ ตราบใดที่ทรานซิสเตอร์เป็นผู้ดำเนินการในภูมิภาคนี้แรงดันไฟฟ้าที่ส่งออกเป็นอย่างยิ่งการทำสำเนาเชิงเส้นของท่าน. รูปที่ 5-5 แสดงตัวอย่างของการดำเนินการเชิงเส้นของทรานซิสเตอร์หนึ่ง AC ปริมาณที่มีการระบุโดยห้อยตัวเอียงตัวพิมพ์เล็ก สมมติแรงดันซายน์, วินถูกซ้อนทับบนVBB ทำให้ปัจจุบันฐานที่แตกต่างกัน sinusoidally บนและด้านล่าง Q-จุดมูลค่าการนี้ในที่สุดก็ทำให้ปัจจุบันนักสะสมจะแตกต่างกัน10 mA ด้านบนและด้านล่างค่าQ-จุดของ 30 มิลลิแอมป์ อันเป็นผลมาจากการเปลี่ยนแปลงในปัจจุบันเก็บที่ collectorto- แรงดันไฟฟ้าที่แตกต่างกันไปอีซีแอล 2.2 V บนและด้านล่างค่า Q-จุด 3.4 โวลต์จุด A บนเส้นโหลดในรูปที่ 5-5 สอดคล้องกับยอดในเชิงบวกของการป้อนข้อมูลซายน์ แรงดันไฟฟ้า. จุด B สอดคล้องกับยอดเขาที่ลบและจุด Q สอดคล้องกับค่าเป็นศูนย์ของคลื่นไซน์ตามที่ระบุไว้ VCEQ, ICQ, และ IBQ มี dc ค่า Q-จุดที่ไม่มีการป้อนข้อมูลไซน์แรงดันไฟฟ้าใช้. 300 mA. 100 mA 3.4 VCEQ - + 10 k VBB VCC 10 V 220? - + 3.7 V Vin VBB - 0.7 V RB = VCE IBQ = RB RC βDC = 100 3.7 V - 0.7 V 10 k = 300 ICQ = βDC IBQ = (100) (300) = 30 mA VCEQ = VCC - ICQRC = 10 V - (30 มิลลิแอมป์) (220) = 3.4 V Ib ไมครอนμ IB = 300 IB = 400 ต10 20 30 40 45.5 1.2 5.6 10 0 VCE VCC