The complexity of the 4T cell is to

The complexity of the 4T cell is to make a resistor load high enough (in the range of giga-ohms) to minimize the current. However, this resistor must not be too high to guarantee good functionality. Despite its size advantage, the 4T cells have several limitations. These include the fact that each cell has current flowing in one resistor (i.e., the SRAM has a high standby current), the cell is sensitive to noise and soft error because the resistance is so high, and the cell is not as fast as the 6T cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความซับซ้อนของเซลล์ 4 ทีจะทำให้ตัวต้านทานโหลดสูง (ในช่วงของ giga โอห์ม) เพื่อลดกระแส อย่างไรก็ตาม ตัวต้านทานนี้ต้องไม่สูงเกินไปที่จะรับประกันการทำงานที่ดี แม้ มีประโยชน์ขนาด เซลล์ 4 ทีมีข้อจำกัดหลาย เหล่านี้รวมถึงความจริงที่ว่า แต่ละเซลล์มีการไหลเวียนในตัวต้านทานหนึ่ง (เช่น พาร์มีการสแตนด์บายสูงปัจจุบัน), เซลล์มีความไวต่อสัญญาณรบกวนและอ่อนข้อผิดพลาดเนื่องจากความต้านทานสูง และเซลล์ไม่รวดเร็วเท่ากับ 6T เซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความซับซ้อนของเซลล์ 4T คือการทำให้การโหลดต้านทานสูงพอ (ในช่วงของ Giga-โอห์ม) เพื่อลดปัจจุบัน อย่างไรก็ตามต้านทานนี้จะต้องไม่สูงเกินไปที่จะรับประกันการทำงานที่ดี แม้จะมีข้อได้เปรียบขนาดของมันที่ 4T เซลล์มีข้อ จำกัด หลายประการ เหล่านี้รวมถึงความจริงที่ว่าแต่ละเซลล์มีกระแสไฟฟ้าไหลในตัวต้านทาน (เช่น SRAM มีสูงสแตนด์บายปัจจุบัน) เซลล์มีความไวต่อเสียงรบกวนและเกิดข้อผิดพลาดเนื่องจากความต้านทานสูงมากและมือถือที่ไม่ได้เป็นที่รวดเร็วเป็น เซลล์ 6T

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความซับซ้อนของ 4T เซลล์ให้ตัวต้านทานโหลดสูงพอ ( ในช่วงของ Giga โอห์ม ) เพื่อลดกระแส อย่างไรก็ตาม ตัวต้านทานชนิดนี้ต้องไม่สูงเกินไปที่จะรับประกันการทำงานที่ดี แม้จะมีข้อดีขนาด เซลล์ 4T มีข้อจำกัดหลายประการ เหล่านี้รวมถึงความจริงที่ว่าแต่ละเซลล์มีกระแสไหลในตัวต้านทาน ( i.e . , SRAM ได้สูงแล้วในปัจจุบัน ) เซลล์มีความไวต่อเสียงและข้อผิดพลาดนุ่มเพราะความต้านทานสูงมาก และเซลล์จะไม่เร็วเท่า 6T เซลล์