However, for Bi(III) concentrations

However, for Bi(III) concentrations higher than 1000 μg L−1, the stripping peak currents of Pb(II) decreased gradually and peaks became wider, which is probably due to the fact that thick bismuth film may hinder the mass transfer of metal ions during the stripping step [22]. Therefore, the optimized concentration of bismuth was chosen as 1000 μg L−1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อย่างไรก็ตาม สำหรับ Bi(III) ความเข้มข้นที่มากกว่า 1000 ไมโครกรัม L−1 กระแสสูงสุดลอก Pb(II) ลดลงเรื่อย ๆ และยอดเป็นกว้าง ซึ่งอาจเป็นเพราะการที่ฟิล์มหนาบิสมัทอาจขัดขวางการถ่ายโอนมวลของไอออนโลหะในระหว่างขั้นตอนการลอก [22] ดังนั้น ความเข้มข้นที่เหมาะสมของบิสมัทที่เลือกเป็น 1000 ไมโครกรัม L−1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อย่างไรก็ตามสำหรับ Bi (III) ความเข้มข้นสูงกว่า L-1 1,000 ไมโครกรัมลอกกระแสสูงสุดของตะกั่ว (II) ค่อยๆลดลงและยอดกลายเป็นวงกว้างซึ่งอาจเป็นเพราะความจริงที่ว่าฟิล์มบิสมัทหนาอาจขัดขวางการถ่ายโอนมวลของโลหะ ไอออนในระหว่างขั้นตอนการลอก [22] ดังนั้นความเข้มข้นของการเพิ่มประสิทธิภาพของบิสมัทได้รับเลือกเป็น 1,000 ไมโครกรัม L-1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อย่างไรก็ตาม บี ( 3 ) ความเข้มข้นสูงกว่า 1 , 000 μ G L − 1 , ปอกยอดกระแสของ Pb ( II ) ลดลง และหุบก็กว้างกว่า ซึ่งอาจจะเนื่องจากความจริงที่ว่าฟิล์มบิสมัทหนาอาจขัดขวางการถ่ายเทมวลของไอออนโลหะในการขั้นตอน [ 22 ] ดังนั้น การปรับความเข้มข้นของบิสมัทถูกเลือกเป็น 1 , 000 μ G L − 1