In the study, gate potential shift

In the study, gate potential shift was determined to be between 30 mV and 100 mV with the reduced DNA surface density using a DNA-ISFET device. In general, the variation in surface conductivity can be explained from the transfer doping model, in which the increase in hole density will cause a decrease of pH value in the surface conductive layer of the diamond.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการศึกษา การเปลี่ยนแปลงที่ประตูถูกกำหนดเป็นระหว่าง 30 mV และ 100 mV กับดีเอ็นเอลดพื้นผิวความหนาแน่นในการใช้อุปกรณ์ชนิด isfet แบบดีเอ็นเอ ทั่วไป การเปลี่ยนแปลงในผิวการนำสามารถอธิบายได้จากการโอนยาสลบแบบ หลุมความหนาแน่นที่เพิ่มขึ้นจะทำให้การลดลงของค่า pH ในชั้นนำผิวของเพชร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการศึกษาการเปลี่ยนแปลงที่อาจเกิดขึ้นประตูมุ่งมั่นจะเป็นระหว่างวันที่ 30 mV และ 100 mV มีความหนาแน่นพื้นผิวดีเอ็นเอลดการใช้อุปกรณ์ดีเอ็นเอ ISFET โดยทั่วไปการเปลี่ยนแปลงในการนำพื้นผิวที่สามารถอธิบายได้จากรูปแบบการถ่ายโอนยาสลบซึ่งในการเพิ่มขึ้นของความหนาแน่นของหลุมจะทำให้เกิดการลดลงของค่าพีเอชในชั้นเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าบนพื้นผิวของเพชร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการศึกษาการเปลี่ยนแปลงที่อาจเกิดขึ้น ประตู ตัดสินใจอยู่ระหว่าง 30 และ 100 MV MV กับดีเอ็นเอของผิวลดการใช้อุปกรณ์ dna-isfet . โดยทั่วไปการเปลี่ยนแปลงในการนำพื้นผิวสามารถอธิบายได้จากการโอนการเป็นรูปแบบ ซึ่งการเพิ่มความหนาแน่นของหลุมจะทำให้การลดลงของค่า pH ในผิวชั้น conductive ของเพชร