Chlorine doped SnO2 thin films were

Chlorine doped SnO2 thin films were prepared using atomic layer deposition at temperatures
between 300 and 450 C using SnCl4 and H2O as the reactants.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คลอรีน doped SnO2 ฟิล์มบางเตรียมไว้ใช้สะสมชั้นของอะตอมที่อุณหภูมิระหว่างใช้ SnCl4 และ H2O เป็น reactants C 300 และ 450

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คลอรีนเจือ SnO2
ฟิล์มบางได้จัดทำขึ้นโดยใช้การสะสมชั้นอะตอมที่อุณหภูมิระหว่าง300 และ 450 องศาเซลเซียสโดยใช้ SnCl4 H2O และเป็นสารตั้งต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คลอรีนเจือ SnO2 ฟิล์มเตรียมการสะสมชั้นอะตอมที่อุณหภูมิระหว่าง 300 และ 450 
c ใช้ sncl4 และ H2O
เป็นก๊าซ