Because Ga atoms have a higher chem

Because Ga atoms have a higher chemical potential in Cu3Ge and Pd12Ga5As2 than in GaAs, this leads to the diffusion of the Ge atoms into the GaAs substrate

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากอะตอม Ga มีเคมีสูงที่อาจเกิดขึ้นใน Cu3Ge และ Pd12Ga5As2 กว่า GaAs นี้นำไปสู่การแพร่ของอะตอม Ge เป็นพื้นผิว GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพราะอะตอม Ga มีสารเคมีที่มีศักยภาพสูงขึ้นใน Cu3Ge และ Pd12Ga5As2 กว่าใน GaAs นี้นำไปสู่​​การแพร่กระจายของอะตอมจีอีเข้ามาในพื้นผิว GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพราะ กา อะตอมมีศักยภาพทางเคมีสูงใน cu3ge pd12ga5as2 กว่า GaAs และนำไปสู่การแพร่กระจายของ GE อะตอมเข้าไปในพื้นผิว